Les systèmes numériques dominent aujourd'hui le paysage technologique, mais l'importance du traitement des signaux analogiques reste essentielle. Les Convertisseurs Analogique-Numérique (CAN) et les Convertisseurs Numérique-Analogique (CNA) représentent des composants cruciaux dans cette transition entre les mondes analogique et numérique. Ces convertisseurs dépendent de plusieurs paramètres clés tels que la transconductance (gm), le gain en courant continu, l'appariement des dispositifs, la linéarité et la précision temporelle. Toutefois, au-delà d'un certain seuil, il devient difficile voire impossible d'améliorer ces paramètres par des techniques de conception de circuits classiques. Ainsi, malgré les limites inhérentes aux performances des transistors CMOS, des techniques de calibration en boucle fermée sont souvent employées pour compenser ces restrictions. Une solution efficace pour contourner ces défis réside dans la mise en œuvre de circuits à commande de substrat, actifs ou passifs, dans les technologies CMOS sur isolant (SOI).

Les technologies CMOS Fully Depleted Silicon on Insulator (FD-SOI) offrent des performances supérieures aux technologies CMOS classiques. Cela est dû à une amélioration de l'efficacité énergétique, à des performances électriques accrues et à une meilleure évolutivité. La réduction des capacités parasites associée à cette technologie permet des vitesses de commutation plus rapides et une consommation d'énergie plus faible. En outre, le contrôle des effets de court-circuit rend les transistors plus performants à des nœuds de transistor plus petits. La possibilité d'ajuster dynamiquement la tension de seuil permet également une opération à très basse consommation sans compromettre les performances. Grâce à l'isolement fourni par la couche d'oxyde enterrée, les effets de fuite sont mieux contrôlés, ce qui fait du FD-SOI une technologie idéale pour les applications à faible puissance, telles que les appareils mobiles et l'Internet des objets (IoT), en comparaison avec le CMOS classique.

Les circuits à commande de substrat, qu'ils soient actifs ou passifs, offrent une technologie puissante pour ajuster ou affiner les caractéristiques électriques des transistors CMOS FD-SOI en contrôlant le potentiel local du substrat. Les techniques de commande de substrat statiques tirent parti d'un simple décalage positif ou négatif de la tension de seuil. Cependant, les circuits à commande de substrat actifs permettent une optimisation en temps réel de la performance du circuit en ajustant dynamiquement le potentiel du substrat. Cette approche permet des améliorations significatives du gain, de l'appariement, de la linéarité et, par conséquent, de la précision globale du système. Cette fonctionnalité est particulièrement importante dans les convertisseurs de données de haute précision, où même de petites améliorations peuvent avoir un impact considérable sur la qualité du signal de sortie converti.

En revanche, les circuits à commande de substrat passifs utilisent des réglages fixes pour améliorer des paramètres spécifiques des circuits, comme la réduction de la distorsion ou l'augmentation de la stabilité. Cette approche est plus simple, mais néanmoins efficace, pour améliorer les performances des systèmes.

L'usage des circuits à commande de substrat, actifs ou passifs, dans des systèmes analogiques, mixtes et même dans les circuits à ondes millimétriques (mmWave), permet une optimisation des performances des convertisseurs de données et des systèmes en général. Cela s'avère particulièrement utile dans les applications où la consommation d'énergie et la précision sont cruciales, telles que dans les dispositifs mobiles, les capteurs IoT, et les systèmes de communication haute fréquence.

Les avantages de cette approche sont nombreux. Par exemple, l'efficacité énergétique peut être maximisée sans compromettre les performances des circuits. De plus, la précision des convertisseurs de données est améliorée, ce qui permet d'obtenir des résultats plus fiables dans des applications telles que les instruments de mesure ou les communications à haute vitesse. En outre, les défis liés à la conception de circuits à commande de substrat, notamment la complexité de leur implémentation et le contrôle de leur stabilité, sont également abordés, offrant ainsi des perspectives sur les solutions qui permettent de surmonter ces obstacles.

Une autre dimension importante à comprendre réside dans la capacité d'adaptation des circuits à commande de substrat aux exigences d'un large éventail d'applications. En effet, ces circuits ne se limitent pas aux seuls convertisseurs de données ; ils peuvent également être appliqués à des systèmes analogiques mixtes où des performances de précision et de consommation d'énergie sont essentielles. Le contrôle dynamique du substrat peut, dans certains cas, permettre de surmonter des défis de mise en œuvre en ajustant continuellement les paramètres du système pour répondre aux conditions spécifiques d'opération.

En outre, bien que les circuits à commande de substrat passifs soient plus simples, ils peuvent offrir une solution fiable et robuste pour certaines applications où la priorité est la stabilité et la réduction de la distorsion, plutôt que la flexibilité maximale du circuit actif.

Cette technologie ouvre ainsi de nouvelles voies pour le développement de circuits et systèmes plus performants, tout en maintenant une consommation énergétique faible et une précision accrue, notamment dans les applications de plus en plus exigeantes en termes de performances comme les réseaux 5G et les systèmes de détection en temps réel.

Comment l'innovation en conception de circuits analogiques et mixtes ouvre la voie à la recherche de demain

Les progrès réalisés dans le domaine des circuits analogiques et mixtes ont permis des avancées majeures dans de nombreux domaines, allant des télécommunications aux systèmes de calcul quantique. L’un des aspects essentiels de ces progrès repose sur l’intégration de nouvelles techniques de conception et la collaboration interdisciplinaire entre chercheurs de différents horizons. À travers mes années de recherche, notamment entre 2006 et 2015 en Californie, j’ai eu l’opportunité de contribuer à des projets qui ont non seulement enrichi ma compréhension de ces technologies, mais ont aussi permis de développer des solutions innovantes pour des défis complexes.

L’une des découvertes les plus marquantes a été l’optimisation de l’amplification par transconductance en utilisant des rétroactions via la porte arrière (back-gate) dans des amplificateurs à source commune. Cela a conduit à des améliorations substantielles en matière de linéarité et d’efficacité des circuits, particulièrement dans des configurations analogiques à faible consommation d'énergie. En approfondissant les phénomènes physiques de ces dispositifs, il devient évident que les rétroactions par back-gate permettent non seulement de contrôler la transconductance, mais aussi d’accroître la stabilité des amplificateurs dans des conditions extrêmes de fonctionnement.

L’application de la linéarisation par injection active du signal d'entrée au niveau de la porte arrière (back-gate) dans des amplificateurs transconducteurs a permis d’atteindre une amélioration significative des performances des circuits. Ce processus a également permis d’augmenter la bande passante et de réduire les distorsions non linéaires, ce qui est crucial pour les circuits analogiques destinés aux technologies de communication de nouvelle génération. Ces techniques ont été spécialement adaptées à des architectures modernes de circuits mixtes et analogiques sur substrat entièrement isolé (FDSOI), ce qui a permis d’optimiser le fonctionnement à la fois en termes de consommation d’énergie et de qualité du signal.

L’un des éléments fondamentaux de cette recherche a été l’intégration de la rétroaction active de polarisation du corps dans les amplificateurs à gain élevé. Cette approche a démontré son efficacité dans la gestion de la variabilité des processus de fabrication tout en offrant un contrôle précis des performances des circuits dans des environnements thermiques variés. De plus, l’optimisation de ces technologies a permis d’augmenter la flexibilité des circuits dans des applications telles que les modulateurs optiques et les amplificateurs à haute fréquence.

Le passage à des technologies avancées, comme les dispositifs à semi-conducteurs sur isolant (SOI), a permis de repousser les limites de la miniaturisation et d’atteindre des performances exceptionnelles, en particulier pour les circuits utilisés dans les communications sans fil de prochaine génération et dans les systèmes de traitement de données massives. La combinaison de ces nouveaux matériaux avec des techniques de modulation active et de rétroaction permet de réduire considérablement les coûts tout en optimisant l’efficacité énergétique.

Un aspect non négligeable des travaux réalisés a été l’évolution des convertisseurs numériques-analogiques (DAC) à commande de courant. En particulier, la linéarisation par rétroaction des DAC à commande de courant a ouvert de nouvelles perspectives pour la réalisation de circuits à hautes performances dans des applications de conversion de données à grande vitesse. Ces techniques se révèlent essentielles dans les dispositifs de traitement du signal pour les systèmes de communication haut débit, où la précision des conversions joue un rôle central dans la fidélité du signal.

Les innovations dans le domaine des commutateurs à haute fréquence, en particulier dans les processus CMOS FDSOI, ont permis de réaliser des implémentations très efficaces des commutateurs RF dans des systèmes intégrés. Ces dispositifs, en réduisant la consommation d’énergie tout en augmentant les vitesses de commutation, sont devenus cruciaux dans les architectures de circuits radiofréquences pour les applications de communication sans fil et les réseaux mobiles de nouvelle génération. Les solutions proposées permettent une gestion plus fine de la puissance tout en optimisant la réponse en fréquence des circuits RF.

Enfin, les perspectives futures en matière de calcul cryogénique et de systèmes quantiques nécessitent une reconsidération complète des méthodes de conception des circuits analogiques et mixtes. Les recherches sur la linéarisation et l’adaptation des circuits aux températures extrêmement basses sont essentielles pour le développement de dispositifs capables de fonctionner dans des environnements cryogéniques. La recherche actuelle dans ce domaine se concentre sur l’optimisation des circuits à faible consommation d’énergie tout en maintenant des performances élevées, essentielles pour les applications dans le calcul quantique.

Ces recherches sont rendues possibles par la collaboration entre des experts de différentes institutions de recherche, comme l'Université Technique de Berlin et la Fondation Einstein, qui ont soutenu ces projets par un financement et une infrastructure exceptionnels. Les résultats obtenus sont le fruit d’efforts collectifs qui ont permis d’ouvrir la voie à des applications encore plus ambitieuses dans les années à venir.

Les travaux en cours dans ces domaines mettent en évidence l’importance de l’adaptabilité et de la réactivité des circuits face aux défis des nouvelles technologies. L'essor des systèmes de communication sans fil à haute vitesse, des dispositifs quantiques et des technologies de traitement de données massives ne pourra être assuré sans des circuits analogiques et mixtes toujours plus performants. Ce domaine continue d'évoluer rapidement, et chaque amélioration technique contribue à poser les bases des infrastructures futures.

Comment le biais corporel dynamique améliore la linéarité et la bande passante des amplificateurs T&H

Les amplificateurs T&H (Track and Hold) jouent un rôle clé dans l’amélioration des performances des systèmes électroniques, particulièrement en ce qui concerne la linéarité et la bande passante. Leur conception complexe, nécessitant un contrôle précis des tensions et des résistances internes, reflète les défis techniques associés à l'optimisation de ces caractéristiques. Une approche prometteuse pour améliorer les performances des amplificateurs T&H consiste à appliquer un biais corporel dynamique et statique. En effet, cette technique permet de moduler les conditions de fonctionnement des transistors, augmentant ainsi la linéarité et maximisant le rapport signal sur bruit (SNR) tout en régulant le mode commun.

Lors de l'implémentation d'un amplificateur T&H, il est essentiel d'optimiser la bande passante pour garantir une faible distorsion et un suivi précis des signaux. Le biais corporel dynamique est un élément clé pour y parvenir, car il permet de réduire les résistances parasites qui, autrement, affecteraient la réponse en fréquence de l'amplificateur. Par exemple, en appliquant un biais corporel avant (FBB) sur les transistors dans la phase de suivi, on obtient une résistance ON plus faible, ce qui augmente la bande passante. En revanche, durant la phase de maintien (Hold), un biais corporel nul (ZBB) est appliqué pour augmenter la résistance OFF, ce qui améliore la linéarité.

Un des avantages du biais corporel dynamique est la réduction significative de la distorsion, ce qui permet de maintenir une haute linéarité même à des fréquences élevées. Dans le cadre des amplificateurs T&H, l'utilisation d’un circuit de régulation du mode commun (CMFB) joue également un rôle crucial. Ce circuit permet de réguler la tension commune entre les différents composants du circuit, garantissant ainsi une stabilité optimale de l’amplificateur. Le CMFB utilise des boucles de rétroaction qui régulent la tension de seuil des transistors pour maintenir la linéarité du signal, avec une fréquence de gain unitaire de 16 MHz et une marge de phase de 62°.

Une autre innovation est l’utilisation des commutateurs bootstrap, qui permettent de réduire la résistance ON des transistors en mode de suivi, tout en maintenant une résistance OFF élevée en mode de maintien. Ce type de commutateur a l’avantage de garantir un haut degré de linéarité sans compromettre la bande passante, contrairement aux méthodes traditionnelles de bootstrapping qui sont limitées par des résistances parasitaires et des charges de commutation.

Les simulations effectuées avec différents paramètres de biais corporel montrent que l'utilisation du biais dynamique dans les commutateurs d'échantillonnage permet d'obtenir une amélioration significative de la linéarité et de la bande passante. Par exemple, on observe un gain de plus de 10% en bande passante de suivi par rapport à une configuration utilisant uniquement un biais corporel statique, tout en réduisant les fuites en mode de maintien. Cela se traduit par une réduction de la distorsion et un meilleur SNR, ce qui est particulièrement crucial pour les applications à haute fréquence.

Il est également important de noter que la technique de biais corporel dynamique contribue à la réduction de l'effet de modulation de la résistance, ce qui améliore la fidélité du signal lors de la conversion analogique-numérique (ADC). L’amplificateur T&H peut ainsi maintenir une performance élevée même à des fréquences très élevées, et ce, avec une distorsion réduite. Des études ont montré que l'utilisation du biais corporel dynamique dans des applications de 2,5 GHz permet d’obtenir un avantage de plus de 2 dB en termes de SFDR (Spurious-Free Dynamic Range), tout en maintenant une linéarité remarquable.

L'optimisation de la bande passante des amplificateurs T&H passe par une conception minutieuse de la topologie des circuits et une gestion efficace des tensions de biais. Le contrôle de la résistance interne des composants et l’adoption de techniques comme le biais corporel dynamique permettent non seulement d’augmenter la bande passante mais aussi de garantir une faible distorsion et une haute fidélité des signaux traités. Cette approche constitue un pas important vers des systèmes électroniques plus performants, capables de répondre aux exigences des applications à haute fréquence.