Температура кипения (испарения) некоторых соединений
(продуктов реакции) ВПТ
Химическое соединение | Температура кипения, К | Химическое соединение | Температура кипения, К | |
Фториды | Хлориды | |||
SiF4 | 187 | SiCl4 | 331 | |
WF6 | 291 | TiCl4 | 410 | |
MoF6 | 308 | TaCl5 | 515 | |
MoF5 | 487 | MoCl5 | 541 | |
TaF5 | 503 | WCl5 | 549 | |
TiF4 | 557 | WCL6 | 610 | |
NbF4 | 508 | AlCl3 | 180 | |
VF5 | 382 | AuCl4 | 642 | |
Оксигалогены | Другие соединения | |||
MoOCl3 | 343 | CO2 | 216 | |
WOF4 | 453 | CO | 81 | |
MoOF4 | 451 | H2 | 20,4 | |
WOCl4 | 501 | O2 | 90 | |
MoO2F2 | 543 | N2 | 77,2 | |
CrO2Cl2 | 389 | F2 | 95 |
Таблица 9.6
Оптимальные условия ПХТ тонких пленок
Стравли-ваемые материалы | Газовые среды | Конечный продукт реакции | Параметры технологического процесса |
Фоторези-сты, полиимидные пленки | O2; O2 + N2 | CO2; CO; O2; H2O | Энергия электронов: 1 – 10 эВ Концентрация электронов: 1010 – 1012 см–3 |
Si | CF4; CF4 + O2; CCl4; CCl3F; SF6; C2F6; CCl2F2 | SiF4; SiCl4; CO; CO2 | Газовая температура: 300 – 600 К Давление газовой среды: |
SiO2 | CF4; CF4 + H2; CHF3; C2F6 + C2H2; С3F8 + CF4 | SiF4; SiH4; CH4; CO; CO2 | 1 – 103 Па Расход газа: 50 – 100 см3/мин Степень ионизации: |
Si3N4 | CF4; CF4 + О2; SiF4 | SiF4; CO; CO2; N2 | 10–3 – 10–5 Te / Tг = 10 – 100 |
Окончание табл. 9.6
Стравли-ваемые материалы | Газовые среды | Конечный продукт реакции | Параметры технологического процесса |
Al | Cl2; CCl4; CCl4 + O2; BCl3; Cl2 + BCl3; CCl4 + Ar; SiF4 | AlCl3; AlCl6; SiCl4; CO; CO2 | |
Cr | CCl4 + O2; CCl4; Cl2 +O2 + Ar | CrO2Cl2 | |
Ti;W | CF4 + O2 | TiF4; WF6; WF4 | |
Nb;Ta | CF4 + O2 | NbF5; TaF5 | |
Au;Pt | CF3Cl; CF4 + O2 | AuCl3; PtCl4 | |
A3B5 | CCl2F2; CCL4; HCl; Cl2 + BCL3 | A3Cl3; B5Cl5 | |
Ge | SF6 |
9.3.3. Активация газовой среды; выбор типа газового разряда
Отличительной особенностью плазмохимического травления является использование активной газовой среды определенного химического состава, под действием которой происходит процесс физического и химического разрушения поверхностного слоя обрабатываемого изделия с образованием летучих соединений.
Поскольку параметры вещества в плазменном состоянии могут изменяться в чрезвычайно широких пределах, то одним из наиболее важных вопросов является выбор оптимального их значения, т. е. выбор определенного типа газового разряда.
Учитывая температурную зависимость полупроводниковых структур, а также с целью исключения глубинных нарушений структуры обрабатываемой поверхности, энергия тяжелых частиц, т. е. температура плазмы, не должна превышать нескольких сот градусов. С другой стороны, плотность плазмы должна обеспечивать необходимую скорость протекания реакции. Катализатором может служить возбужденное и ионизованное состояние химически активных частиц плазмы, что обеспечивается электронной компонентой плазмы с определенным энергетическим спектром.
Наконец, должны быть выполнены еще два условия: плазма, как рабочая среда, не должна загрязняться посторонними примесями (за счет разрушения электродов или стенок реакционной камеры); при обработке диэлектрических поверхностей автоматически должен устраняться поверхностный заряд.
Перечисленным условиям наиболее полно удовлетворяет высокочастотный (ВЧ) разряд низкого давления с непрерывной прокачкой газовой среды заданного химического состава. Среднемассовая температура такого разряда имеет величину порядка сотен градусов, что соответствует средней энергии 0,04 – 0,08 эВ. Температура электронной компоненты значительно выше и достигает нескольких единиц и даже десятков эВ, что необходимо для поддержания газа в возбужденном и частично ионизованном состоянии.
Заданный температурный режим обеспечивается величиной давления ниже атмосферного в пределах 10 – 200 Па (1 mm Hg = =133 Па). Частота внешнего электрического поля должна быть достаточно велика (порядка 106 Гц), что исключает влияние процессов на электродах и позволяет вынести их за пределы реакционной камеры, т. е. получить безэлектродный разряд. В этих условиях длина свободного пробега электронов будет довольно большой и достаточной для активации тяжелых частиц.
При использовании ВЧ разряда существенно снижается по сравнению с разрядом на постоянном токе, потенциал зажигания разряда. Роль ионов в ВЧ разряде сводится, вследствие их малой подвижности, почти исключительно к образованию пространственного заряда, накладывающегося на быстропеременное внешнее электрическое поле и определяющего распределение зарядов. Что касается характера движения электронов, то он целиком определяется совокупностью следующих параметров: давления, частоты и амплитуды внешнего электрического поля и, наконец, величиной и конфигурацией внешнего магнитного поля.
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 |



