V oblasti optické komunikace je rise-time klíčovým parametrem pro určení kapacity přenosu dat a minimalizaci chyb způsobených rozptylem signálů. Tento parametr označuje dobu, kterou signál potřebuje k přechodu mezi nízkým a vysokým stavem, přičemž se měří mezi 10 % a 90 % amplitudy signálu. Doba vzestupu signálu musí být dostatečně krátká, aby nedocházelo k rozšíření pulsů a zachovala se přesnost detekce dat. To je zásadní pro zajistění spolehlivého přenosu dat v optických komunikačních systémech.

Při návrhu optických spojů je důležité vycházet z rozpočtu rise-time, který zohledňuje všechny faktory, jež mohou ovlivnit rychlost přechodu signálu. Tento rozpočet se neomezuje pouze na konkrétní komponenty, jako je vysílač, optické vlákno a přijímač, ale také na vlivy jako disperze v optických vláknech a typ přenášeného signálu.

Vztah mezi rise-time a šířkou pásma

Existuje inverzní vztah mezi šířkou pásma a rise-time pro lineární systémy. V jednoduchém RC obvodu, když se napětí náhle změní z 0 na Vo, výstupní napětí Vout(t) se vyvíjí podle rovnice:

Vout(t)=Vo(1etRC)Vout(t) = Vo \left(1 - e^{ -\frac{t}{RC}}\right)

Kde RR je odpor a CC kapacita. Doba vzestupu pro tento systém je přibližně:

Tr=ln(9)RC2.2×RCTr = \ln(9)RC \approx 2.2 \times RC

Na základě této rovnice se zjišťuje, že existuje vztah mezi šířkou pásma ff a požadovanou dobou vzestupu TrTr:

Tr×f0.35Tr \times f \approx 0.35

Tento vztah platí pro většinu lineárních systémů a je často používán jako vodítko při návrhu optických systémů. Nicméně, v závislosti na digitálním formátu, může být tento produkt odlišný. Pro formát Return-to-Zero (RZ) platí:

B×Tr=0.35B \times Tr = 0.35

Pro formát Non-Return-to-Zero (NRZ) je tento produkt dvojnásobný:

B×Tr=0.7B \times Tr = 0.7

Pro návrh komunikačního systému je důležité zajistit, aby doba vzestupu splňovala požadovanou bitovou rychlost, tedy aby:

Tr0.35×f pro RZ formaˊtTr \leq 0.35 \times f \text{ pro RZ formát}
Tr0.7×f pro NRZ formaˊtTr \leq 0.7 \times f \text{ pro NRZ formát}

Faktory ovlivňující rise-time v optickém systému

Optický komunikační systém se skládá z několika klíčových komponent, jejichž vzájemná interakce ovlivňuje celkový rise-time systému. Mezi tyto komponenty patří vysílač, optické vlákno a přijímač.

  1. Vysílač: Doba vzestupu vysílače závisí na typu optického zdroje. Lasery mají obvykle kratší dobu vzestupu než LED diody, což je výhodné pro podporu vyšších přenosových rychlostí.

  2. Optické vlákno: Disperze v optickém vláknu hraje klíčovou roli při určování doby vzestupu. U vláken s jediným módem dominuje chromatická disperze, zatímco u vícemódových vláken je hlavním faktorem modalní disperze. Tato disperze způsobuje rozšíření pulsů a tím i zhoršení kvality signálu. Pro odhad vlivu chromatické disperze na rise-time platí:

TfiberDm×Δλ×LT_{\text{fiber}} \approx D_m \times \Delta \lambda \times L

Kde DmD_m je koeficient chromatické disperze, Δλ\Delta \lambda je šířka spektra zdroje a LL je délka vlákna.

  1. Přijímač: Doba vzestupu přijímače závisí na typu fotodetektoru, který se používá. Rychlejší fotodioda zlepšuje schopnost systému detekovat vysokorychlostní signály s menšími chybami.

Příklad výpočtu rise-time

Představme si optický komunikační systém pracující při rychlosti 1 Gbps přes jednomožné vlákno o délce 50 km. Pokud má vysílač dobu vzestupu 0,25 ns a přijímač 0,35 ns, můžeme vypočítat celkový rise-time systému. Pokud je šířka spektra zdroje Δλ=3\Delta \lambda = 3 nm a koeficient chromatické disperze Dm=2D_m = 2 ps/(km-nm), výpočet vypadá následovně:

Výpočet doby vzestupu vlákna:

Tfiber=Dm×Δλ×L=2×3×50=0.3nsT_{\text{fiber}} = D_m \times \Delta \lambda \times L = 2 \times 3 \times 50 = 0.3 \, \text{ns}

Celkový rise-time systému je:

Tsys=0.252+0.352+0.32=0.524nsT_{\text{sys}} = \sqrt{0.25^2 + 0.35^2 + 0.3^2} = 0.524 \, \text{ns}

Pro formát RZ je požadovaný B×Tsys=0.35B \times T_{sys} = 0.35, což naznačuje, že systém nemůže fungovat při 1 Gbps. Avšak pro formát NRZ je systém schopný splnit požadavky.

Význam a dopady na návrh systému

V návrhu optických komunikačních systémů je nezbytné přesně spočítat rise-time a zajistit, aby celkový systémový rise-time byl v souladu s požadavky na přenosovou rychlost. Kromě technických výpočtů je také nutné zohlednit vlivy prostředí, jako jsou teplotní změny, které mohou ovlivnit parametry vláken a komponent.

Důležitým faktorem, který by si měl čtenář uvědomit, je, že i když rise-time je klíčovým parametrem pro návrh systému, existují další aspekty, jako je ztráta signálu, šířka pásma systému a schopnost detekce chyb, které mohou mít stejně zásadní dopad na celkový výkon optických sítí.

Jak se mění spektrální charakteristiky LED diod s teplotou a proudem

Při zvyšování proudu pumpování (R) roste koncentrace nosičů n, což má za následek zvýšení Fermiho hladiny elektronů (Ef_c) a současné snížení Fermiho hladiny děr (Ef_v). I při nízké injekci platí, že rozdíl mezi Ef_c a hladinou vodivostního pásu (Ec) a rozdíl mezi hladinou valenčního pásu (Ev) a Ef_v jsou přibližně řádu k_BT, kde k_B je Boltzmannova konstanta a T je teplota v kelvinech.

Vrchol emisního spektra LED, vyjádřený frekvencí (ν_p), odpovídá energii pásu (E_g) s přidaným teplotním příspěvkem k_BT/2, což lze zapsat jako hν_p = E_g + k_BT/2. Nejvyšší emise proto nastává při energii mírně vyšší než šířka pásu polovodiče. Tato frekvence odpovídá také vlnové délce λ_p, která klesá s rostoucí energií pásu.

Šířka spektrální linie (FWHM) se zvyšuje s teplotou podle vztahu, kde je závislá na druhé mocnině vlnové délky a teplotě. Tento jev vysvětluje, proč se spektrum LED při vyšších teplotách rozšiřuje a vrchol spektra se posouvá.

Teplotní závislost pásové energie E_g je klíčová pro správné pochopení chování LED při různých teplotách. Empirický vztah E_g = 1,52 − (5,405 × 10^−4 × T²)/(T + 204) vyjadřuje pokles šířky pásu s rostoucí teplotou T v kelvinech. Tento pokles významně ovlivňuje rychlost spontánní emise, protože E_g se objevuje v exponenciálním členu popisujícím pravděpodobnost rekombinace nosičů.

Experimentální měření potvrzují, že s rostoucí teplotou se nejen zvyšuje šířka emisního spektra, ale také dochází k posunu spektrálního vrcholu směrem k delším vlnovým délkám, zatímco vyzářený výkon klesá. Tento fakt vyplývá z termálních efektů na koncentraci nosičů a jejich distribuci energií, což není zcela zachyceno v jednoduchých teoretických modelech, kde se předpokládá konstantní E_g.

Distribuce elektronů v pásmu vodivosti a děr v pásmu valenčním je řízena funkcí hustoty stavů a Fermi-Diracovou statistikou. Elektrony se hromadí v energetických hladinách nad hranicí pásu, kde jejich koncentrace není symetrická a má vrchol nad Ec. Rekombinace elektronů a děr na hranici pásů (nejnižší energie) vede k emisi fotonů s energií rovnou šířce pásu E_g, avšak počet takových událostí je nízký vzhledem k nízké koncentraci nosičů na okraji pásu.

Častější a intenzivnější jsou rekombinace z vyšších energetických hladin, kde je koncentrace elektronů vyšší, což způsobuje, že emisní spektrum má vrchol posunutý nad hranici E_g. Tento posun a tvar spektra jsou ovlivněny jak materiálovými vlastnostmi polovodiče, tak konstrukcí p-n přechodu.

Při analýze spektrálních charakteristik LED je tedy nezbytné zohlednit nejen základní materiálové parametry, ale i teplotní závislosti a dynamiku nosičů, které určují intenzitu a polohu emisního vrcholu i šířku spektra. Zvláštní pozornost je třeba věnovat tomu, jak teplota ovlivňuje šířku pásu, protože i malé změny výrazně modifikují vyzařovací vlastnosti LED.

Pro úplné porozumění je také třeba vnímat vliv těžkého dopování a struktury p-n přechodu, které mohou ovlivnit hustotu stavů a rekombinační mechanismy, čímž modifikují ideální obraz emisního spektra. Také dynamika nosičů a jejich distribuce energie přímo ovlivňují výkonnost LED a její spektrální odezvu při různých provozních podmínkách.