In recente jaren zijn er aanzienlijke vorderingen geboekt in de miniaturisatie van Raman-siliciumlasers, waarbij de drempel voor laseren met racetrack-vormige resonatoren in de micrometer- en millimeterbereiken is verlaagd. Deze vooruitgangen hebben niet alleen de prestaties van de lasers verbeterd, maar ook de mogelijkheden voor hun toepassing in geïntegreerde opto-elektronische schakelingen vergroot. Zoals aangetoond in verschillende studies, waaronder de onderzoeksresultaten gepubliceerd door Takahashi et al., zijn Raman-siliciumlasers in staat om met een lage drempel te functioneren, zelfs bij een resonatorlengte van slechts 3,0 mm, wat op een nieuwe benadering wijst voor het gebruik van deze technologie in compacte systemen.
Het is belangrijk te begrijpen dat een Raman-siliciumlaser, net als elke andere laser, alleen kan oscilleren wanneer de optische versterking door gestimuleerde emissie de totale verliezen in de resonator overschrijdt. Dit basisprincipe is ook van toepassing op Raman-siliciumlasers, waarbij de oscillatie wordt bereikt wanneer de Ramanversterking door gestimuleerde Ramanverstoring groter is dan de verliezen die optreden in de resonator. De sleutel tot het maximaliseren van deze versterking ligt in de afstemming van de siliciumkristaloriëntatie en de optische eigenschappen van de resonator.
De oriëntatie van het siliciumkristal speelt een cruciale rol bij het bereiken van een efficiënte Ramanversterking. De polarisatie van het Raman-licht is vaak verschillend van die van het pomplicht, en de selectie van de juiste kristaloriëntatie kan het rendement van de Ramanversterking aanzienlijk verhogen. Daarom worden racetrack-vormige resonatoren vaak gefabriceerd langs de [110]-oriëntatie van silicium, een configuratie die maximale Ramanversterking mogelijk maakt.
Er zijn twee primaire soorten verliezen die het rendement van een Raman-siliciumlaser beïnvloeden: lekkage van Ramanlicht uit de resonator en absorptie van Ramanlicht binnen de resonator. De resonatorverliezen worden bepaald door de Q-factor van de resonante modus die het Stokes-Ramanlicht vastlegt. Hoe hoger de Q-factor, hoe lager de resonatorverliezen. Recente ontwikkelingen hebben geleid tot resonatoren met Q-factoren die de grens van één miljoen overstijgen, wat leidt tot een significante verlaging van de drempel voor laseren.
Echter, er zijn nog steeds obstakels zoals de vrije-dragerverdwijnings (FCA) die wordt veroorzaakt door twee-fotonabsorptie (TPA). Zelfs bij lagere pomplichtintensiteiten kunnen vrije ladingsdragers worden gegenereerd, wat de efficiëntie van de laser vermindert. Het gebruik van omgekeerd aangespannen p-i-n-structuren in de rib-golflengtegeleiders helpt deze verliezen te minimaliseren, maar de intrinsieke absorptie die veroorzaakt wordt door TPA blijft een uitdaging.
De sleutelstrategie om de laserdrempel te verlagen is het verbeteren van drie belangrijke factoren: (1) het verhogen van de Ramanversterking, (2) het verbeteren van de Q-factor om resonatorverliezen te verminderen, en (3) het verkorten van de vrije-dragertijd om de FCA-verliezen te verminderen. Deze benadering maakt het mogelijk om de laserdrempel te verlagen, zelfs bij een hoge pompintensiteit, door de juiste balans te vinden tussen de versterking en de verliezen.
Een andere belangrijke ontwikkeling op dit gebied is het gebruik van fotonische kristallen. Deze structuren, die bestaan uit nanoschaal periodieke luchtgaatjes, maken gebruik van optische resonatoren en golfgeleiders met unieke eigenschappen. In 2013 werd een Raman-siliciumlaser ontwikkeld met behulp van een fotonisch kristal-nanocaviteit, die een drempel van slechts 1 μW vertoonde, wat meer dan twee ordes van grootte lager is dan de drempels van conventionele rib-golflengtegeleiders. Het gebruik van een dergelijke fotonische nanocaviteit vermindert niet alleen de FCA-verliezen, maar biedt ook aanzienlijke voordelen in termen van de verhoogde Ramanversterking, de hoge Q-factoren, en de korte vrije-dragertijd die inherent zijn aan fotonische kristallen.
Fotonicum-gatstructuren dragen bij aan het versterken van de Ramanversterking door de geoptimaliseerde golfruimte die ze bieden voor de geconfinieerde modes van het resonatorlicht. De bijzonderheden van deze nanocaviteiten, met hun hoge Q-factoren en kortere carriertijd, maken ze tot een uitstekende keuze voor het minimaliseren van verliezen en het verbeteren van de prestaties van de laser. Dergelijke geavanceerde ontwerpen stellen onderzoekers in staat de drempel voor oscillatie verder te verlagen, wat de ontwikkeling van compacte, krachtige Raman-siliciumlasers voor diverse toepassingen mogelijk maakt.
Naast de bovengenoemde factoren is het ook belangrijk om te begrijpen dat de integratie van dergelijke lasertechnologieën in op silicium gebaseerde geïntegreerde opto-elektronische schakelingen belangrijke implicaties heeft voor de toekomst van zowel communicatie- als sensortechnologieën. De miniaturisatie en drempelverlaging van deze lasers kan de weg banen voor hun gebruik in microchips, waar ze mogelijk kunnen bijdragen aan de ontwikkeling van sneller werkende en energiezuinigere systemen.
Hoe de Optische Bistabiliteit van Koolstofnanobuizen kan worden Aangetoond door Moleculaire Adsorptie en Desorptie
De optische bistabiliteit, geïnduceerd door moleculaire adsorptie en desorptie, biedt fascinerende inzichten in de dynamiek van koolstofnanobuizen (CNTs). Dit fenomeen is met name van belang voor toepassingen in optische geheugenopslag en geavanceerde nanotechnologieën. De aanwezigheid van optische bistabiliteit kan worden waargenomen wanneer een nanotube twee verschillende emissietoestanden kan aannemen onder dezelfde excitatiecondities. Dit werd vastgesteld door metingen van de energie-afhankelijkheid van de excitonresonantie, die verschuift door wateradsorptie. De verandering in de emissiespectra kan worden verklaard door een hysterese die optreedt bij het wisselen tussen deze toestanden, wat wijst op de invloed van moleculaire adsorptie en desorptie.
De nanotubes vertonen hysterese die te wijten is aan de verschillend verhitte toestanden van de nanotube tijdens de adsorptie- en desorptiecycli van moleculen. De resonantie van de .E22-energie verschuift tijdens deze fasen, wat resulteert in verschillende drempelvermogens voor het bereiken van een bepaalde emissietoestand. De hysterese is het resultaat van het verschil in de efficiëntie van de laserverhitting tussen de twee toestanden, de geadsorbeerde en de gedesorbeerde toestand. Dit betekent dat, wanneer de nanotube in een gedesorbeerde toestand verkeert, de efficiëntie van de laserverwarming aanzienlijk toeneemt, wat leidt tot een abruptere verschuiving in de emissie-energie.
De experimenten met koolstofnanobuizen uitgevoerd op siliciumchips met vooraf gefabriceerde groeven hebben aangetoond dat bij een voldoende hoge excitatie-energie de nanotubes in staat zijn om meerdere emissietoestanden te vertonen, wat resulteert in optische bistabiliteit. Dit verschijnsel is enkel waarneembaar bij excitatie-energieën die aanzienlijk hoger zijn dan de excitonische absorptiepiek van de nanotubes. Gedetailleerde spectroscopie bij verschillende excitatievermogens toonde aan dat de moleculaire desorptie geleidelijk optreedt bij een verhoogd vermogen. Bij hogere verlichtingsintensiteiten resulteert dit in een abrupte verschuiving in de emissie van de nanotube, wat wijst op een sterke interactie tussen de moleculen die adsorberen op het oppervlak en de exciton-resonanties van de nanotube.
De hysterese die optreedt in deze systemen is afhankelijk van de mate van afstemming tussen de excitatie-energie en de energieniveaus van de nanotube. Bij een afstemming van -3 meV bijvoorbeeld, vertoont het emissiespectrum een continue verschuiving, wat duidt op een geleidelijke desorptie van de moleculen door de laseropwarming. Bij een grotere afstemming van +28 meV wordt de desorptie daarentegen abrupt, wat optische bistabiliteit veroorzaakt. Dit proces wordt gekarakteriseerd door een positieve feedback, waar de desorptie van moleculen de resonantie verschuift naar hogere energieniveaus, wat de verdere desorptie vergemakkelijkt en de nanotube naar een hogere temperatuurbronnenstatus duwt.
Belangrijk is de rol van de moleculaire adsorptie en desorptie bij het bepalen van de optische eigenschappen van de nanotubes. De mate van adsorptie heeft een aanzienlijke invloed op de emissie-eigenschappen van de nanotube, wat resulteert in verschillende thermische gedragingen en de daarbij horende spectrale verschuivingen. De verschuiving van de .E11- en .E22-energieniveaus bij desorptie zorgt voor veranderingen in de absorptie-efficiëntie, die op hun beurt invloed hebben op de optische prestaties van de nanotubes.
De hysterese in de optische signalen kan verder worden begrepen door te kijken naar de impact van de temperatuur van de nanotube. Hoe hoger de temperatuur, hoe breder de emissiepieken, wat een indicatie is van de opwarming van de nanotube. Dit fenomeen is belangrijk voor toepassingen in optische geheugentechnologie, waar de mogelijkheid om gegevens te schrijven en te wissen afhankelijk is van deze thermische veranderingen in de nanostructuur van de koolstofnanobuizen.
Om deze effecten te benutten, is het essentieel dat de experimenten met koolstofnanobuizen op een nauwkeurige manier worden uitgevoerd, waarbij de afhankelijkheid van de spectrale verschuivingen ten opzichte van de excitatievermogens en afstemmingen goed wordt gedocumenteerd. De rol van de moleculaire omgeving, zoals het type adsorberende moleculen, moet ook worden onderzocht, aangezien verschillende moleculen verschillende effecten kunnen hebben op de optische eigenschappen van de nanotubes.

Deutsch
Francais
Nederlands
Svenska
Norsk
Dansk
Suomi
Espanol
Italiano
Portugues
Magyar
Polski
Cestina
Русский