I termodynamikens värld, när vi försöker beskriva ett system av partiklar, är ett av de grundläggande målen att kunna uttrycka systemets entropi. Entropi, som beskriver graden av oordning eller slumpmässighet i ett system, beräknas ofta utifrån partitionfunktionen. För ett system med N partiklar och vid en temperatur T kan entropin uttryckas genom en specifik formel som relaterar dessa variabler.

Formeln för entropi i det klassiska fallet kan skrivas som:

S=NkB(32lnT+ln(eVN)+52+32ln((2πmkB)h3))S = Nk_B \left( \frac{3}{2} \ln T + \ln \left( \frac{eV}{N} \right) + \frac{5}{2} + \frac{3}{2} \ln \left( \frac{(2 \pi m k_B)}{h^3} \right) \right)

Denna formel överensstämmer med den som härrör från termodynamikens grundläggande principer, men med ett viktigt tillägg: konstanten 52+32ln((2πmkB)h3)\frac{5}{2} + \frac{3}{2} \ln \left( \frac{(2 \pi m k_B)}{h^3} \right). I klassisk termodynamik beaktar man enbart skillnader i entropi, och därför spelar denna konstant ingen roll för de flesta beräkningar. Det är också viktigt att notera att denna formel för entropi inte ger S=0S = 0 vid T=0T = 0, vilket är en konsekvens av de förenklingar som gjorts för att uppnå den klassiska partitionfunktionen, där ingen åtskillnad görs mellan bosoner och fermioner.

För att räkna ut tillståndsekvationen P=(FT)NP = -\left( \frac{\partial F}{\partial T} \right)_{N}, där F är den fria energin, får vi uttrycket:

P=NkBTVP = \frac{Nk_B T}{V}

Detta gör det möjligt att beräkna värdet på Boltzmanns konstant kBk_B. För en mol, där antalet partiklar är lika med Avogadros tal NA=6,02×1023N_A = 6,02 \times 10^{23}, ges uttrycket för trycket som:

P=RTVP = \frac{RT}{V}

där RR är den ideala gaskonstanten (8.32 Joule/grad). Därmed får vi att kB=RNA=1,38×1023k_B = \frac{R}{N_A} = 1,38 \times 10^{ -23} Joule/grad. Slutligen, den kemiska potentialen μ\mu kan beräknas som:

μ=kBT(ln(VN)+ln((2πmkBT)h2)3/2)\mu = -k_B T \left( \ln \left( \frac{V}{N} \right) + \ln \left( \frac{(2 \pi m k_B T)}{h^2} \right)^{3/2} \right)

I det klassiska fallet är den kemiska potentialen negativ, vilket beror på att (VN)((2πmkBT)h2)3/2>1\left( \frac{V}{N} \right) \left( \frac{(2 \pi m k_B T)}{h^2} \right)^{3/2} > 1.

När vi övergår till den klassiska gränsen kan vi definiera denna som ett tillstånd där partikeltätheten N/VN/V är låg eller temperaturen är hög. Vi har då följande villkor:

V((2πmkBT)h2)3/2NV \left( \frac{(2 \pi m k_B T)}{h^2} \right)^{3/2} \gg N

Detta villkor kan omformuleras på två sätt. Om systemet hålls vid konstant densitet N/VN/V, får vi ett uttryck för temperaturen:

kBTh22πm(NV)2/3k_B T \gg \frac{h^2}{2 \pi m} \left( \frac{N}{V} \right)^{2/3}

Om temperaturen istället hålls konstant, handlar villkoret om densiteten:

NV((2πmkBT)h2)3/2\frac{N}{V} \ll \left( \frac{(2 \pi m k_B T)}{h^2} \right)^{3/2}

Den klassiska gränsen nås alltså vid låg densitet och/eller hög temperatur.

En viktig aspekt att beakta vid beräkningarna är att i vissa förenklade modeller av den klassiska idealgasen introduceras en konstant QQ för att hålla partitionfunktionen dimensionlös. Även om denna konstant inte spelar någon roll vid beräkningen av energi, påverkar den uttrycken för entropi, fri energi och den kemiska potentialen. Vid användning av en serie istället för en integral är det också nödvändigt att införa en sådan konstant för att hålla dimensionerna korrekta.

Det är också avgörande att förstå att den differens i tillståndstätheten, g(p)dpg(p) \, dp, inte förändrar dimensionerna av integralerna. Diskussionen kring serien och integraler är inte trivial, och matematiker har utvecklat olika lösningar för att hantera den. En av dessa lösningar är Euler-McLaurin-formeln, som ger en precis beskrivning av summor och integraler där termen för k=0k = 0 och de sista termerna inte är fullt representerade, vilket ofta inte påverkar resultaten märkbart, särskilt för stora system där partiklar vid k=0k = 0 inte bidrar avsevärt.

För att få en fullständig förståelse av dessa koncept bör läsaren också uppmärksamma detaljer kring hur dessa approximationer påverkar specifika system, till exempel vid boson- eller fermiongas. De förenklade modellerna kan ibland ge avvikelser när det gäller partiklar som följer kvantmekaniska regler, särskilt i system som bosongaser där partiklar kan samla sig i samma kvanttillstånd.

Hur temperatur och bandgap påverkar halvledarmaterialens egenskaper

Det elektriska beteendet hos halvledare beror på antalet elektroner som finns i ledningsbandet och antalet hål i valensbandet. Hål kan ses som frånvarande elektroner, och deras rörelse ger upphov till ledningsförmåga. Dessa fenomen kan förklaras med hjälp av statistik och kvantmekanik, där de grundläggande parametrarna som Fermi-nivå och bandgap är avgörande.

För att förstå dessa fenomen är det nödvändigt att beräkna antalet hål och elektroner i respektive band. Antalet hål i valensbandet definieras av ekvationen NV=EV8πVh3(2mh)3/2EVE1exp[β(μE)]+1dEN_V = \int_{ -\infty}^{E_V} \frac{8\pi V}{h^3} (2m_h)^{3/2} \sqrt{E_V - E} \, \frac{1}{\exp[\beta(\mu - E)] + 1} dE, där mhm_h är hålets effektiva massa, och μ\mu är kemisk potential. Genom att använda denna formel kan man beräkna hur hålens antal beror på temperaturen och andra materialparametrar.

Vid låg temperatur, där E<μE < \mu, uttrycks Fermi-Dirac-distributionen som 1fFDexp[β(μE)]1 - f_{FD} \approx \exp[\beta(\mu - E)], vilket förenklar beräkningarna av antalet hål och elektroner i halvledarmaterialet. När materialet värms upp förändras Fermi-nivån i förhållande till bandens gränser, vilket påverkar antalet elektroner och hål i respektive band. Vid T=0T = 0 är Fermi-nivån exakt mitt emellan ledningsbandets och valensbandets gränser, och den exakta fördelningen mellan elektroner och hål bestäms av bandgapet ECEVE_C - E_V.

Vid högre temperaturer är det viktigt att förstå att mh>mem_h > m_e, vilket gör att Fermi-nivån kommer att stiga med temperaturen. Detta förklarar varför materialets elektriska egenskaper är temperaturberoende och hur extrinsiska effekter som föroreningar kan ändra materialets ledningsförmåga. Föroreningar, som kan bidra med extra elektroner eller hål, leder till det extrinsiska tillståndet där antalet hål och elektroner från materialet själv inte längre dominerar. I detta tillstånd blir det avgörande att förstå hur dessa föroreningar interagerar med det elektriska fältet i materialet.

Under påverkan av ett elektriskt fält rör sig elektroner i motsatt riktning till fältet, medan hålen rör sig i fältets riktning. Detta skapar ett effektivt elektriskt beteende hos hålen, som om de var positiva laddningar med en viss effektiv massa. Det är denna dynamik som ligger till grund för många halvledarens praktiska tillämpningar, särskilt i transistorer och dioder.

För att beräkna Fermi-nivån som funktion av temperatur och elektronantal i ledningsbandet kan vi använda ekvationen μ=EC+EV2+34kBTln(mhme)\mu = \frac{E_C + E_V}{2} + \frac{3}{4}k_B T \ln{\left(\frac{m_h}{m_e}\right)}, där ECE_C och EVE_V är energinivåerna i lednings- och valensbanden, respektive, och kBk_B är Boltzmanns konstant. Vid låg temperatur är Fermi-nivån mitt emellan de två banden, men vid högre temperaturer flyttas den uppåt, vilket påverkar elektriska egenskaper.

För att fördjupa förståelsen av halvledarmaterial är det också viktigt att titta på bandgapet ECEVE_C - E_V, som styr hur lätt elektroner kan överföras mellan valensbandet och ledningsbandet. Material med stora bandgap, såsom kiselkarbid eller galliumarsenid, leder till halvledare med högre driftspänningar och är mer resistenta mot temperaturförändringar.

Bandgapets storlek och förändringar i den effektiva massan för hål och elektroner vid olika temperaturer spelar en central roll för utvecklingen av nya halvledarteknologier. I detta sammanhang blir det nödvändigt att beakta inte bara temperaturen utan även strukturen och renheten hos materialet för att optimera dess ledningsegenskaper.

Markian Prokljatov – en uralsk kosack i livets tjänst
Undervisningsprogram för kursen ”Istoki” för årskurs 5–9: Andliga och moraliska värden i den ryska kulturen
Hjälp till föräldrar • Windows 7 • Ideco ICS Enterprise Edition - 100 samtidiga användare • K9 Web Protection - gratis programvara för föräldrakontroll som blockerar webbplatser baserat på specifika kategorier • Kaspersky Internet Security 2012 • Kaspersky CRYSTAL • KinderGate Föräldrakontroll - programvara för hemmabruk som gör det möjligt att kontrollera användningen av internet av minderåriga barn • Outpost Security Suite - omfattande skydd mot nätverksbedrägerier, inklusive antivirus, brandvägg, antispam, etc. • Rejector - ett enkelt verktyg för föräldrakontroll och mer. Gratis. • SkyDNS - gratis internettjänst baserad på DNS för att blockera åtkomst till farliga, skadliga webbplatser och webbplatser olämpliga för minderåriga • Time Boss Föräldrakontroll - ett enkelt program för föräldrakontroll som begränsar datorns påverkan på barnet • Gogul Barnwebbläsare • Internet Censor - gratis internetfilter som blockerar potentiellt oönskade webbplatser och resurser Föräldrakontroll: • Ha en diskussion med barnet om vad internet är och hur det kan påverka dess psykiska hälsa • Aktivera "Föräldrakontroll" på datorn • Kom överens med barnet om att begränsa dess internetanvändningstid • Sätt internet som en sista prioritet • Surfa på internet tillsammans med barnet • Skapa ett konto för föräldrar på barnets sociala nätverk
Schema för fritidsaktiviteter för årskurs 1–3 under andra kvartalet 2013/14
Arbetsprogram för kursen i extraundervisning "Bakom lärobokens sidor" 5:e klass, nivå för grundskoleundervisning 1 års genomförande