При облучении высокоэнергетическими заряженными частицами или нейтронами с большими флюенсами вносимые структурные повреждения могут повлиять на характеристики облучаемых изделий. Это влияние сказывается на кинетике накопления зарядов в структуре Si/SiO2, а также на характеристиках МОП-приборов, связанных с объемными параметрами кремния. При этом образуются дополнительные напряженные связи, скорость генерации которых при образовании смещений можно определить следующим образом:

, (61)

где GA — скорость генерации дополнительных неравновесных связей при образовании смещений; jчаст — плотность потока высокоэнергетических частиц.

С учетом влияния смещений атомов уравнение непрерывности, описывающее изменение концентрации напряженных связей в диэлектрике, принимает вид

, (62)

его решение для случая квазистационарного приближения записывается в виде

. (63)

Первое слагаемое в правой части описывает снижение концентрации неравновесных связей вследствие захвата дырок. Второе слагаемое описывает рост концентрации неравновесных связей вследствие образования смещенных атомов при воздействии высокоэнергетических заряженных частиц.

Полученное выражение можно теперь использовать для нахождения концентрации заряженных E’-центров DN1(x, t), образующихся при захвате дырок напряженными связями.


, (64)

где С1, С2 — постоянные интегрирования.

Применяя начальное условие DN1(x, 0) = 0, можно получить выражение для постоянной С2 в виде

. (65)

Таким образом,

. (66)

Из выражения следует, что концентрация заряженных E’-центров, возникающих при разрыве напряженных связей, определяется суммой экспоненциальной и линейной компонент. С ростом t экспоненциальная компонента стремится к насыщению, поэтому при глубоком облучении, т. е. при t ® ¥, кинетика накопления заряженных E’-центров будет подчиняться линейному закону.

Аналогично получается выражение для концентрации Pb-центров, отвечающих за поверхностные состояния.

. (67)

Как видно, характер изменения концентрации Pb-центров, образующихся при разрыве неравновесных связей, такой же как и E’-центров.

Следует отметить, что смещения атомов будут оказывать влияние на кинетику только тех процессов, в которых участвуют напряженные связи. Кинетика процессов, связанных с разрывом соединений SiH и SiOH по-прежнему будет определяться только ионизационными эффектами, поскольку внешнее облучение не влияет на концентрацию этих комплексов. Кроме того, их концентрация пренебрежимо мала по сравнению с концентрацией основных атомов в SiO2, и процессами разрыва связей Si–H и Si–OH вследствие упругих взаимодействий с бомбардирующими высокоэнергетическими частицами можно пренебречь.

Моделирование на схемотехническом уровне осуществляется путем вычисления основных параметров транзистора при радиационном воздействии.

Изменение порогового напряжения МОП-транзистора:

DVth = DVot + DVit, (68)

где DVth — изменение порогового напряжения за счет DVot — накопленного в оксиде заряда и DVit — заряда поверхностных состояний.

Вклады зарядов оксида и поверхностных состояний в общее изменение порогового напряжения могут быть определены следующим образом:

; , (69)

где DQot, DQit — радиационно-индуцированное изменение удельных зарядов оксида и поверхностных состояний соответственно; С0 — удельная емкость диэлектрика.

Заряд DQot, накопленный в диэлектрике при облучении, рассчитывается по формуле указанным в предыдущем разделах. Для вычисления удельного заряда поверхностных состояний можно воспользоваться выражениями

, (70)

где Dit(js) — дифференциальная плотность поверхностных состояний (значение поверхностного потенциала js определяет энергетическое положение уровня Ферми в запрещенной зоне кремния на границе раздела Si/SiO2).

Если дифференциальная плотность поверхностных состояний не известна, а определена только интегральная плотность поверхностных состояний, то заряд поверхностных состояний рассчитывается по формуле

Qit = q0Nit, (71)

где Nit — интегральная плотность поверхностных состояний.

Значение DQit определяется как разность численного заряда поверхностных состояний после облучения и исходного заряда поверхностных состояний.

Рост числа поверхностных состояний приводит к снижению подвижности носителей заряда в канале транзистора. В общем случае деградация подвижности описывается соотношением

, (72)

где m0 — значение подвижности до облучения; a — постоянная.

В шестом разделе рассмотрены особенности развития научной и промышленной инфраструктуры автоматизации проектирования специализированных СБИС двойного назначения, структура программного пакета автоматизации проектирования, результаты моделирования, внедрения и эффективность его использования.

В разделе описывается развитие научной и промышленной базы автоматизации проектирования специализированных СБИС двойного назначения. С этой целью создано техническое обеспечение дизайн-центра по проектированию изделий микроэлектроники, которое состоит из мощных высокопроизводительных компьютеров с использованием серверов баз данных, и приложений и рабочих станций. Реализация произведена на базе высокопроизводительных серверов фирмы Sun типа Sun Sparc с процессорами UltraSPARC фирмы Sun Microsystems, которые работают под управлением операционной системы Unix (Solaris 8 v.7), рабочих станций фирмы Hewlet Packard и Х-терминалов, которые представляют собой IBM PC или подобные машины, объединенных каналом типа Ethernet.

Создано программное обеспечение как интеграция высокопроизводительного ядра САПР фирмы Сadence Design System пакетов программ фирм Synopsys и Mentor Graphics, а также собственных разработок, позволяющих учесть радиационные эффекты.

К основным программным модулям собственных разработок относятся: интерфейс пользователя – INTER; управления комплексом в целом – MONITOR; определения параметров ионизирующего излучения – DMD; расчета дозовых характеристик радиационного воздействия – RAD; расчета термомеханических эффектов - IRBIC; моделирования переходных эффектов – PER; электронные обучающие средства – HELP.

На основе данных средств созданы маршруты проектирования различного класса микросхем, обеспечивающие проектные работы в сжатые сроки с высоким качеством с требуемым уровнем стойкости к климатическим, механическим и специальным воздействиям. Разработана нормативно-техническая документация использования средств автоматизации проектирования изделий микроэлектроники. Создана иерархическая библиотека типовых и функциональных элементов с учетом радиационного воздействия, которая включает более 500 элементов и позволяет проектировать СБИС любой сложности.

Оценка эффективности разработанных средств проводилась при создании микросхем серий 1882, 1830, 1867, 1874, транзисторов и транзисторных сборок, определения их соответствия требованиям технического задания, в том числе и по уровню стойкости, который оценивался экспериментально на моделирующих установках гамма-импульса. Анализ результатов испытаний показал, что расхождение расчетных и экспериментальных значений не превышало 20%. Кроме того, заданный уровень стойкости был получен практически с первых опытных партий изделий, что сокращало время реализации проекта, объем проведения физического моделирования и очень трудоемких и дорогостоящих экспериментальных исследований. Внедрение данных средств позволило существенно развить аппарат автоматизации проектирования, который заключалось в предложенных оригинальных методах, моделях и алгоритмах.

Проведенные работы подтвердили высокую эффективность разработанных средств, получены рекомендации ведущих ученых о ее распространении для внедрения на всех аналогичных предприятиях. Предложенные в работе решения в виде программно-аппаратного комплекса используются ВГТУ в лекционных курсах, лабораторных занятиях, курсовых, дипломных проектов, подготовке аспирантов и докторантов.

В актах внедрения, приведённых в приложении, отмечено, что на основе предложенных решений на предприятиях (г. Зеленоград) и » (г. Воронеж) значительно увеличена эффективность работы предприятий. Годовой экономический эффект, рассчитанный финансовой службой, составляет несколько миллионов рублей.

В заключении приведены основные результаты диссертационной работы.

Основные результаты работы:

1.  Проведён анализ современного состояния средств автоматизации проектирования, определены проблемы и направления их развития;

2.  Обоснованы требования, целевые задачи, принципы построения, архитектура технических средств автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС, обеспечивших унификацию технических, математических и программных средств и заложивших основу создания единого информационного пространства сети дизайн-центров;

3.  Обоснован выбор структуры проблемно-ориентированной программной платформы автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС двойного назначения типового дизайн-центра;

4.  Разработаны математические модели и алгоритмы моделирования радиационных тепловых и термомеханических физических процессов в элементах конструкции СБИС;

5.  Предложены математические модели расчета динамических полей температур и механических напряжений при радиационном воздействии и после него, отличающиеся учетом особенностей современной конструкции, технологии изготовления для различных амплитудно-временных и спектрально-энергетических характеристик воздействия;

6.  Разработаны математические модели переходных процессов при воздействии импульсного ионизирующего излучения, отличающиеся учетом особенностей субмикронных технологий, воздействия высоких и низких температур;

7.  Предложены математические модели деградации электропараметров типовых элементов изделий вследствие воздействия статического ионизирующего воздействия, отличающиеся учетом микродозиметрических радиационных эффектов в соответствии с требованиями комплекса государственных стандартов «Климат-7»;

8.  Разработаны математические модели базовых элементов, которые отличаются описанием радиационных процессов, происходящих в МОП-структурах при воздействии импульсного и статического ионизирующего излучения с учетом субмикронных технологий и требований КГС «Климат-7» на всех иерархических уровнях проектирования;

9.  Предложены методика сбора, обработки, хранения, представления и обмена данными и особенности реализации лингвистических и информационных средств в рамках единого информационного пространства ДЦ;

10. Проведена программная реализация разработанных средств и создана единая программная среда проектирования КМОП СБИС двойного назначения типового ДЦ;

11. Предложены методика и особенности развития научной и промышленной базы автоматизации проектирования специализированных СБИС двойного назначения;

12. Разработано методическое обеспечение средств комплексной автоматизации проектирования.

13. С помощью разработанных средств создана библиотека типовых элементов специализированных КМОП СБИС, на основе которой проектируются радиационно-стойкие микросхемы. В результате создана широкая номенклатура изделий и, таким образом, проведена опытная эксплуатация предложенных средств и оценена экономическую эффективность.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ
В СЛЕДУЮЩИХ РАБОТАХ

Публикации в изданиях, определенных ВАК

1.  Ачкасов, -технологический базис для создания радиационно-стойких ИС [Текст] / , // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуруВып. 4. – С.92-95.

2.  Ачкасов, конструктивно-технологического базиса функционально полного комплекта СБИС двойного назначения [Текст] / , // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуруВып. 3. – С.87-90.

3.  Зольникова, модель расчета изменения параметров ИС при воздействии дозы ИИ [Текст] / , // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуруВып. 4. – С.93-96.

4.  Зольников, В. К Математическое обеспечение проектирования радиационно-стойких ИС [Текст] / , , // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуруВып. 4. – С.97-99.

5.  Зольников, проектирования радиационно-стойких интегральных схем [Текст] / , , // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуруВып. 1-2. – С.57-60.

6.  Ачкасов, моделирования работы ИС в условиях воздействия внешних факторов в подсистеме САПР изделий электронной техники [Текст] / // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуруВып. 1-2. – С.61-65.

7.  Антимиров, построения адаптивных бортовых управляющих вычислительных комплексов [Текст] / Антимиров В. Н.// Системы управления и информационные технологии. 2005. – №4(21). – С.5 - 8.

8.  Антимиров, надежности вариантов вычислительных комплексов для систем управления космических летательных аппаратов [Текст] / , , // Известия ВУЗов. Северо-кавказский регион. Технические науки. 2005. – №3. – С

9.  Антимиров, промышленной инфраструктуры разработки, производства и испытания вычислительных комплексов для систем управления двойного назначения [Текст] / , , // Авиакосмическое приборостроение. 2005. – №8. – С.

10. Антимиров, подсистемы инерциального управления и спутниковой навигации с автономными вычислителями [Текст] / , // Авиакосмическое приборостроение. 2005. – №6. – С

11. Антимиров, автоматизация разработки, производства и испытания вычислительных комплексов для систем управления двойного назначения [Текст] / Антимиров, В. М., , // Приводная техника. 2005. №2(54). – С

12. Антимиров, управляющих вычислительных комплексов двойного назначения [Текст] / , , // Приводная техника. 2005. – №3(55). – С

13. Антимиров, реализации подсистемы обработки геофизических полей и оптической навигации, как автономных вычислительных модулей [Текст] / , // Полет. 2005. – №6. – С.55 – 60.

14. Антимиров, вычислительные комплексы для бортовых систем управления [Текст] / , , // Полет. 2005. – №8. – С.23 – 26.

15. Ачкасов, модели расчета тепловых эффектов, возникающих в конструкции ИЭТ при воздействии рентгеновского излучения [Текст]/ // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2005. Вып. 1–2. С. 20–24.

16.  Ачкасов, промышленной и научной инфраструктуры корпоративной разработки, производства и испытания элементной базы, модулей и вычислительных комплексов для систем управления [Текст] / , , // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2005. Вып. 3–4. С. 3–5.

17. Ачкасов, тепловых эффектов радиационного происхождения
конструкции ИЭТ [Текст] / // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2005. - №1. –С.

18. Зольников, процессов в конструкции микроэлектронных приборов после воздействия радиации [Текст] / , , // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2005. - №1. –С.

19. Ачкасов, построения архитектуры технических средств дизайн-центра проектировнаия универсальных и специализированных радиационно-стойких микросхем [Текст] / // Вопросы атомной науки и техники. Серия– Вып.1-2. – С.

20. Ачкасов, термомеханических эффектов в конструкции микроэлектронных приборов после воздействия радиации [Текст] / // Приводная техника – 2006 - №5, С. 24-27.

21. Ачкасов, средства дизайн центра проектирования универсальных и специализированных радиационно – стойких микросхем [Текст] / , , // Приводная техника – 2006 - №4. - С. 52-55.

22. Зольников, физических процессов в конструкции микроэлектронных приборов после воздействия радиации [Текст] / , , // Вопросы атомной науки и техники. Серия– Вып.1-2. – С

23. Зольников, отечественной проектной среды разработки микроэлектронных систем [Текст] / , , // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2006. Вып.2. - №3. –С.9 – 11.

24. Ачкасов, определения стойкости микроэлектронных компонентов к специальным факторам в САПР ИЭТ [Текст] / // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2006. Вып.2. - №3. –С

25. Гуляев, радиационных эффектов в транзисторе [Текст] / , // Системы управления и информационные технологии. 2007. – №1(25). – С.29-34.

26. Ачкасов, оценки заряда, накопленного в полевом оксиде [Текст] / // Системы управления и информационные технологии. 2007. – №1(25). – С.34-37.

27. Ачкасов, управления информационной инфраструктурой комплексной САПР» [Текст] / , , // Программные продукты и системы – 2007 – №2. – С.35 – 37.

28. Антимиров, базового алгоритма подсистемы коррекции по геофизическим полям / , В. Н Ачкасов // Программные продукты и системы – 2007 – №4. – С

Монографии

29. Межов, проектирования КМОП ИС с учетом радиации [Текст] / , , – Воронеж: Изд-во Воронежский государственный университет, 2002. – 178 с.

30. Ачкасов, средств автоматизации проектирования специализированных микросхем для управляющих вычислительных комплексов двойного назначения [Текст] / , , – Воронеж: Изд-во Воронежский государственный университет, 2005. – 240 с.

31. Ачкасов, микроэлектронных компонентов космического назначения [Текст] / .- Воронеж: Воронежский государственный университет, 200с.

32. Гуляев, проектирования специализированной микроэлементной базы для нового поколения систем управления двойного назначения [Текст] / , .- Воронеж: Воронежский государственный университет, 200с.

33. Ачкасов, и применение информационных технологий в электронной промышленности [Текст] /В. Н Ачкасов, , - Воронеж: Воронежский государственный университет, 200с.

Основные патенты и авторские свидетельства

34. А. с. №1 Способ изготовления структур больших интегральных КМОП схем [Текст] / , , . Заявл. 22.02.92; Опубл. 12.02.93, Бюл. №4.

35. А. с. №1 Способ изготовления КМДП - интегральных схем [Текст] / ; Заявл. 22.05.90; Опубл. 21.01.91, Бюл. №3.

36. А. с. №1 Способ изготовления структур КМОП-интегральных схем [Текст] / , ; Заявл. 15.06.89; Опубл. 10.02.90, Бюл. №4.

37. А. с. № Способ контроля ухода размеров топологических элементов интегральных схем [Текст] / ; Заявл. 1.03.89; Опубл. 21.02.90, Бюл. №1.

38. А. с. №1 Способ изготовления больших интегральных схем с короткоканальными МДП –транзисторами [Текст] / , , . Заявл. 15.06.89; Опубл. 21.01.90, Бюл. №3.

Статьи и материалы конференций

39. Ачкасов, -технологический базис разработки радиационно-стойких ИС [Текст] / // Влияние внешних воздействующих факторов на элементную базу аппаратуры авиационной и космической техники: Тр. I Междунар. практ. конф. Королев: Изд-во М. РАКА, 2002. С.67.

40. Ачкасов, моделирования работы ИС в условиях воздействия внешних факторов в подсистеме САПР ИЭТ [Текст] / // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб. Вып.5. - М.: СПЭЛС-НИИП, 2002. - С.

41. Зольникова, стойкости компонентов КМОП ИС к радиационному воздействию [Текст] / , , // Актуальные проблемы анализа и обеспечение надежности и качества приборов, устройств и систем: Сб. докл. науч.-техн. конф. - Пенза: Изд-во Пенз. гос. техн. ун-та, 2002. - С.234-235.

42. Зольникова, стойкости и надежности ИС при воздействии гамма–излучения [Текст] / , , // Актуальные проблемы анализа и обеспечение надежности и качества приборов, устройств и систем: Сб. докл. науч.-техн. конф. - Пенза: Изд-во Пенз. гос. техн. ун-та, 2002. - С.236-239.

43. Ачкасов, конструктивно-технологического базиса функционально полного комплекта СБИС двойного назначения Текст] / , // // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб. Вып. 5. - М.: СПЭЛС-НИИП, 2002. - С.37-38.

44. Зольникова, модель расчета изменения параметров ИС при воздействии дозы ИИ Текст] / , , // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб. Вып.5. - М.: СПЭЛС-НИИП, 2002. - С.

45.  Ачкасов, В. Н Особенности графической подсистемы АРМ проектировщика КМОП БИС [Текст] / , , // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр. - Воронеж: ВГТУ, 2002. - С.50-54.

46.  Ачкасов, обеспечение АРМ проектировщика КМОП БИС [Текст] / , , // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр. - Воронеж: ВГТУ, 2002. - С.75-80.

47. Крюков, изменения параметров-критериев годности при воздействии радиации [Текст] / , , // Системные проблемы качества, математического моделирования и информационных технологий: Тр. Междунар. науч.-техн. конф. М., 2002. - С.146.

48. Ачкасов, характеристик ИС приемки «5» [Текст] / , // Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления лесного комплекса: Сб. науч. тр. - Воронеж: ВГЛТА, 2003. - С.155-159.

49. Ачкасов, проектирования радиационно-стойких ИС [Текст] / , // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб. - М.: СПЭЛС-НИИП, 2003. - С

50. Ачкасов, характеристик ИС приемки «5» [Текст] / // Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления лесного комплекса: Межвуз. сб. науч. тр. Вып.8. – Воронеж: ВГЛТА, 2003. - С. 200-201.

51. Ачкасов, норм микросхем для обеспечения заданной стойкости [Текст] / // Системные проблемы качества, математического моделирования и информационных технологий: Тр. Междунар. науч.-техн. конф. М., 2003. - С.64.

52.  Антимиров, проектирования базового программного обеспечения бортовых вычислительных комплексов систем управления нового поколения [Текст] / , , //Труды всероссийской конференции "Интеллектуализация управления в социальных и экономических системах. – Воронеж. Воронежский государственный технический университет. – 2005. – С. 12-13.

53. Ачкасов, автоматизации проектирования радиационно-стойкой элементной базы и унифицированных модулей вычислительных комплексов бортовых систем управления. [Текст] / , , // Труды всероссийской конференции «Интеллектуальные информационные системы». – Воронеж. Воронежский государственный технический университет. – 2005. –С. 45-46.

54. Зольников, автоматизации проектирования современной радиационно-стойкой элементной базы [Текст] / , // Труды всероссийской конференции «Интеллектуальные информационные системы» – Воронеж. Воронежский государственный технический университет. – 2005. –С. 61-62..

55. Антимиров, В. М., Дизайн центры автоматизации проектирования вычислительных комплексов двойного назначения [Текст] / , , .// Материалы международной научной конференции "Математические метод в технике "технологии-ММТТ-18. –Казань: Казанский государственный технологический университетС. 34-35.

56. Машевич, создания отечественной промышленной технологии автоматизации проектирования СБИС [Текст] / , , // Материалы международной научной конференции "Кибернетика..21век». – Москва: - 2005.-С. 45-46.

57. Ачкасов, производительности элементной базы для бортовых вычислительных машин за счет специализации системы команд [Текст] / , , // Материалы международной научной конференции "Кибернетика..21век». – Москва: - 2005.-С. 46-47.

58. Ачкасов, автоматизации проектирования радиационно-стойкой элементной базы и унифицированных модулей вычислительных комплексов бортовых систем управления [Текст] / , . // Материалы Российской конференции «Стойкость-2005». – Москва: МИФИС.251.

59. Ачкасов, радиационно-стойких БИС [Текст] / , , // Материалы Российской конференции «Стойкость-2005». – Москва: МИФИС.43-44.

60. Ачкасов, проектирования элементной базы с учетом радиации [Текст] / // Материалы Всероссийской конференции «Информационные технологии». – Воронеж: Издательство «Научная книга». – 2005. – С.152-153.

61. Ачкасов, автоматизации проектирования современной радиационно-стойкой элементной базы [Текст] / , , // Материалы Всероссийской конференции «Информационные технологии». – Воронеж: Издательство «Научная книга». – 2005. – С.154-156.

62. Ачкасов, проектирования элементной базы с учетом радиации [Текст] / // Материалы X Международной конференции «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий. – М: Издательство «Радио и связь». – 2005. Часть 1 – С

63. Ачкасов, создания современной элементной базы [Текст] / // Материалы X Международной конференции «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий. – М: Издательство «Радио и связь». – 2005. Часть 1 – С

64. Ачкасов, и цифровые сигнальные процессоры разработки Воронежского НИИ Электронной техники для применения в бортовой радиоэлектронной аппаратуре [Текст] / , , // Тезисы докладов 4-ой международной конференции «Авиация и космонавтика – 2005». – М: Издательство МАИ, 2005. С.36

65. Ачкасов, алгоритм оценка стойкости элементной базы к воздействию ионизирующих излучений [Текст] / , , В. М., // Материалы международной конференции «Высокие технологии энергосбережения». – Воронеж: Издательство ВГТУ, 2005. С.11-12.

66. Ачкасов, автоматизации проектирования радиационно-стойкой элементной базы для модулей бортовых систем управления [Текст] / // Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления лесного комплекса: Межвуз. сб. науч. тр. Вып. Х. – Воронеж: ВГЛТА, 2005. - С. 213-214.

67. Ачкасов, структуры АРМ проектирования базовых элементов микросхем двойного назначения /[Текст] , , // Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления: Межвуз. сб. науч. тр. Вып. Х. – Воронеж: ВГЛТА, 2005. - С. 215-216.

68. Ачкасов, средств проектирования радиационно-стойкой элементной базы [Текст] / В. Н. // Межвузовский сборник научных трудов «Моделирование систем и информационные технологии».– Воронеж: Издательство «Научная книга» - 2005. Вып.2. – С. 217-218.

69. Ачкасов, модели расчета тепловых эффектов, возникающих в конструкции ИЭТ при воздействии рентгеновского излучения [Текст] / // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. – № 2(20). – С.

70. Анитимиров, вариантов резервирования мигистральных связей в вычислительной системе [Текст] / , , // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. – № 2(20). – С.

71. Зольников, создания проектной среды разработки микроэлектронных систем [Текст] / , , // Материалы международной научно-практической конференции «Наука и образование» - Воронеж, 2005. – С. 216-219.

72. Ачкасов, определения стойкости изделий микроэлектроники [Текст] / // Труды всероссийской конференции «Новые технологии». – Воронеж. Воронежский государственный технический университет. – 2006. –С. 72-73.

73. Ачкасов, стойкости элементной базы в процессе проектирования и производства [Текст] / // Труды международной конференции «математические методы в технике и технологиях» Воронеж. Воронежская государственная технологическая академия. – 2006. Том 5. –С. 69-71

74. Ачкасов, библиотечных элементов СБИС двойного назначения [Текст] / // Материалы международной научно-практической конференции «Современные проблемы борьбы с преступностью. Радиотехнические науки». – Воронеж: Воронежский институт МВД. – 2006. Выпуск 1.- С.13.

75. Ачкасов, программных средств САПР [Текст] / // Материалы X Международной конференции «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий. – М: Издательство «Радио и связь». – 2006. Часть 2 – С.34.

76. Ачкасов, разработок элементной базы [Текст] / // Материалы X Международной конференции «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий. – М: Издательство «Радио и связь». – 2006. Часть 2 – С.35.

77. Ачкасов, оценки стойкости элементной базы [Текст] / // Межвузовский сборник научных трудов «Моделирование систем и информационные технологии».– Воронеж: Издательство «Научная книга» - 2006. Вып.3. Ч.2. – С.

78. Ачкасов, программного обеспечения САПР [Текст] / , // Межвузовский сборник научных трудов «Моделирование систем и информационные технологии».– Воронеж: Издательство «Научная книга» - 2006. Вып.3. Ч.2. – С.

79. Ачкасов, эффекта разогрева, возникающего в элементной базе при воздействии радиации [Текст] / // Информационные технологии моделирования и управления. 2006. – № 2(27). С.

80. Ачкасов, синтез программной среды систем автоматизации проектирования микросхем [Текст] / , // Труды международной конференции «математические методы в технике и технологиях» Воронеж. Воронежская государственная технологическая академия. – 2006.Том 2. –С. 29-31.

81. Ачкасов, элементов для проектирования радиационно-стойких изделий [Текст] / , , // Материалы Российской конференции «Стойкость-2006». – Москва: МИФИС.123-124.

82. Ачкасов, перераспределения тепла после воздействия импульса излучения [Текст] / , // Материалы Российской конференции «Стойкость-2006». – Москва: МИФИС.125-126.

83. Ачкасов, процессы радиационного воздействия в транзисторе [Текст] / , // Моделирование систем и процессов– Воронеж: Издательство воронежский госуниверситет - 2006. Вып.1. – С

84. Ачкасов, накопления заряда в полевом оксиде [Текст] / // Моделирование систем и процессов– Воронеж: Издательство воронежский госуниверситет - 2006. Вып.1. – С.

85. Потапов, статических радиационных эффектов в КМОП приборах [Текст] / , , // Межвузовский сборник научных трудов «Моделирование систем и информационные технологии».– Воронеж: Издательство «Научная книга» - 2006. Вып.3. Ч.2. – С.

86. Ачкасов, модель накопления заряда в полевом окиде при радиационном воздействии [Текст] / // Труды международной конференции «математические методы в технике и технологиях» Ярославль. Яровлавский технический университет. – 2007. –С. 13-14.

87.  Зольникова радиационно стойкой элементной базы нового поколения / , // Труды всероссийской конференции "Новые технологии в научных исследованиях, проектировании, управлении, производстве». – Воронеж. ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет». – 2008. –С. 30-31.

88. Ачкасов, воздействия тяжелых заряженных частиц [Текст] / , , // Материалы Российской конференции «Стойкость-2008». – Москва: МИФИС.122-123.

Просим Ваши отзывы на автореферат в двух экземплярах с подписями, заверенными гербовой печатью, направлять , ВГЛТА, ученому секретарю. Тел / Факс (0732).

РАЗРАБОТКА СРЕДСТВ АВТОМАТИЗАЦИИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ
РАДИАЦИОННО СТОЙКОЙ МИКРОЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ ДЛЯ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук

Подп. в печать 15.1.2009г. Формат 60*841/18. Обьем 2 п. л. Заказ № 000
Тираж 100 УОП ВГЛТА .

Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3