Den mesoscopiska transporten beskriver överföring av elektriska laddningar genom ledare på en mycket liten skala, där effekterna av kvantmekaniska fenomen blir dominerande. I denna kontext är förståelsen av elastisk och inelastisk transmission av stor betydelse, särskilt när man beaktar hur dessa processer påverkar ledarens resistans och ledningsförmåga under olika förhållanden.
Den elastiska transmissionen, beskrivs genom , beskriver sannolikheten för att elektroner som släpps ut från ledning 1 inte går in i reservoar 3, utan istället fortsätter direkt till ledning 2. Formeln för detta uttrycks som , där är den elastiska transmissionssannolikheten mellan ledningarna 1 och 2. På andra sidan, den inelastiska transmissionen, , beskriver hur elektroner som lämnar ledning 1 och går in i reservoar 3, för att sedan gå från reservoar 3 till reservoar 2. Förhållandet mellan dessa sannolikheter ges genom en komplex formel, , där och är sannolikheterna för att elektroner går från ledning 1 till reservoar 3 och från reservoar 3 till ledning 2, respektive.
I praktiken innebär det att varje ytterligare ledning som kopplas till elektronreservoarer fungerar som en inelastisk scatterer, vilket påtagligt förändrar ledarens resistans och ledningsförmåga. För att beskriva det här fenomenet övergår man från ett fullständigt koherent överföringssystem, där inga elektroner går in i reservoar 3 (och därmed , med och ), till ett fullständigt inkohérent system där den sekventiella överföringen dominerar och den totala resistansen blir , vilket liknar den klassiska resistansaddition i seriekopplade motstånd.
Vid användandet av fyra-probkonduktorer, där ström appliceras på probe 1 och tas ut på probe 2 medan probes 3 och 4 används för att mäta spänningen, är transmissionen mellan de olika probes också viktigt att förstå. Här är de elastiska och inelastiska sannolikheterna för transmission, , , , , och så vidare, kopplade till varandra genom ordningen av överföringen, där är av nollte ordning och är av första ordning, och är av andra ordning.
Genom att evaluera dessa samband kan man formulera ett uttryck för resistansen i systemet. Detta uttryck beror på de symmetriska egenskaperna hos transmissionssannolikheterna och uppfyller reciprocity-teoremet, vilket innebär att .
I experimentella uppställningar kan man även testa dessa teorier, särskilt genom att använda molekylärstråleepitaxi för att skapa tvådimensionella elektroniska gaser (2DEG) som möjliggör mätningar av ledningsförmåga vid olika gate-spänningar. Dessa experiment, som visar kvantiseringen av ledningsförmåga i steg om , verifierar de teoretiska förutsägelserna om mesoscopisk transport. För att tydligt förstå fenomenet är det viktigt att observera hur en ökning av gate-bredden kan förvärra kvantiseringen av ledningsförmågan, vilket framgår av de mätningar som genomförts på enheter med olika gate-breddar.
Vid ytterligare studier, särskilt i magnetiska fält, förändras transportmekanismerna drastiskt. För en ideal 2D-leder utan föroreningar, ansluten till två elektronreservoarer och placerad i ett magnetfält, påverkas energi-nivåerna av det magnetiska fältet, och energinivåerna för elektronerna, kända som Landau-nivåer, uppträder. Magnetfältet skapar en parabolisk potential som påverkar elektroner vid ledarens kanter, och detta kan leda till att endast kant-tillstånd (edge states) bidrar till strömflödet, medan bulk-tillstånd inte gör det. Denna effekt är central för att förstå transporten i sådana system, särskilt när en lokaliserad förorening nära kanten av provet kan sprida elektroner utan att omvända deras rörelse riktning.
Det är också av vikt att förstå hur ett sådant system reagerar på föroreningar och magnetiska störningar. Föroreningar nära kanten av provet orsakar spridning, men eftersom elektronerna fortsätter att följa kanterna, i en så kallad kvasi-klassisk "skipping" bana, kommer de inte att vända riktning, förutsatt att den genomsnittliga avståndet mellan föroreningarna är större än cyklotronradien.
Hur magnetfält påverkar transporten i kvantprickar och möjligheter för framtida lagringsteknologier
I kvantprickar, där elektroner är strikt kontrollerade i en liten, ofta tvådimensionell, elektrisk potential, kan transporten av laddningar uppvisa kvantiserade egenskaper beroende på externa faktorer såsom spänningsvariationer och magnetfält. En av de mest intressanta egenskaperna i denna typ av system är den så kallade turnstile-effekten, där elektroner tunnelar genom en kvantprick en i taget under varje cykel av en växelström (RF), vilket skapar diskreta strömplateauer i de mätbara I-V-kurvorna. Detta fenomen är direkt kopplat till kvantiseringen av elektronströmmar i system där laddningarna är i så kallade diskreta energitillstånd.
När spänningen som appliceras på kvantpricken ökas, ökar antalet laddningstillstånd som finns tillgängliga för elektroner i systemet, vilket leder till en situation där n elektroner tunnlar genom kvantpricken under varje RF-cykel. Detta skapar en kvantiserad ström som är direkt proportionell mot antalet laddningstillstånd, vilket ger upphov till kurvor där strömmen är kvantisering av värdet ef. I experimentella uppställningar, där RF-signaler appliceras med en fasförskjutning på π, observeras denna kvantisering i mätningarna, vilket bekräftar att transporten är strikt reglerad av de elektroniska tillstånden i systemet.
En sådan kvantisering ses även vid olika frekvenser av RF-signalen, där strömmen varierar linjärt med frekvensen och skapar oscillerande mönster beroende på hur många elektroner som tunnlar genom pricken per cykel. Detta kallas turnstile-effekten och är analogt med en turnstile i en hotellreception där en eller flera personer släpps igenom vid varje cykel.
Det mest lovande användningsområdet för denna typ av kvantisering är utvecklingen av transistorer baserade på enskilda elektroner, de så kallade SET (single-electron transistors). Dessa enhetstransistorer kan revolutionera minnesteknologier genom att kraftigt minska mängden elektroner som lagras per bit av information, vilket potentiellt kan leda till minneskapacitet på nivåer långt högre än dagens DRAM-teknologier. För att realisera detta behöver dock storleken på kvantprickarna minskas ytterligare, och kapacitansen reduceras så att laddningsenergin blir större än termisk energi. Detta kräver att enheten fungerar vid extremt låga temperaturer, vilket gör teknologin fortfarande avlägsen för praktisk användning.
När ett magnetfält appliceras på kvantprickarna, förändras transportbeteendet ytterligare. Magnetfältet påverkar energinivåerna i kvantpricken, och leder till att specifika elektrontillstånd blir mer eller mindre tillgängliga beroende på vilken nivå de befinner sig på i Landau-nivåerna. Experiment har visat att konduktansen i kvantprickar som är utsatta för ett magnetfält uppvisar oscillerande beteenden i både amplitud och position för varje konduktanspeak. Dessa svängningar är starkt beroende av magnetfältets intensitet och temperatur, vilket gör att systemets respons på externa fält kan ge detaljerad information om de underliggande energitillstånden.
Dessa fenomen förklaras ofta genom Coulomb-blockering (CB), där den elektriska potentialen mellan elektronernas laddningstillstånd bestämmer när en elektron kan tunnelera genom systemet. När temperaturen ökar, minskar effekten av Coulomb-blockering och fler tillstånd blir tillgängliga för elektroner att övergå mellan, vilket leder till förändrade egenskaper i konduktansen. Det är också viktigt att beakta spinneffekter, där fermioners unika beteende i kombination med både orbitala och spinrelaterade grader av frihet ger ytterligare insikt i de fysikaliska processerna som styr transporten i kvantprickar.
För att ytterligare förstå de komplexa dynamikerna i kvantprickar är det avgörande att tänka på att deras funktionalitet inte bara beror på elektriska och magnetiska fält, utan också på deras termiska egenskaper och på spinnekvationen. För framtida applikationer i minneslagring eller kvantberäkning kan det vara viktigt att utveckla metoder för att kontrollera och manipulera dessa effekter på ett mycket exakt sätt, vilket kräver en djupare förståelse av både de elektroniska och magnetiska egenskaperna hos kvantprickarna.
Hur inelastisk spridning påverkar fasrelaxation i kvanttransport
I kvantmekaniska system är fasrelaxation en viktig aspekt av elektrontransport, särskilt när man undersöker hur olika typer av spridning påverkar elektronströmmens faser. Experiment har visat att elastisk spridning på statiska spridare, som defekter eller föroreningar, inte påverkar fasrelaxationstiden (τϕ). När elektronens rörelse inträffar genom ett material, särskilt genom ett Aharonov-Bohm (AB)-ring, kan elektronen uppleva upprepade elastiska kollisioner, men AB-oscillationerna fortsätter att observeras. Denna observation bekräftar att det inte är de elastiska spridarna som orsakar fasrelaxationen utan snarare de inelastiska spridarna, särskilt de som är kopplade till elektron- fonon-interaktioner.
Foner är kvanta av kristallgitternas vibrationer och fungerar som dynamiska, icke-statiska spridare som inducerar inelastisk spridning. Vid varje kollision mellan en elektron och en fonon sker en överföring av energi, där elektronen kan få mer eller mindre energi beroende på fononens tillstånd. Detta leder till att fasrelationen mellan de elektroniska vågorna blir oregelbunden, vilket i sin tur minskar den genomsnittliga amplituden för elektronvågorna. På detta sätt spelar inelastisk spridning en avgörande roll i att sänka elektronernas faskoherens över tid.
Vid tidpunkten τϕ, den genomsnittliga tiden för fasrelaxation, beräknas den genomsnittliga kvadraten på energiförändringen som en funktion av antalet spridningar. Detta uttrycks genom ekvationerna som relaterar spridningens energi med fasrelaxationstiden. Vid låga frekvenser, som för akustiska fononer, är deras inverkan på fasrelaxationen relativt liten. Men för optiska fononer, som har högre energi, är deras påverkan på fasrelaxationen mycket större. Det är också viktigt att förstå att vid lägre temperaturer blir elektron-elektron spridning en viktigare mekanism för fasrelaxation, även om den är mindre effektiv på grund av den begränsade tillgången på tillstånd för spridning (enligt Pauli-exkluderingsprincipen).
Vid högre temperaturer, där elektronens genomsnittliga energi (≈kBT) ökar, blir elektron-elektron spridning mer relevant. I 2D-elektrongaser (2DEG) har det visats att fasrelaxationstiden är omvänt proportionell mot elektronens energidifferens från Fermi-nivån. Denna temperaturberoende effekt är viktig att ta hänsyn till när man analyserar fasrelaxationen i kvanttransportsystem.
En annan viktig aspekt som påverkar transporten i små system är den faskoherenta effekten. Om en elektronen rör sig genom en enhet där storleken är mindre än den inelastiska medelfria vägen, kommer olika elektronvågor att interferera med varandra, vilket skapar ytterligare spridning och minskar ledningsförmågan. Denna faskoherenta effekt ger upphov till kvantmekaniska fenomen som Aharonov-Bohm-effekten (AB-effekten) och universella ledningsfluktuationer. I dessa system kan även en liten förändring av den magnetiska flödet orsaka signifikanta svängningar i elektronströmmen, vilket är en viktig egenskap hos mesoskopiska system.
En särskild effekt som observerats i kvantdotter är Coulombblockad-effekten, där en elektron inte kan passera genom en kvantdot utan att en viss elektrisk spänning överskrids. Denna effekt uppstår på grund av Coulomb-interaktionen mellan elektronen i kvantdotten och elektronerna i omgivande kretsar, vilket hindrar inträdet av en andra elektron tills energin överstiger Coulombbarriären. Coulombblockaden ger upphov till ett så kallat Coulomb-trappsteg, där förhållandet mellan spänning och ström är diskontinuerligt. Denna effekt är inte bara en utmaning för traditionella elektroniska system, men kan också utnyttjas för att skapa nya typer av transistorer som är mycket energieffektiva och minskar strömförbrukningen i minnesenheter.
I mesoskalaenheter är det också viktigt att förstå Landauer-Büttiker-formeln, som beskriver transportegenskaper i kvantmekaniska system. Denna formel relaterar ledningsförmågan hos ett system till dess spridningsegenskaper, vilket gör den användbar för att analysera system bestående av olika material eller ledare i kontakt med varandra. För en tvåterminalenhet kan man använda en spridningsmatris för att beskriva sambandet mellan inkommande och utgående vågor, vilket är en grundläggande teori för forskning om mesoskopic transport.
Sammanfattningsvis är inelastisk spridning en fundamental process för att förstå fasrelaxation i kvanttransportsystem, särskilt i mesoskalaenheter där kvanteffekter som faskoherens, AB-effekter och Coulombblockad har stor inverkan på ledningsförmågan. Dessa effekter, som ofta betraktas som problem i traditionella system, kan utnyttjas i designen av framtida kvantelektroniska enheter där kvantmekaniska fenomen kontrolleras och utnyttjas för att förbättra prestanda och energieffektivitet. För att maximera förståelsen för dessa processer är det viktigt att överväga temperaturens och systemets storlek på elektronens rörelse och fasrelaxation, samt att ta hänsyn till de specifika kvantmekaniska fenomen som uppstår vid småskaliga strukturer.
Hur Rashba-koefficienten påverkar elektrontransport i tvådimensionella kvantvågledare
När man undersöker elektrontransport i tvådimensionella kvantvågledare med Rashba-spininterferens är det avgörande att förstå hur olika strukturella parametrar påverkar överföring och polarisation av spinn. I en vågledare där stänger (stubs) är involverade, kan de påverka både elektronens väg och dess spinntillstånd. Om vi exempelvis antar att stubbarna är helt stängda, kommer dessa punkter att motsvara egenenergi för strukturen, vilket innebär att transporten mellan mode och stubbe sker genom resonans.
För ett system där effektiva vågvektorer ligger mellan 2 och 3, kan överföringsprobabiliteterna som funktioner av illustreras genom fyra olika transmissionstillstånd , där i och j representerar de inkommande och utgående modarna. I dessa strukturer är det tydligt att vissa transmissionstillstånd är större än andra, vilket tyder på att det finns kopplingar mellan de olika modarna. Intressant nog är det så att även om transmissionens sannolikhet inte beror direkt på spinntillståndet, kan det påverkas om en ferromagnetisk kontakt placeras i utgången och tillåter endast elektroner med spinntillstånd i en viss riktning att passera.
Med en ferromagnetisk kontakt kan spinpolariseringen moduleras genom att justera Rashba-koefficienten, vilket i sin tur påverkar hur elektronens spinn polariseras i x-riktningen. Det är en viktig observation, då denna polarisation inte ändras även om strukturen eller energinivåerna förändras. För att ytterligare förstå hur strukturella förändringar påverkar systemet, kan man överväga transmissionens sannolikhet i förhållande till stubbarna bredd, , för olika energinivåer. När stubbarna bredd förändras, visar det sig att transmissionen kan blockeras fullständigt vid specifika värden av . Detta skapar möjligheter för att finjustera transporten genom att ändra på stubbenas geometri.
För att kontrollera överföringen effektivt är det nödvändigt att förstå hur Rashba-koefficienten påverkar systemet. En högre -värde resulterar i en minskad bredd på de så kallade transmissionsdalarna , vilket innebär att elektrontransporten kan blockeras mer exakt genom att justera antingen stubbenas bredd eller det elektriska fältet i systemet. Detta gör det möjligt att finjustera flödet av elektroner och därmed styra elektrontransporten på ett mer precist sätt.
Vidare, när flera stubbar införlivas i strukturen, visar det sig att överföringsprobabiliteterna fortfarande är relaterade till stubbenas bredd, men att djupet och bredden på transmissionsdalarna förändras. För ett system med tre stubbar har vi observerat att när elektronenergin ändras, påverkas transmissionen vid specifika och de minskande dalarna ger större kontroll över transporten. Denna observation är särskilt användbar när man försöker skapa mycket precisa system för elektrontransport.
Att ersätta fyrkantiga stubbar med triangulära stubbar har också en inverkan på transporten. I sådana fall kan skärpan i transmissionsdalarna bli mycket större, vilket kan förklaras genom resonansvillkoren för strukturen. Det är denna skärpa i dalarna som kan göra elektrontransporten mer känslig för parametrar som stubbbens bredd och Rashba-koefficienten.
Den enhetliga villkoret, som säkerställer att strömmarna på båda sidor av en struktur är lika, spelar en central roll i att bevara systemets konsistens och möjliggör en korrekt beskrivning av elektrontransporten genom varje segment. Denna bevarandeprincip hjälper till att förstå hur elektronens rörelse inte störs när den rör sig genom olika delar av vågledaren.
Det är också viktigt att förstå att detta fenomen inte är beroende av enbart strukturella förändringar utan också av hur de externa faktorerna, såsom elektriska fält och gate-spänning, påverkar systemets beteende. Genom att noggrant kontrollera dessa faktorer kan man effektivt styra transporten och polariseringen av elektroner i dessa avancerade kvantvågledare.
Endtext
Hur vertikal kurvdesign påverkar järnvägsdrift och säkerhet: en teknisk analys
Hur Fingeravtryck Hjälper i Molekylär Sökning: Teknologier och Utmaningar
Hur vattenbehandling minskar riskerna med mikrobiell förorening i dricksvatten
Hur migrera databaser till Azure SQL: Verktyg och strategier för en smidig övergång

Deutsch
Francais
Nederlands
Svenska
Norsk
Dansk
Suomi
Espanol
Italiano
Portugues
Magyar
Polski
Cestina
Русский