11.2.1 Densitetsfunktionen för doping-supergitter i HD icke-linjära optiska material under magnetisk kvantisering och AC

Den dynamiska resistansen (DR) hos ledningselektroner i doping-supergitter under magnetisk kvantisering av HD icke-linjära optiska material kan uttryckas med hjälp av ekvationen (5.1). Här är E11,1 den totala kvantiserade energin i systemet. Densitetsfunktionen (DOS) ges av summan över alla tillstånd, där varje tillstånd är representerat som en Dirac-deltafunktion:

n=0gz=1maxNBz=δ(EE11,1)\sum_{n=0}^{g} \sum_{z=1}^{\text{max}} N_{Bz} = \delta'(E - E_{11,1})

Elektronkoncentrationen kan skrivas som:

n0=Re[F1(η11,1)]n_0 = \text{Re}\left[F^{ -1}(\eta_{11,1})\right]

där η11,1=(kBT)1[EF11,1E11,1]\eta_{11,1} = (k_B T)^{ -1}[E_{F11,1} - E_{11,1}] och EF11,1E_{F11,1} är Fermienergin för detta system. Den alternativa kapacitansen (AC) kan uttryckas som:

fe=Re[F2(η11,1)]f^*e = \text{Re}\left[F^{ -2}(\eta_{11,1})\right]

I avsaknad av bandsvansar (band tails), kan den dynamiska resistansen i detta fall skrivas som:

ψ1(E11,2)=ψ2(E11,2)+2mψ3(E11,2)+ψ8(E11,2)\psi_1(E_{11,2}) = \psi_2(E_{11,2}) + \frac{2}{m_{\parallel}} \psi_3(E_{11,2}) + \psi_8(E_{11,2})

där E11,2 är den totala kvantiserade energin för detta tillstånd.

Densitetsfunktionen för detta system kan beskrivas på liknande sätt som tidigare:

n=0gz=1maxNBz=δ(EE11,2)\sum_{n=0}^{g} \sum_{z=1}^{\text{max}} N_{Bz} = \delta'(E - E_{11,2})

och elektronkoncentrationen definieras av:

n0=F1(η11,2)n_0 = F^{ -1}(\eta_{11,2})

AC uttrycks därefter som:

fe=F2(η11,2)f^*e = F^{ -2}(\eta_{11,2})

11.2.2 Densitetsfunktionen för doping-supergitter i HD III–V, ternära och kvartära material under magnetisk kvantisering och AC

Den elektroniska energispektrumet för doping-supergitter under magnetisk kvantisering i HD III–V, ternära och kvartära material kan uttryckas från ekvationen (11.1) under förutsättningarna Δ=Δ=Δ\Delta_{\parallel} = \Delta_{\perp} = \Delta och m=m=mcm^*_{\parallel} = m^*_{\perp} = m_c som:

ω0=[T3(E11,3,ηg)+iT3(E11,3,ηg)]\omega_0 = \left[T_3(E_{11,3}, \eta_g) + iT_3(E_{11,3}, \eta_g) \right]

Densitetsfunktionen ges av:

n=0gz=1maxNBz=δ(EE11,3)\sum_{n=0}^{g} \sum_{z=1}^{\text{max}} N_{Bz} = \delta'(E - E_{11,3})

Elektronkoncentrationen definieras genom:

n0=Re[F1(η11,3)]n_0 = \text{Re}\left[F^{ -1}(\eta_{11,3})\right]

och AC skrivs som:

fe=Re[F2(η11,3)]f^*e = \text{Re}\left[F^{ -2}(\eta_{11,3})\right]

I frånvaro av bandsvansar kan den dynamiska resistansen för detta system skrivas som:

I11(E11,4)=ω0+ω19HD(E11,4)I_{11}(E_{11,4}) = \omega_0 + \omega_{19}HD(E_{11,4})

11.2.3 Densitetsfunktionen för doping-supergitter i HD II–VI material under magnetisk kvantisering och AC

För doping-supergitter i HD II–VI halvledare under magnetisk kvantisering kan den dynamiska resistansen uttryckas som:

γ3(E11,9,ηg)=a2eB[n+ω0]\gamma_3(E_{11,9}, \eta_g) = a' \sqrt{2eB} \left[ n + \omega_0 \right]

Densitetsfunktionen för detta system ges av:

n=0gz=1maxNBz=δ(EE11,9)\sum_{n=0}^{g} \sum_{z=1}^{\text{max}} N_{Bz} = \delta'(E - E_{11,9})

Elektronkoncentrationen skrivs som:

n0=F1(η11,9)n_0 = F^{ -1}(\eta_{11,9})

och AC skrivs:

fe=F2(η11,9)f^*e = F^{ -2}(\eta_{11,9})

I avsaknad av bandsvansar skrivs den dynamiska resistansen som:

E11,10=ω0+nE_{11,10} = \omega_0 + n

Sammanfattningsvis kan man konstatera att för alla typer av material under magnetisk kvantisering är densitetsfunktionen och AC uttryckbara med hjälp av specifika matematiska relationer beroende på materialets egenskaper och den kvantiserade energinivån. De givna ekvationerna definierar elektronkoncentrationen samt den dynamiska resistansen i termer av dessa kvantiserade energinivåer, vilket är avgörande för att förstå beteendet hos dessa system under magnetiska fält.

Endast genom att noggrant analysera och tillämpa dessa funktioner kan forskare och ingenjörer optimera och kontrollera elektroniska och optiska egenskaper hos sådana material i framtida tillämpningar.

Hur bestäms täthetsfunktionerna i kvantbrunnar av icke-paraboliska material?

I analysen av kvantbrunnar (QWs) baserade på icke-paraboliska material med hög disperson (HD) utgör täthetsfunktionerna (Density of States, DOS), det effektiva massuttrycket (EFM) och den degenererade gränsytan (DSL) centrala komponenter för förståelsen av laddningsbärardynamik. Vid frånvaro av bandtails kan den totala tvådimensionella täthetsfunktionen för elektroner uttryckas som en summa över delbanden, där varje term styrs av Heaviside-funktionen och derivatan av en funktion som karakteriserar energidispersionen. Dessa funktioner är starkt beroende av kvantiseringsindex och strukturens geometri.

Subbandsenergierna bestäms implicit via transcendenta ekvationer där dispersionens egenfunktioner sammanflätas med kvantiseringsvillkor genom storheter som π/dz och den fria elektronmassan mc. EFM beräknas genom derivatan av dispersionens spektrala funktion, vilket återspeglar hur effektiv massa förändras med energinivån och systemets asymmetri.

Vid introduktion av bandtails — ett fenomen som ofta uppstår i reala strukturer på grund av oordning eller gränsyteeffekter — blir de klassiska uttrycken otillräckliga. Här krävs numerisk lösning av de implicita relationerna där energifunktionerna inte längre kan inverteras analytiskt. De resulterande DOS-funktionerna blir då energi- och parameterberoende, och kräver modellering via specifika systemkonstanter som införts genom experimentella modeller, t.ex. Yamada för hål i II–V-föreningar eller Vassilev för n-typ Pb₁₋ₓGeₓTe.

I fallet med II–V-föreningar är hålens dispersion beskrivna av termer med blandade kvadratiska och kubiska bidrag i vågvektorerna, vilket speglar anisotropin i kristallfältet och påverkan av spin–orbit-koppling. Dessa uttryck leder till komplexa energiband där varje subbandsenergi definieras som den lägsta positiva lösningen till en energiberoende dispersionsekvation.

För halvledare som Pb₁₋ₓGexTe (med liten Ge-dopning) är spektrumet ytterligare modifierat genom icke-paraboliska termer i både längs- och tvärriktningar, och elektronenergin måste lösas som rötter till komplicerade polynomekvationer där energielementen interagerar genom flera termer som involverar både direkta och tvärgående vågtal. Bandtails inkorporeras genom felintegralsberoende termer som tar hänsyn till oordningens statistiska fördelning, vilket gör det nödvändigt att använda numeriska metoder för samtliga derivat.

I kvantbrunnar av Zn– och Cd–diphosphider ges bärarnas dispersion genom uttryck där den anisotropa komponenten i k-rummet behandlas genom funktioner som β₃(k), vilka beror på skillnaderna mellan vågvektorkomponenterna i olika riktningar. De resulterande energirelationerna kräver inversion av sammansatta funktioner med multipla beroenden, där γ₃(E, ηg) fungerar som den centrala energifunktionen i närvaro av bandtails. DOS, EFM och bärarkoncentration i dessa material kan inte beskrivas analytiskt och måste utvärderas numeriskt från systemets materialkonstanter.

Vad som också blir tydligt i hela denna analys är att de klassiska uttrycken för DOS i bredbandiga material, som ofta återges i läroböcker som specialfall, utgör en snäv approximation som endast gäller i frånvaro av bandtails och vid låg energinivå. De nya uttrycken härledda i denna analys utgör därmed en generalisering som inkluderar anisotropi, icke-parabolicitet, kristallfältssplittring och störningseffekter.

Det är även centralt att förstå hur val av modell påverkar resultatet: olika modeller som Kane, Stillman, Palik, Hopfield, Dimmock, Yamada eller Vassilev bygger på olika antaganden om bärarsystemets fysik och kräver justering beroende på materialklass. Detta innebär att även om den matematiska formen kan verka likartad, är de fysikaliska tolkningarna och tillämpningarna skilda.

Vad som är avgörande för läsaren att förstå är att DOS och relaterade storheter i kvantiserade strukturer av icke-paraboliska material inte är allmängiltigt beskrivbara genom enkla slutna formler. I praktiken krävs anpassade numeriska metoder, djupgående kännedom om systemparametrar samt förståelse för hur kvantisering, oordning och kristallanisotropi samverkar. Den fysiska förståelsen av DOS, EFM och DSL i sådana strukturer är oupplösligt bunden till modellvalet och dess koppling till experimentella data. Vidare är det viktigt att erkänna att även små variationer i materialkomposition eller geometri kan leda till signifikanta förändringar i spektral egenskaper, vilket i sin tur påverkar all elektrontransport, optisk respons och enhetsfunktionalitet.