5.2. Литография
Основой нанотехнологических процессов является проведение локальных атомно-молекулярных взаимодействий. В настоящее время наиболее распространены групповые технологии создания объектов нанометровых размеров с помощью осаждения и литографии.
Групповые технологии осаждения характеризуются особенностями, существенно ограничивающими возможности создания структур нанометровых размеров.
Из-за одновременного осаждения на различные участки подложки возникают зёрна, дислокации, поры и другие дефекты. Применение методов эпитаксии позволяет преодолеть данные недостатки, однако из-за высокой температуры эпитаксиальных процессов (необходимой для повышения поверхностной миграции) ликвидируется возможность локального осаждения. Локализация осаждаемого материала возможна в методе графоэпитаксии, однако его развитие сдерживается возможностями методов литографии. Традиционно, основным направлением развития методов литографии, обеспечивающим повышение разрешающей способности, считалось применение свободно распространяющихся в пространстве частиц с меньшей длиной волны. Поэтому проводились разработки в направлении укорочения длины волны используемого излучения, базирующиеся на применении ультрафиолетового или синхротронного излучения, а также высокоэнергетичной электронной или даже ионной литографии.
Методы оптической литографии пока ограничены техническими возможностями фокусирования света - традиционными линзовыми системами, осуществляющими передачу излучения через открытое пространство в размеры, соразмеримые с длиной волны излучения.
Методы электронной и ионной литографии позволяют осуществить фокусировку воздействующего электронного потока в малые размеры. Однако высокая энергия фокусируемых электронов приводит к значительному разрушению используемых материалов, что ограничивает пространственную разрешающую способность метода.
В тоже время, известен физический эффект, позволяющий получить пространственное ограничение потока излучения в размерах, меньших длины волны используемых частиц. Главная особенность эффекта заключается в наличии условий, запрещающих свободное распространение частиц через определённую область пространства. Применение данных эффектов на вершинах зондов специальных конструкций позволило достичь высокой пространственной разрешающей способности без применения высокоэнергетичных частиц и создать новые методы техники сканирующей зондовой микроскопии на их основе. Например, эффективная ширина потока туннелирующих электронов при энергии в доли эВ (электрон-вольт) не превышает 0,1-0,2 нм, а оптическое излучение металло-оптическими волноводами можно локализовать в области в десятки раз меньшей длины волны используемого излучения.
5.3. Эпитаксиальное выращивание тонких пленок и гетероструктур.
Молекулярно-лучевая эпитаксия современный метод получения монокристаллических тонких пленок и гетероструктур, основанный на осаждении элементарных компонентов на предварительно разогретую монокристаллическую подложку. Адсорбированные на подложке атомы или молекулы мигрируют по поверхности, встраиваясь в положения, соответствующие минимуму энергии, и образуя монокристаллические слои. Создавая потоки частиц (лучи) из нескольких источников параллельно или последовательно можно получать слои различного состава и сложные структуры. Потоки частиц на поверхность подложки можно создавать несколькими способами. Классическая молекулярно-лучевая эпитаксия осована на термическом испарении элементарных компонентов в условиях высокого вакуума. Кроме того, для получения потока осаждаемых частиц используется термопиролиз, то-есть термическое разложение молекул, включающих необходимый компонент, в газовой фазе или на нагретой поверхности. Наряду с термическим разложением в технологии используется плазменное разложение молекул. Преимущество последнего метода заключается в возможности проведения процесса при низкой температуре газовой фазы.
5.4. Технология молекулярного наслаивания.
В этом методе используются возможности химии поверхности для оригинального ступенчатого синтеза на ней новых слоев вещества путем проведения ряда последовательных химических превращений с участием только поверхностных фукциональных групп и не затрагивающих остов (объем) твердого тела. Направленное формирование на поверхности нужного набора функциональных групп создает предпосылки для наращивания нового слоя, связанного с поверхностью прочной химической связью. Это достигается путем проведения реакций функциональных групп с молекуламы выбранного прекурсора в определенных условиях. Важнейжим отличительным признаком этого метода является саморегуляция процесса, заключающаяся в остановке роста слоя после завершения синтеза одного монослоя вещества и его возобновления после поступления сигнала о продолжении процесса. Такой синтез является ступенчатым и толщина получаемых пленок зависит не от длительности процесса роста, а от числа повторяющихся циклов. Так, например, при многократной и попеременной обработке силикагеля парами галогенида металла и воды можно осуществлять на поверхности синтез оксидного слоя элемента заданного состава, строения и толщины.
6. Экономические и социальные последствия развития нанотехники
6.1. Электроника и информационные технологии
Любые достижения в нанонауке сначала рассматриваются под углом их приложимости к информационным технологиям. Можно выделить несколько крупных направлений атаки на этом участке фронта:
– уже упоминавшиеся различные устройства на углеродных нанотрубках;
– одноэлектроника, спинтроника и джозефсоновская электроника, в том числе квантовые компьютеры;
– молекулярная электроника, в частности, с использованием фрагментов ДНК;
– сканирующие зондовые методы.
Динамика развития микроэлектроники в предшествующие 30 лет и прогноз на следующее десятилетие на примере роста параметров больших интегральных схем оперативной памяти для персональных компьютеров.
Несмотря на нарастающий уровень трудностей, в течение трех последних десятилетий поддерживается неизменный и очень высокий темп роста всех существенных характеристик в микроэлектронике. Наиболее революционные достижения приближаются к квантовым пределам, положенным самой Природой - когда работает один электрон, один спин, квант магнитного потока, энергии и т. д. Это сулит быстродействие порядка ТГц (~1012 операций в секунду), плотность записи информации ~103 Тбит/см2, что на много порядков выше, чем достигнутые сегодня, а энергопотребление - на несколько порядков ниже. При такой плотности записи в жестком диске размерами с наручные часы можно было бы разместить громадную библиотеку национального масштаба или фотографии, отпечатки пальцев, медицинские карты и биографии абсолютно всех (!) жителей Земли. Действительно, с принципиальной точки зрения для оперирования в двоичной системе исчисления необходимы элементы, которые способны реализовывать два устойчивых (стабильных во времени и не разрушаемых термическими флуктуациями) состояния, соответствующие “0” и “1”, и допускать быстрое переключение между ними. Такие функции может выполнять электрон в двухуровневой системе (например, в двухатомной молекуле - перейти с одного атома на другой). Это реализовало бы заветную мечту - одноэлектронное устройство. К сожалению, пока лучшие современные электронные средства неэкономно “тратят” сотни, тысячи электронов на одну операцию. Другая возможность - переориентировать спин электрона из одного устойчивого состояния в другое (например, воздействуя магнитным полем), чем и занимается спинтроника.
Как реальная альтернатива “кремниевой” электронике в недалеком будущем многими специалистами рассматривается молекулярная электроника. Тому есть несколько причин. Природа создала за миллионы лет эволюции самые разнообразные молекулы, выполняющие все необходимые для сложного организма функции: сенсорные, логически-аналитические, запоминающие, двигательные. Зачем разрабатывать и производить искусственные структуры из отдельных атомов при наличии готовых строительных “блоков”? Тем более что они имеют оптимальную конфигурацию, структуру и нанометровые размеры. В настоящее время существующих фундаментальных знаний и нанотехнологий достаточно лишь для демонстрации принципиальных возможностей создания практически всех структур, необходимых для информационных технологий и микроробототехники
6.2. Конструкционные наноматериалы и их применение
Наиболее крупнотоннажным (после строительных) является производство высокопрочных конструкционных материалов, главным образом металлов и сплавов. Потребность в них и материалоемкость изделий из них зависят от механических свойств: упругости, пластичности, прочности, вязкости разрушения и др. Известно, что прочность материалов определяется химическим составом и реальной атомарной структурой (т. е. наличием определенной кристаллической решетки - или ее отсутствием - и всем спектром ее несовершенств). Высоких прочностных показателей можно добиваться двумя прямо противоположными способами: снижая концентрацию дефектов структуры (в пределе приближаясь к идеальному монокристаллическому состоянию) или, наоборот, увеличивая ее вплоть до создания мелкодисперсного нанокристаллического или аморфного состояния. Оба пути широко используют в современном физическом материаловедении и производстве.
Разработаны составы и технологии нанесения сверхтвердых покрытий толщиной около 1 мкм, уступающих по твердости только алмазу. При этом резко увеличивается износостойкость режущего инструмента, жаростойкость, коррозионная стойкость изделия, сделанного из сравнительно дешевого материала. По пленочной технологии можно создавать не только сплошные или островковые покрытия, но и щетинообразные, с упорядоченным расположением нановорсинок одинаковой толщины и высоты. Они могут работать как сенсоры, элементы экранов высокого разрешения и в других приложениях.
Схематическая зависимость прочности от плотности атомарных дефектов в материале. G - модуль сдвига.
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 |
