Les amplificateurs à rétroaction par porte arrière (back-gate feedback) présentent une architecture complexe, mais particulièrement intéressante pour optimiser les performances des circuits intégrés. L'une des principales caractéristiques de ce type d'amplificateur réside dans sa capacité à tirer parti de la transconductance de la porte arrière en combinaison avec des structures de transistor spécifiques, offrant ainsi des avantages en termes de gain, linéarité et consommation d'énergie. Toutefois, la compréhension des effets de la capacitance du puits (Cwell) et de la variation du gain-bande passante (GBW) en fonction de la taille de l'amplificateur est cruciale pour exploiter pleinement ces avantages.

Le concept de rétroaction par porte arrière repose sur l’utilisation de la transconductance à faible signal de la porte arrière. Ce principe est mis en œuvre dans des structures de transistors telles que les dispositifs flip-well, où un NFET est positionné dans un N-well et un PFET dans un P-well. Dans un amplificateur basé sur un inverseur, la topologie permet de maximiser l’efficacité de la transconductance, bien que l'ajout de la capacitance de puits puisse affecter les performances globales. La capacité de puits, formée par la diode inverse puits-substrat, agit comme une charge capacitive supplémentaire (Cwell) sur l'amplificateur. Cependant, son impact sur la bande passante est limité tant que la capacité de charge (CL) reste significativement plus grande que Cwell. Pour des appareils plus grands, Cwell reste relativement faible, soit environ 0,15 fois Cgg, ce qui signifie que l'effet de cette capacitance est négligeable. Toutefois, cette relation change lorsque la taille de l'amplificateur devient très petite, augmentant ainsi l'effet de la capacitance du puits, ce qui peut entraîner une réduction du produit gain-bande passante (GBW), comme observé dans les simulations normalisées pour des amplificateurs avec une largeur inférieure à 1-2 µm.

Les résultats expérimentaux obtenus avec un prototype basé sur la technologie FD-SOI (Fully Depleted Silicon On Insulator) en 22 nm confirment ces phénomènes. Dans ce prototype, les amplificateurs sont construits à partir de dispositifs slvtnfet/slvtpfet (où le NFET se trouve dans un N-well et le PFET dans un P-well), et les résultats montrent des gains proches de ceux prédits par la simulation. Le prototype démontre également une amélioration de l’efficacité de la transconductance par rapport aux structures classiques à porte avant (front-gate). En outre, il a été constaté que la rétroaction par porte arrière applique un biais de corps statique aux transistors, influençant ainsi la tension de seuil des dispositifs. Toutefois, dans cette structure basée sur un inverseur, les effets de ce biais sont relativement équilibrés entre les dispositifs NFET et PFET, ce qui fait que l'impact global sur la transconductance de l'amplificateur reste faible, avec seulement une variation de 3 % par rapport à la valeur sans biais de corps.

L’analyse des résultats de mesures sur le prototype montre que le gain et la linéarité de l’amplificateur sont relativement constants sur une large gamme de longueurs de canal, variant de 19 à 22 dB pour des longueurs de canal allant de 40 à 1000 µm. Ce gain, en particulier pour les amplificateurs à rétroaction par porte arrière, s'améliore avec l'augmentation de la longueur du canal en raison d'un gain intrinsèque plus élevé, ce qui mène à un gain de boucle plus important. En termes de consommation d’énergie, les amplificateurs à porte arrière consomment environ 1,08 fois moins d’énergie que leurs homologues à porte avant, un résultat attendu en raison de la structure plus simple de la porte arrière, mais aussi de la réduction du nombre de doigts de transistors nécessaires à la même efficacité.

Cependant, malgré les performances améliorées, les résultats expérimentaux révèlent que les amplificateurs à rétroaction par porte arrière souffrent d’une plus grande variation de gain par rapport aux modèles simulés. Le coefficient de variation (CV), qui mesure cette variation, est d'environ 0,8–0,9 % pour les amplificateurs à porte arrière, tandis que la variation des amplificateurs à porte avant suit de plus près les résultats simulés. Cette différence suggère que la principale source de dégradation des performances pourrait être liée à des erreurs dans les modèles de fabrication, comme l'inclusion d’effets non modélisés sur les transconductances des transistors. Bien que la variation de gain soit plus importante que prévu, elle reste toutefois bien inférieure à celle observée pour les amplificateurs à porte avant, ce qui souligne l'avantage potentiel de la rétroaction par porte arrière en termes de stabilité du gain.

Linéarité et conformité des performances avec les simulations sont également des aspects cruciaux. Les amplificateurs à rétroaction par porte arrière montrent une linéarité relativement constante jusqu’à des tensions d’alimentation assez faibles, ce qui est un avantage notable pour des applications nécessitant une réponse linéaire dans des plages de fonctionnement étroites. Toutefois, comme avec tous les circuits intégrés, il est nécessaire de prendre en compte l'impact des variations de tension d'alimentation et d'autres paramètres environnementaux, qui peuvent affecter les performances globales des amplificateurs.

En conclusion, la rétroaction par porte arrière, bien que prometteuse, introduit des défis spécifiques liés à la gestion de la capacitance du puits et à la variation de gain dans les amplificateurs à petite échelle. Les résultats expérimentaux et les simulations montrent que ce type d’amplification offre une bonne efficacité en termes de transconductance et de consommation d’énergie, mais des améliorations restent nécessaires pour optimiser la stabilité du gain et minimiser les erreurs dues aux variations de fabrication.

Comment la linéarisation de la transconductance améliore les amplificateurs à rétrocontrôle actif de porte arrière

Les dispositifs d'entrée sont conçus comme des répliques du transconducteur principal. Une topologie en cascode replié est utilisée pour garantir une marge de tension suffisante pour le swing de sortie de l'amplificateur. Ici, le gain est réglé à l’aide d’un transistor de charge à diode connectée, afin d'assurer un réglage robuste de la valeur du gain de l'amplificateur. La sortie de l'amplificateur est couplée en AC. Cela sert à deux fins : premièrement, la tension de polarisation de la porte arrière peut être réglée librement pour appliquer une polarisation directe complète, réduisant ainsi la tension de seuil pour les paires d'entrée principales. Deuxièmement, le bruit à basse fréquence (bruit 1/f) n’est pas injecté dans la paire principale, ce qui n’altère pas les performances, car, comme la variation de VGS dépend de la fréquence, la linéarisation n’est pas nécessaire pour des tensions d'entrée continues où le suivi est parfait.

Le circuit a été implémenté dans un processus CMOS FD.FSOI de 22 nm. Les spectres des mesures, comme le montre la Fig. 2.15, prouvent l'efficacité du concept de linéarisation. En activant l'amplificateur AB, la linéarité IM3 s'améliore de plus de 27 dB près du bord de bande de 220 MHz. La robustesse du concept est illustrée par la Fig. 2.16, où seule une dégradation de 3 dB d'IM3 est observée pour un changement de gain de 10%. La résilience est prouvée par les mesures IM3 pour plusieurs échantillons de puces.

La linéarisation de la transconductance utilisant l'injection active de signal d'entrée de porte arrière peut compenser efficacement la non-linéarité dans la courbe de transfert V/I des paires différentielles. Cela est réalisé en faisant correspondre les gradients des courbes de gm de la porte avant et arrière afin d'annuler leur dépendance au signal d'entrée. Le principe de fonctionnement du concept est montré par des polynômes simples et prouvé par une analyse du modèle carré de loi, où l'efficacité de la typologie peut être quantifiée. En fin de compte, un exemple de conception dans un modulateur delta-sigma continu (CT-SDM) prouve à la fois la robustesse et la faisabilité de la linéarisation.

Ce concept permet de conserver les avantages des implémentations simples d'OTA à alimentation directe, tels que la charge d'entrée purement capacitive et haute impédance ainsi qu’une excellente efficacité énergétique. Alternativement, le concept peut être appliqué à d'autres topologies de transconducteurs pour atténuer la distorsion non linéaire générée par les caractéristiques de conversion V/I des paires différentielles.

Il est également important de noter que cette approche permet d'optimiser le compromis entre la linéarité et l'efficacité énergétique, ce qui est essentiel dans les applications nécessitant une haute précision tout en minimisant la consommation d’énergie. Une gestion précise de la polarisation de la porte arrière contribue à une stabilité améliorée des performances du système, notamment dans des conditions variées, comme les changements de température ou les fluctuations de l’alimentation.

La linéarisation par rétrocontrôle de la porte arrière représente une avancée significative dans le domaine des amplificateurs et des circuits intégrés à faible consommation. Cependant, cette technique nécessite une gestion soignée des paramètres de conception, notamment la précision du réglage du gain et de la polarisation, afin de garantir la stabilité et la performance dans un large éventail de conditions d'exploitation.

Quelles sont les techniques d'amélioration de la linéarité dans les amplificateurs à rétroaction arrière (Back-Gate) ?

Les amplificateurs à rétroaction arrière, ou amplificateurs Back-Gate, se distinguent par leur architecture innovante qui repose sur l’utilisation de la rétroaction appliquée au substrat pour améliorer les caractéristiques de gain et de linéarité. Cette technique présente un intérêt particulier dans les circuits intégrés, notamment pour les applications à faible consommation énergétique et à haute fréquence, où la gestion de la distorsion non linéaire devient essentielle.

Le concept de rétroaction arrière repose sur l’utilisation du substrat (ou back-gate) pour moduler les caractéristiques de transconductance du transistor. En particulier, dans les technologies de semiconducteurs comme le FD-SOI (Fully Depleted Silicon On Insulator), la rétroaction peut être appliquée directement sur le dos du transistor, permettant de contrôler plus précisément ses performances en réponse aux variations du signal d’entrée. Ce procédé améliore la linéarité de l’amplification, réduisant ainsi les effets de distorsion de type harmonique.

L'un des principaux avantages de l’amplificateur à rétroaction arrière est sa capacité à maintenir une linéarité optimale sur une large gamme de fréquences. Traditionnellement, les amplificateurs utilisent des techniques de dégénération de source ou des paires différentielles pour compenser les non-linéarités, mais ces approches n’offrent pas toujours le même niveau de performance en termes de réduction de distorsion. En revanche, la rétroaction arrière permet de corriger efficacement la non-linéarité de l’amplificateur en temps réel, en fonction des variations du signal d’entrée.

L'architecture des amplificateurs à rétroaction arrière repose sur un modèle de rétroaction locale qui se distingue des méthodes classiques de linéarisation, telles que les approches basées sur la compensation passive ou la correction active en boucle fermée. Dans un amplificateur à rétroaction arrière, la rétroaction est directement appliquée au back-gate, ce qui permet une plus grande flexibilité dans le contrôle des paramètres de gain et de linéarité. Cette technique est particulièrement efficace dans les circuits à faible bruit, où la minimisation de la distorsion est cruciale.

Le diagramme de blocs de ce type d’amplificateur inclut des éléments essentiels pour garantir une rétroaction stable et efficace, notamment la source de courant, la résistance d'émission, et le circuit de contrôle de rétroaction qui ajuste la réponse dynamique de l'amplificateur. Il est également crucial de comprendre les interactions entre ces composants et leurs effets sur les performances globales du système. Dans certains cas, des compensations supplémentaires peuvent être nécessaires pour assurer la robustesse du circuit dans des conditions de température et de tension variables (PVT, Process-Voltage-Temperature).

En termes de performances, l’amélioration de la linéarité se reflète par une réduction significative du taux de distorsion harmonique totale (THD), ainsi qu’une augmentation du rapport signal à bruit (SNR). Ces améliorations sont visibles tant dans le domaine temporel que dans le domaine fréquentiel. Par exemple, en analysant la densité spectrale de puissance (PSD) du signal de sortie, il devient évident que la rétroaction arrière permet une diminution considérable des harmoniques non désirées, offrant ainsi une meilleure qualité de signal et un spectre de fréquence plus propre.

Cependant, l'application de cette technique n'est pas sans défis. L'un des principaux obstacles réside dans la gestion des effets parasitiques liés à la rétroaction du back-gate. Ces effets peuvent introduire des distorsions supplémentaires si le système n'est pas correctement conçu ou si les paramètres de rétroaction ne sont pas optimisés. Une autre difficulté potentielle est la gestion de la consommation énergétique dans les circuits hautement intégrés. Bien que les amplificateurs à rétroaction arrière permettent une meilleure linéarité, ils nécessitent un contrôle plus précis de l’alimentation et du découplage pour minimiser les risques de bruit et d’instabilité.

Dans les systèmes avancés, l’amplificateur à rétroaction arrière peut être intégré dans des structures plus complexes, comme les boucles de contrôle de fréquence ou les filtres sigma-delta (SDM). Dans ce contexte, l’amélioration de la linéarité joue un rôle clé dans la réduction du bruit de quantification et dans l’amélioration de la précision des signaux traités. La combinaison de ces amplificateurs avec d’autres techniques comme la modulation d'amplitude optique (OMA) ou la modulation d’amplitude à quatre niveaux (PAM-4) permet d'optimiser davantage les performances globales des systèmes de communication haute vitesse.

L’intégration de cette technologie dans des systèmes complexes comme ceux utilisés dans les réseaux de communication optiques ou les appareils de télécommunication sans fil exige également une attention particulière à la compatibilité de l’amplificateur avec les autres composants du système, notamment les modulateurs optiques, les amplificateurs de puissance, et les récepteurs. L'un des éléments essentiels à prendre en compte est la compatibilité entre la rétroaction arrière et les autres mécanismes de linéarisation présents dans ces systèmes, afin d'éviter des effets de distorsion croisés qui pourraient nuire à la qualité du signal.

Enfin, la fiabilité de ces amplificateurs dans des conditions variables de température et de tension est un aspect crucial. Les amplificateurs à rétroaction arrière doivent être conçus pour maintenir des performances stables même sous des conditions extrêmes. Le contrôle de ces paramètres à travers des algorithmes de compensation actifs ou des techniques de correction de l'impulsion du système peut considérablement améliorer la performance du circuit et sa tolérance aux variations de PVT.

Comment la technique de linéarisation par porte arrière peut-elle améliorer la précision des DACs à commande de courant?

Le système de linéarisation proposé pour les convertisseurs numériques-analogiques (DAC) à commande de courant repose sur l’utilisation d'une séquence binaire pseudo-aléatoire (PRBS) à faible taux de transition de bits pour générer des coefficients de covariance croisée. Le test est effectué avec une cellule d’essai, qui remplace temporairement l’une des cellules de pondération du DAC, permettant ainsi d'estimer les erreurs relatives au sein de chaque unité du DAC. L’approche s’articule autour d'une analyse minutieuse des variations de gain induites par ces erreurs, ce qui permet de corriger ces imperfections tout en maintenant la fonction de transfert du modulateur intacte.

L'objectif fondamental de cette méthode est d'effectuer des ajustements sur chaque cellule de pondération du DAC sans perturber la fonctionnalité du modulateur. À cet effet, le processus commence par la substitution d’une cellule de DAC par une cellule de test, ce qui permet de mesurer la covariance croisée entre le signal de test et la sortie du modulateur. Cette covariance fournit une estimation des erreurs présentes dans chaque cellule du DAC par rapport à une référence, notée wREF. Les erreurs estimées, souvent désignées par εi, permettent ensuite d’appliquer des corrections sur les poids numériques des cellules du DAC pour minimiser les écarts.

Le calcul des erreurs de chaque cellule DAC repose sur une analyse en domaine Z du signal de test et de la fonction de transfert du modulateur. L’équation de la covariance croisée, notamment l’expression de Sey(z), illustre comment les différences de gain dues aux erreurs de cellule peuvent être séparées de l'offset et d'autres distorsions, offrant ainsi une mesure plus précise des erreurs par rapport à une simple corrélation croisée.

Dans un contexte de linéarisation, il est crucial de sélectionner une cellule de référence, généralement la cellule dont la covariance croisée se rapproche le plus du point médian du spectre. Cette stratégie optimise la gamme de correction, tant pour les erreurs positives que négatives. Une fois cette cellule de référence déterminée, une série d’itérations est lancée pour ajuster chaque cellule DAC à l'aide de la méthode des moindres carrés ou par une recherche binaire dans l’espace des poids numériques du DAC.

Une partie importante de la stratégie repose sur la non-linéarité de l’AUXDAC, qui joue un rôle clé dans la correction des erreurs. Cette non-linéarité peut résulter de la granularité des erreurs des cellules et des variations aléatoires du DAC. Pour contrer cette non-linéarité, la résolution de l’AUXDAC est augmentée à 9 bits, afin de maintenir la linéarité de l’AUXDAC tout en assurant la précision de la correction des erreurs. En effet, même si l’AUXDAC est conçu pour une résolution de 8 bits, l’augmentation de sa résolution à 9 bits permet de mieux gérer les erreurs de gradient et les erreurs aléatoires dans le processus de correction.

Au-delà de l'aspect technique de la linéarisation et de la correction des erreurs, l'utilisateur doit bien comprendre l'importance de la précision dans les DACs. Cette approche garantit non seulement une correction des erreurs mais aussi une amélioration de la qualité du signal modifié, en minimisant les erreurs de gain qui seraient autrement amplifiées dans les systèmes à hautes performances. Il est essentiel de souligner que la linéarisation n'est pas seulement une méthode pour corriger des erreurs immédiates mais qu'elle sert également à améliorer l'efficacité énergétique, une caractéristique vitale dans la conception des systèmes modernes.

Cette méthode de linéarisation à porte arrière (back-gate) a été validée dans un prototype de modulateur CT Sigma Delta à 60MS/s, avec un objectif de réduction de distorsion et d’amélioration de la précision du signal. Ce modèle prototype démontre une efficacité accrue par l’introduction d’un retard d'excès dans la boucle de rétroaction, ce qui permet de mieux gérer les performances du SAR-ADC dans le processus de conversion.

L'une des caractéristiques essentielles de cette approche réside dans sa capacité à traiter les erreurs de manière discrète et systématique, tout en garantissant une stabilité dans le fonctionnement du modulateur et en maximisant les performances globales du DAC.

Comment concevoir un ADC Flash à haute vitesse utilisant une technique de génération de référence flash à base de conduction de bulk ?

Les convertisseurs analogiques-numériques (ADC) à haute vitesse, comme ceux utilisés dans des applications nécessitant des taux d'échantillonnage élevés et une bande passante étendue, constituent des défis de conception importants en raison des limitations de bruit et de distorsion. L'un des éléments clés dans ces ADC est le circuit de maintien et de suivi (T&H), qui joue un rôle essentiel dans la précision de l'échantillonnage, surtout à des fréquences d'entrée élevées. Dans le cadre de la conception d'un ADC Flash à haute vitesse, la réalisation d'un échantillonneur ultra-large bande (UWB T&H) est cruciale pour garantir une performance optimale à des fréquences d'échantillonnage aussi élevées que 74 GS/s.

L'échantillonneur UWB T&H, avec un taux d'échantillonnage de 18,5 GS/s, est destiné à être utilisé dans un ADC Flash intercalé à quatre voies (4X-TI) afin d'atteindre un taux d'échantillonnage cible de 74 GS/s pour un récepteur à bande W. Ce récepteur reçoit des signaux convertis dans la bande IF (fréquence intermédiaire) ayant une largeur de bande de 1 à 36 GHz. Dans ce contexte, l'échantillonnage à un taux de 74 GS/s est nécessaire pour un convertisseur analogique-numérique basé sur la bande de base. Le but est de garantir un ENOB (Effective Number of Bits) total supérieur à 4,5 bits pour l'ADC de base, incluant l'UWB T&H et un ADC Flash à 5 bits.

Une première étape dans la validation de la performance de l'UWB T&H consiste à fabriquer et caractériser une puce de test en tant que simple échantillonneur avant la conception de l'ADC Flash. Les résultats de mesure montrent un ENOB supérieur à 5,5 bits jusqu'au cinquième zone de Nyquist (fin = 39 GHz) et une bande passante de 44 GHz, ce qui satisfait les spécifications visées.

L'architecture de l'ADC Flash à 4X-TI comprend non seulement le T&H à large bande, mais aussi un générateur de phase d'horloge et un tampon d'entrée pour améliorer les performances globales du système. Le taux d'échantillonnage requis est de 74 GS/s, et le signal d'entrée est traité par des canaux d'échantillonnage disposés en quadrature, avec un générateur de phase d'horloge qui fournit un signal différentiel à 18,5 GHz, avec une précision ajustée par un CDAC (Digital-to-Analog Converter). La configuration à quatre voies d'échantillonnage permet de réduire les exigences sur la bande passante du T&H, facilitant ainsi la réalisation du circuit avec des capacités et des tensions de travail compatibles avec les technologies CMOS modernes.

Dans une approche à deux voies intercalées (2X-TI), les exigences sur la bande passante du T&H seraient beaucoup plus strictes. Pour une résolution de 5 bits, un T&H avec une bande passante de plus de 80 GHz serait nécessaire pour garantir un temps de stabilisation rapide et une distorsion harmonique totale acceptable. Cependant, en adoptant l'architecture 4X-TI, la bande passante du T&H peut être réduite à 40 GHz, ce qui reste suffisant pour satisfaire les exigences de linéarité et de précision.

Le design du T&H implique plusieurs considérations critiques, telles que la gestion du bruit de phase du signal d'horloge. Le bruit de phase, ou jitter, est une source majeure de dégradation du rapport signal/bruit (SNR) et de la distorsion harmonique totale (THD), en particulier à des fréquences d'entrée élevées. Le jitter peut réduire la précision de l'instant d'échantillonnage, ce qui limite la capacité de l'ADC à numériser le signal analogique avec une fidélité élevée. Pour calculer l'impact du jitter sur l'ADC, on utilise l'expression du SNR dû au jitter :

SNRj=20log10(2πfinσj)SNR_j = -20 \log_{10}(2\pi f_{in} \sigma_j)

finf_{in} est la fréquence du signal d'entrée et σj\sigma_j la déviation standard du jitter de l'horloge. À des fréquences d'entrée plus élevées, le jitter devient un facteur limitant crucial.

En outre, la réponse en fréquence du T&H, notamment le comportement de stabilisation (settling behavior), influence directement la linéarité de l'ADC et, par conséquent, l'ENOB. Pour éviter une dégradation des performances due à une stabilisation incomplète, le circuit doit atteindre une précision de stabilisation de 5 bits, ce qui nécessite une constante de temps optimisée et une largeur de bande suffisante.

Le T&H, en tant que premier élément de conversion dans l'ADC, doit offrir un compromis entre la vitesse d'échantillonnage, la linéarité, et la gestion du bruit de phase. La conception du circuit de l'ADC Flash à haute vitesse, en particulier dans un environnement CMOS moderne, doit prendre en compte ces paramètres pour garantir une performance de conversion numérique fiable et précise.

Pour les concepteurs, la réalisation de tels systèmes nécessite une attention minutieuse à chaque étape, de la gestion des horloges aux caractéristiques des circuits frontaux et à l'optimisation des composants à haute vitesse, afin d'obtenir une conversion numérique efficace dans des conditions d'échantillonnage extrêmes.