Температура кипения (испарения) некоторых соединений

(продуктов реакции) ВПТ

Химическое

соединение

Температура кипения, К

Химическое

соединение

Температура кипения, К

Фториды

Хлориды

SiF4

187

SiCl4

331

WF6

291

TiCl4

410

MoF6

308

TaCl5

515

MoF5

487

MoCl5

541

TaF5

503

WCl5

549

TiF4

557

WCL6

610

NbF4

508

AlCl3

180

VF5

382

AuCl4

642

Оксигалогены

Другие соединения

MoOCl3

343

CO2

216

WOF4

453

CO

81

MoOF4

451

H2

20,4

WOCl4

501

O2

90

MoO2F2

543

N2

77,2

CrO2Cl2

389

F2

95

Таблица 9.6

Оптимальные условия ПХТ тонких пленок

Стравли-ваемые

материалы

Газовые среды

Конечный продукт реакции

Параметры

технологического

процесса

Фоторези-сты, полиимидные пленки

O2; O2 + N2

CO2; CO; O2; H2O

Энергия электронов:

1 – 10 эВ

Концентрация электронов: 1010 – 1012 см–3

Si

CF4; CF4 + O2; CCl4; CCl3F; SF6; C2F6; CCl2F2

SiF4; SiCl4; CO; CO2

Газовая температура:

300 – 600 К

Давление газовой среды:

SiO2

CF4; CF4 + H2; CHF3;

C2F6 + C2H2; С3F8 + CF4

SiF4; SiH4; CH4; CO; CO2

1 – 103 Па

Расход газа:

50 – 100 см3/мин

Степень ионизации:

Si3N4

CF4; CF4 + О2; SiF4

SiF4; CO; CO2; N2

10–3 – 10–5

Te / Tг = 10 – 100

Окончание табл. 9.6

Стравли-ваемые

материалы

Газовые среды

Конечный продукт реакции

Параметры

технологического

процесса

Al

Cl2; CCl4;

CCl4 + O2; BCl3; Cl2 + BCl3; CCl4 + Ar; SiF4

AlCl3; AlCl6; SiCl4; CO; CO2

Cr

CCl4 + O2; CCl4; Cl2 +O2 + Ar

CrO2Cl2

Ti;W

CF4 + O2

TiF4; WF6; WF4

Nb;Ta

CF4 + O2

NbF5; TaF5

Au;Pt

CF3Cl; CF4 + O2

AuCl3; PtCl4

A3B5

CCl2F2; CCL4; HCl; Cl2 + BCL3

A3Cl3; B5Cl5

Ge

SF6

9.3.3. Активация газовой среды; выбор типа газового разряда

Отличительной особенностью плазмохимического травления является использование активной газовой среды определенного химического состава, под действием которой происходит процесс физического и химического разрушения поверхностного слоя обрабатываемого изделия с образованием летучих соединений.

Поскольку параметры вещества в плазменном состоянии могут изменяться в чрезвычайно широких пределах, то одним из наиболее важных вопросов является выбор оптимального их значения, т. е. выбор определенного типа газового разряда.

Учитывая температурную зависимость полупроводниковых структур, а также с целью исключения глубинных нарушений структуры обрабатываемой поверхности, энергия тяжелых частиц, т. е. температура плазмы, не должна превышать нескольких сот градусов. С другой стороны, плотность плазмы должна обеспечивать необходимую скорость протекания реакции. Катализатором может служить возбужденное и ионизованное состояние химически активных частиц плазмы, что обеспечивается электронной компонентой плазмы с определенным энергетическим спектром.

Наконец, должны быть выполнены еще два условия: плазма, как рабочая среда, не должна загрязняться посторонними примесями (за счет разрушения электродов или стенок реакционной камеры); при обработке диэлектрических поверхностей автоматически должен устраняться поверхностный заряд.

Перечисленным условиям наиболее полно удовлетворяет высокочастотный (ВЧ) разряд низкого давления с непрерывной прокачкой газовой среды заданного химического состава. Среднемассовая температура такого разряда имеет величину порядка сотен градусов, что соответствует средней энергии 0,04 – 0,08 эВ. Температура электронной компоненты значительно выше и достигает нескольких единиц и даже десятков эВ, что необходимо для поддержания газа в возбужденном и частично ионизованном состоянии.

Заданный температурный режим обеспечивается величиной давления ниже атмосферного в пределах 10 – 200 Па (1 mm Hg = =133 Па). Частота внешнего электрического поля должна быть достаточно велика (порядка 106 Гц), что исключает влияние процессов на электродах и позволяет вынести их за пределы реакционной камеры, т. е. получить безэлектродный разряд. В этих условиях длина свободного пробега электронов будет довольно большой и достаточной для активации тяжелых частиц.

При использовании ВЧ разряда существенно снижается по сравнению с разрядом на постоянном токе, потенциал зажигания разряда. Роль ионов в ВЧ разряде сводится, вследствие их малой подвижности, почти исключительно к образованию пространственного заряда, накладывающегося на быстропеременное внешнее электрическое поле и определяющего распределение зарядов. Что касается характера движения электронов, то он целиком определяется совокупностью следующих параметров: давления, частоты и амплитуды внешнего электрического поля и, наконец, величиной и конфигурацией внешнего магнитного поля.

Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12