L'étude des anneaux quantiques (AQs) soumis à des champs électromagnétiques a conduit à des découvertes intéressantes sur leur comportement sous l'influence de divers types de potentiels externes. Une configuration courante consiste à analyser un anneau quantique en présence de fils chargés placés à une distance déterminée du centre de l'anneau. La géométrie de ce système est simple mais offre des perspectives complexes sur le comportement des électrons dans le contexte des champs électriques et magnétiques.
Prenons un exemple où les fils chargés sont positionnés symétriquement par rapport à l'anneau, et leurs densités de charge sont différentes. L’anneau est supposé être infiniment fin, une approximation qui reste valable lorsque le rayon moyen de l'anneau est largement supérieur à sa largeur et à sa hauteur. Dans ce cadre, la fonction de Hamiltonien dimensionnelle du système, en utilisant l'approximation de la masse effective, est donnée par l'équation suivante :
où représente le potentiel externe qui varie selon la position angulaire sur l'anneau. La forme de ce potentiel est influencée par la distribution de charge sur les fils et leurs positions respectives. Chaque fil génère un potentiel électrostatique qui se manifeste le long de l'anneau, et il peut être calculé en utilisant les densités de charge linéaires et , ainsi que les distances et des fils par rapport au centre de l'anneau.
L’impact de ces potentiels externes sur les électrons dans l'anneau peut être décomposé en termes de deux effets principaux : un terme constant qui influence globalement l'énergie des électrons, et un terme oscillatoire, qui dépend de la position angulaire et peut introduire des modulations dans le spectre d'énergie de l'anneau. Cette modulation est particulièrement significative lorsque les asymétries, représentées par le paramètre , sont présentes. Le paramètre modifie la manière dont les états d'énergie sont distribués, créant un double puits quantique (DPQ) dans l'anneau, avec des niveaux d'énergie qui se forment à des positions spécifiques de l'anneau.
Il est essentiel de noter que l'addition d'un potentiel externe modifie la symétrie du système. Alors que les états d'énergie des anneaux quantiques sans potentiel sont caractérisés par un moment angulaire discret, l'introduction du potentiel brise cette symétrie axiale, rendant le nombre quantique obsolète. Au lieu de cela, les états sont maintenant représentés comme des combinaisons linéaires de fonctions d'ondes exponentielles, et les solutions aux équations de Schrödinger doivent tenir compte des perturbations introduites par les potentiels externes.
L’une des découvertes importantes dans cette configuration est la formation de solutions de double puits quantiques (DPQ) dans l’anneau, qui peuvent être contrôlées par les tensions appliquées aux fils. Cela permet de contrôler les niveaux d'énergie à l'aide de paramètres facilement modulables, tels que la force du potentiel et l’asymétrie , tout en maintenant les paramètres spatiaux fixes. L’étude des énergies de ces systèmes révèle que pour des valeurs petites de , la séparation énergétique entre l'état fondamental et l'excitation la plus basse peut être exprimée de manière perturbative via la théorie de Rayleigh-Schrödinger, fournissant une approche pratique pour analyser ces systèmes.
Les résultats des simulations numériques et des équations analytiques montrent que le paramètre joue un rôle crucial dans la détermination de la position des minima du double puits quantique. Plus précisément, modifie la forme et la profondeur des puits, ce qui permet un contrôle précis des états d'énergie dans le système. Ce contrôle est essentiel pour les applications potentielles de ces systèmes dans les domaines de la computation quantique et des capteurs quantiques.
Cependant, malgré la possibilité de manipuler ces systèmes, il est important de comprendre que le contrôle précis de la configuration géométrique et des densités de charge reste un défi majeur. Les asymétries dans les positions des fils ou dans leurs densités de charge peuvent dévier du modèle idéal, affectant les résultats expérimentaux. Par conséquent, bien que les théories proposées soient robustes, elles doivent être considérées avec précaution lorsqu’elles sont appliquées à des systèmes réels où ces imperfections peuvent influencer les résultats.
Le contrôle fin du paramètre permet de réduire la sensibilité du système aux variations géométriques, ce qui est un atout pour la stabilité des états quantiques dans ces dispositifs. Pour des valeurs suffisamment élevées de , les états d'énergie finissent par devenir presque dégénérés, et l'évolution des niveaux d'énergie devient de plus en plus faible à mesure que l’asymétrie augmente.
Comment la dynamique des anneaux supraconducteurs peut-elle affecter la performance des résonateurs et des matériaux métamorphiques ?
L'étude des structures supraconductrices multiplement connectées, en particulier des anneaux supraconducteurs, suscite un véritable intérêt académique depuis plusieurs décennies. Ce phénomène est en grande partie motivé par la quantification du flux dans ces structures, qui définissent deux régions distinctes de l'univers, séparées par un espace physique dans lequel le flux magnétique reste exclu. La découverte de cette propriété au cours des années 1960, avec la publication de deux travaux pionniers, a marqué un tournant dans la compréhension de ces systèmes. Ces premières recherches ont mis en évidence qu'un courant persistant dans un anneau unidimensionnel représente un état métastable, tandis que l'état fondamental correspond à une absence de courant supraconducteur. Les fluctuations topologiques, tant en phase qu'en amplitude, permettent de comprendre pourquoi l'état métastable se dégrade pour aboutir à un état de plus faible énergie libre.
Le phénomène des "phase slips", ou glissements de phase, en particulier les glissements thermiques et les glissements quantiques de phase, est au cœur de la dynamique des anneaux supraconducteurs. Ces phénomènes peuvent être thermiquement induits ou résulter d’un tunnel quantique de la phase. Ils sont observés lorsque l'anneau est soumis à un champ magnétique externe croissant. À faible champ, le flux magnétique est exclu de l’intérieur de l’anneau, mais à partir d’un certain champ critique, appelé champ de phase-slip, des événements de glissement de phase permettent au flux magnétique de pénétrer l’anneau tout en garantissant la quantification du flux. Ce comportement se manifeste par des oscillations périodiques, connues sous le nom d'oscillations de Little-Parks, dont l’amplitude varie en fonction du flux magnétique appliqué.
Lorsqu’un anneau est exposé à un champ magnétique à des températures proches de la température critique, ces oscillations peuvent se traduire par des minima de résistance lorsque le flux traversant l'anneau est égal à des multiples impairs du quantum de flux magnétique. Cette dynamique est expliquée par la théorie de Ginzburg-Landau et peut être observée dans des anneaux supraconducteurs à faibles températures, où la réponse devient semblable à celle d’un dispositif SQUID (Dispositif Supraconducteur à Interférence Quantique), mais avec une irréversibilité marquée. Un phénomène intermédiaire, dans lequel l'anneau est traversé par une région normale, a également été prédit pour de tels systèmes.
Si l’on considère des anneaux plus larges, approchant une géométrie cylindrique, d'autres phénomènes entrent en jeu. Dans ce cas, la nucléation de vortex peut se produire dans les parois minces si la largeur de l’anneau est supérieure à un seuil critique. Les vortex peuvent être piégés dans la largeur de l’anneau, ce qui influence directement la dynamique des oscillations de Little-Parks et la réponse du système. En outre, pour des anneaux supraconducteurs ayant des parois plus larges, il est nécessaire de prendre en compte le modèle d'état critique, qui décrit la distribution inhomogène des vortex. Ce modèle devient crucial lorsque des centres de fixation sont présents, permettant ainsi d'expliquer la configuration observée des vortex et leur impact sur la performance du matériau.
Les effets thermomagnétiques, tels que les éclats de flux semblables à des éclairs, sont également un aspect important du comportement des anneaux supraconducteurs macroscopiques. Lorsqu’un flux magnétique est injecté dans un anneau supraconducteur, une instabilité thermomagnétique peut entraîner l’apparition de ces éclats de flux le long des trajets chauffés, phénomène qui mérite une attention particulière car il peut affecter la performance des résonateurs supraconducteurs, des systèmes de blindage et des matériaux métamorphiques. Ces phénomènes sont encore plus marqués lorsque l'anneau est confronté à des conditions de température proches de la température critique, où les fluctuations thermiques sont plus intenses.
L'injection de flux magnétique dans un anneau supraconducteur, bien qu’intrinsèquement liée aux propriétés fondamentales du matériau, dépend également de paramètres comme la géométrie de l’anneau et les conditions d'application du champ magnétique. À des températures basses, ce phénomène devient particulièrement pertinent pour la conception de dispositifs supraconducteurs destinés à des applications sensibles telles que les résonateurs de haute précision. La capacité à contrôler ces phénomènes peut mener à des avancées importantes dans la conception de matériaux métamorphiques, utilisés dans des technologies de pointe comme les détecteurs ou les systèmes de communication quantique.
Dans les systèmes supraconducteurs macroscopiques, la gestion des flux magnétiques, la dynamique des vortex et la compréhension des transitions thermomagnétiques sont essentielles pour optimiser la performance des dispositifs, en particulier dans le cadre de l’utilisation de structures supraconductrices en tant que matériaux métamorphiques ou dans des applications où des résonateurs de haute performance sont requis.
Comment les Avalanches Magnétiques dans les Superconducteurs Révèlent un Phénomène de "Foudre Magnétique"
Les phénomènes de type avalanche magnétique dans les superconducteurs présentent des caractéristiques étonnamment similaires à celles des décharges électriques, comme les éclairs. Ce processus dynamique se produit lorsqu’un flux magnétique est injecté dans un matériau supraconducteur. Cette injection peut se produire de manière progressive par l'injection de petits faisceaux de vortex ou via des avalanches brusques, capables d’injecter une grande quantité de vortex en une seule fois, créant un phénomène comparable à une décharge électrique. Cette dynamique de flux magnétique dans les matériaux supraconducteurs a des implications profondes sur leur comportement et sur la compréhension de leur état hors équilibre.
Dans certains régimes, il existe une température intermédiaire où ces deux mécanismes de flux coexistent. À mesure que la température augmente, la taille des avalanches diminue progressivement, ce qui conduit à une courbe B(H) presque continue. Ce phénomène a été mis en lumière par des études expérimentales, bien que des limitations des capteurs Hall utilisés ne permettent pas de dévoiler les détails fins du processus d’injection de flux. Des avancées récentes, comme celles réalisées par Olsen et al., ont permis de visualiser ces phénomènes à grande échelle grâce à des images magnéto-optiques dans des anneaux de MgB2. Les anneaux étudiés étaient de taille nettement plus grande que ceux utilisés dans des études précédentes, permettant ainsi d’observer des structures de démagnetisation et des pics de champ magnétique aux bords intérieur et extérieur du matériau, facilitant ainsi l’injection de vortex et d’antivortex.
À des températures basses, des avalanches dendritiques magnétiques émergent à partir des bords extérieurs de l’anneau, et se propagent brusquement en profondeur, bien qu’elles n’atteignent pas nécessairement l’ensemble de l’anneau. Ces structures de type "dendrite" déclenchent parfois des antivortex qui se déplacent dans la direction opposée, rétrécissant ainsi les trajectoires des vortex et conduisant à une forme de propagation inversée de l’énergie. Ce phénomène rappelle l’évolution d’un éclair, où une décharge négative s’abaisse et provoque un éclair positif remontant, rétablissant ainsi un canal hautement conducteur entre le sol et le nuage. Si les avalanches magnétiques dans les supraconducteurs peuvent être vues comme une "foudre magnétique", elles correspondent à un relâchement de pression magnétique plutôt qu’à un échange de charges électriques.
Les chercheurs ont également observé que, lorsque le champ magnétique est encore plus élevé, des perforations apparaissent dans les anneaux, marquées par l'injection directe de flux dans la zone centrale de l’anneau. Ce phénomène, surnommé "perforation magnétique", conduit à une inversion de la direction du courant au niveau du bord intérieur de l’anneau. À mesure que ces perforations se répètent, la densité de flux moyenne augmente, inversant la polarité du champ magnétique à l'intérieur et bloquant ainsi la formation de nouveaux antivortex. Cette dynamique permet de comprendre l'impact du champ magnétique sur la structure même du supraconducteur, menant à une recomposition des trajectoires de flux et de la polarité magnétique.
Dans ce contexte, la vitesse de propagation des avalanches peut atteindre des valeurs de l’ordre de 10 à 100 km/s, avec un temps de croissance de 10 à 100 nanosecondes. Ce phénomène est associé à une augmentation locale de la température pouvant atteindre jusqu’à 2,5 fois la température critique Tc, un facteur qui soulève des questions sur la nature exacte de l’interface entre l'état normal et supraconducteur. En effet, ces fronts de propagation semblent résulter de la déstabilisation rapide du vortex dans le matériau, ce qui remet en cause les termes utilisés comme "avalanches de vortex", soulignant que la dynamique de ces phénomènes est bien plus complexe et implique des interfaces thermomagnétiques.
Les résultats de certaines recherches supplémentaires sur des bandes supraconductrices ont montré que l’activité des avalanches et leur taille étaient progressivement supprimées à mesure que la largeur de la bande diminuait, et disparaissaient complètement en dessous d’une certaine valeur seuil. Cependant, cette suppression ne s’appliquait pas aux anneaux supraconducteurs, où l’injection de flux reste possible, peu importe la taille du système, tant que le champ magnétique pénètre par un seul côté. Ce phénomène souligne l'importance de la configuration géométrique du supraconducteur pour comprendre comment et pourquoi les avalanches peuvent se produire dans certains cas mais pas dans d'autres.
Enfin, l'étude de l'injection quasi-périodique de flux magnétique dans des anneaux de supraconducteurs, comme cela a été présenté dans diverses expériences récentes, montre un comportement graduel dans lequel chaque étape correspond à une avalanche distincte. Cette injection de flux se caractérise par une série de ruptures magnétiques qui permettent de mieux comprendre l'évolution du flux à mesure que le champ appliqué augmente. À température élevée, on observe un comportement linéaire de l'augmentation du champ magnétique, tandis qu’à température basse, des comportements plus complexes et discontinus, sous forme d’avalanches successives, apparaissent, marquant un changement fondamental dans le mécanisme d’injection du flux.
Les anneaux quantiques : Structure, moments magnétiques et applications dans les technologies quantiques
L'examen détaillé de la structure et de la composition des anneaux quantiques (QRs) est essentiel pour comprendre leurs propriétés magnétiques et électroniques. Les moments magnétiques associés aux QRs sont un phénomène complexe, mais leur origine fondamentale peut être identifiée même dans des modèles simplifiés. Pour les hétérostructures semi-conductrices, le moment magnétique décrit la réponse linéaire de l'état électronique à un champ magnétique appliqué. Cette interaction magnétique est intrinsèquement liée aux états propres de la structure en l'absence de champ magnétique, ce qui rend essentiel l'étude de ces états propres pour comprendre le comportement magnétique des QRs.
Dans les semi-conducteurs massifs, les moments magnétiques élevés proviennent généralement des courants orbitaux spin-corrélés, induits par l'interaction spin-orbite. Ces courants sont fondamentalement des courants orbitaux dissipationnels, bien que leur trajectoire soit contrainte par l'orientation du spin de l'état électronique à cause de l'interaction spin-orbite. Les structures de ces courants ont été modélisées numériquement et analytiquement pour diverses hétérostructures symétriques (sphériques ou cylindriques) à base de III-V. Les courants orbitaux spin-corrélés présentent des maxima à des positions spécifiques dans la structure, généralement au milieu entre le centre et le bord, suivant un axe perpendiculaire à l'orientation du spin.
Cependant, dans les QRs, deux zones distinctes présentent des courants maximaux, avec des directions opposées. Cela indique que la différence entre les rayons extérieur et intérieur des QRs joue un rôle déterminant dans le moment magnétique global des spins. La manière dont ces courants interagissent au sein des QRs est fondamentale pour la conception de dispositifs quantiques et pour l'optimisation des propriétés magnétiques des nanostructures.
Une des applications les plus prometteuses des nanostructures quantiques est leur capacité à générer des paires de photons polarisés intriqués, utilisés dans les technologies quantiques. La formation d’un biexciton, qui mène à une séquence de recombinaison appelée cascade de biexcitons, peut produire deux photons polarisés qui sont entremêlés. Toutefois, l'ordre dans lequel ces photons sont émis peut être aléatoire. Si les configurations intermédiaires des excitons simples ne sont pas dégénérées, les deux photons peuvent être distingués par leur couleur, ce qui détruit l'entrelacement nécessaire pour les technologies quantiques. Ainsi, la séparation énergétique entre les deux excitons, appelée éclatement de la structure fine (FSS), est un paramètre crucial à évaluer. Cette situation est compliquée par l'existence de deux types d'excitons appelés "brillants" et "sombres", séparés par un éclatement supplémentaire appelé "Dark-Bright Splitting" (DBS).
Le rôle de la symétrie de la nanostructure dans la FSS est fondamental. Une réduction de la symétrie d'un modèle carré (C4v) à un modèle asymétrique (C2v) combinée à l'interaction d'échange électron-trou génère la principale source de cette séparation. De manière inattendue, des travaux ont montré qu’il existe une annulation entre plusieurs termes qui contribuent à la FSS : le mélange des bandes, le dipôle électrique, et l'échange de court portée. Ce phénomène, souvent observé dans des nanostructures particulièrement asymétriques, peut entraîner une réduction quasi-nulle de l'éclatement de la structure fine.
En ce qui concerne la caractérisation expérimentale, l'effet Stark vertical des excitons confinés dans les QRs a montré des moments dipolaires relativement grands, de signe opposé par rapport aux points quantiques. Des mesures par microscope à effet tunnel à balayage (X-STM) ont permis d'étudier la géométrie et la composition des QRs à l’échelle atomique, en révélant des informations sur leur taille, forme, et asymétrie. Les images obtenues ont montré que les îles de type QR, bien que de forme annulaire à la surface, possédaient des structures en forme de cratère une fois encapsulées. Ces cratères ont une taille et une hauteur plus grandes que les structures visibles en AFM, expliquant ainsi certaines divergences entre les mesures théoriques et expérimentales du rayon électronique et du moment dipolaire des QRs.
Les mesures de diffraction aux rayons X et de microscopie à force atomique (AFM) ont confirmé que ces nanostructures possédaient une taille plus petite et une hauteur plus grande que les îles visibles en surface. L'assimilation de ces résultats avec les modèles théoriques permet de mieux comprendre l’évolution de la forme et de la structure des QRs, influençant directement leurs propriétés électroniques et magnétiques. L’asymétrie observée dans la diffusion du matériau de dot dans la direction [1.1̄ 0] peut être attribuée à une diffusion préférentielle qui crée un contraste visible entre les axes courts et longs des structures annelées.
L'application des QRs dans les dispositifs technologiques, en particulier pour les photons intriqués et les applications de stockage et traitement de l'information quantique, est un domaine en pleine expansion. Les propriétés magnétiques et électroniques de ces nanostructures doivent être comprises en profondeur afin d’optimiser leur utilisation dans des systèmes quantiques avancés, où la cohérence des états quantiques et la génération de photons intriqués jouent un rôle clé. Ces dernières avancées ouvrent la voie à des dispositifs de communication quantique et de calcul quantique, dans lesquels les QRs pourraient offrir des avantages décisifs.
Comment se forment les nanostructures induites par contrainte dans le mode S–K et quelles sont leurs propriétés optoélectroniques ?
Pour obtenir la formation de nanostructures induites par contrainte selon le mode Stranski-Krastanov (S–K), une phase liquide non dopée mais sursaturée en antimoine et en phosphore a été utilisée, assurant un désaccord de réseau allant jusqu’à 4 % entre le substrat et la couche mouillante quaternaire. Cette sursaturation modérée est obtenue par une légère diminution de la température initiale de croissance de 0,5 °C avec une rampe thermique plus lente. Avant l’introduction dans le creuset de croissance par épitaxie par phase liquide (LPE), la surface épirready du substrat est traitée par une attaque chimique dans un mélange CH3OH : Br2 = 4 : 1 pendant trois secondes. Ce procédé, largement reconnu pour le polissage des substrats InAs, génère des lignes d’escalier (step-lines) ordonnées selon l’orientation cristallographique [010], du fait de la nature anisotrope du taux d’attaque.
Ces lignes d’escalier façonnent thermodynamiquement les sites préférentiels de nucléation des points quantiques (QDs), favorisant ainsi leur organisation et leur ordre spatial. L’imagerie par microscopie à force atomique (AFM) révèle la morphologie typique de la surface traitée et des structures de QDs formées par la phase liquide quaternaire In-As-Sb-P, disposées en chaînes le long de la direction [010]. La densité moyenne des QDs varie entre 5 et 7 × 10^9 cm^−2, avec des hauteurs et largeurs respectives comprises entre 3 et 10 nm, et 20 à 50 nm. La distribution en hauteur des QDs suit une loi gaussienne avec une largeur à mi-hauteur de 4 nm.
Une analyse AFM plus fine dévoile une structuration complexe des chaînes coopératives de QDs (CQDCs) : celles-ci comprennent une sous-chaîne centrale de QDs couplés, entourée de « feuilles » nanoscopiques. Cette configuration s’apparente à une molécule de QDs formée de quatre QDs couplés, évoquant une « dent de sagesse » comme motif élémentaire de la sous-chaîne centrale. La largeur totale de ces chaînes atteint environ 120 nm, avec des longueurs allant de 2 à 5 µm, et un espacement entre QDs de 40 nm environ. Les nanofeuilles ont un diamètre moyen de 20 nm.
L’étude spectroscopique par transformée de Fourier dans l’infrarouge (FTIR) à température ambiante met en évidence un décalage vers le rouge du bord d’absorption, passant de 3,45 µm (substrat de référence) à 3,87 µm pour les CQDCs, ainsi qu’un léger élargissement du spectre vers des longueurs d’onde plus courtes. Ce décalage, également observé dans des structures similaires de QDs InAsSb/InAsP, indique une modification substantielle des propriétés optiques due à la complexité structurale et à l’interaction quantique entre les QDs couplés.
Ces structures, après la formation de contacts ohmiques adaptés, peuvent être exploitées comme cellules photoconductrices (PCC) ou photodétecteurs dans la région spectrale du moyen infrarouge, zone d’importance capitale pour les applications en nanophotonique. Le couplage quantique et les interactions physiques inédites au sein des CQDCs confèrent à ces nanostructures non seulement des performances optoélectroniques améliorées mais aussi des propriétés magnétiques singulières, suggérant leur potentiel pour des dispositifs tels que les magnétorésistances à points quantiques.
Deux types de photodétecteurs dans le moyen infrarouge (3–5 µm) ont été réalisés pour l’investigation : une cellule photoconductrice sur substrat InAs non dopé avec des QDs en forme de lentilles non encapsulées, et une hétérostructure diode n-InAs/p-InAsSbP avec QDs incorporés dans la région de charge spatiale de la jonction p–n. Dans le second cas, les QDs ont été nucléés à température constante, suivie de la croissance d’une épaisseur épitaxiale dopée par un procédé en deux étapes utilisant deux phases liquides successives. Les contacts ohmiques en Au(Ge)/Cr, obtenus par évaporation sous vide et recuit thermique, garantissent un flux de courant homogène.
Les images en microscopie électronique à haute résolution (HR-SEM) et en microscopie électronique en transmission (TEM) confirment la structure épitaxiale et l’incorporation des QDs dans la diode. La caractérisation optoélectronique, par mesures de photo-réponse à température ambiante avec diverses longueurs d’onde d’excitation, montre que la cellule PCC sur substrat InAs non dopé présente un pic unique correspondant à la transition bande-à-bande de l’InAs. En revanche, la cellule contenant les QDs exhibe plusieurs pics, avec des décalages vers des longueurs d’onde plus longues attribués à l’absorption par les QDs.
L’importance de ces résultats réside dans la capacité à moduler les propriétés optiques et électroniques par la structuration précise des nanostructures induites par contrainte, permettant un contrôle fin des transitions électroniques dans le moyen infrarouge. Cette maîtrise ouvre la voie à des dispositifs optoélectroniques à hautes performances, exploitant les effets quantiques et la complexité structurale pour des applications avancées en détection infrarouge et nanophotonique.
Il convient également de considérer les implications thermodynamiques et cinétiques de la croissance LPE dans la formation des CQDCs, notamment le rôle crucial des lignes d’escalier issues de l’attaque chimique, qui dirigent l’organisation spatiale des QDs. La compréhension fine de ces mécanismes permettra d’optimiser la synthèse et la reproducibilité des nanostructures. Enfin, la nature quaternaire du système InAsSbP offre un potentiel supplémentaire pour l’ingénierie des bandes interdites et la personnalisation des propriétés optiques, au-delà des systèmes ternaires classiques.
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