Fotonikaasun ominaisuudet, kuten sen energia ja säteilyspektri, eivät riipu astian muodosta tai sen seinämien materiaalista. Tämä johtuu siitä, että astia, jossa fotonikaasu on suljettu, ei vuoda energiaa ulos eikä vastaanota sitä ulkopuolelta. Tämä oletus pohjautuu vahvasti kokeellisiin havaintoihin ja on laajasti hyväksytty tieteellisessä yhteisössä. Fotonikaasun energian ja spektrin määrittäminen voi kuitenkin vaikuttaa haasteelliselta, koska kaasu on täysin eristetty ulkomaailmasta suljetussa astiassa. Kuitenkin, jos astiaan tehdään pieni reikä, tämä pieni aukko voi päästää pienen määrän säteilyä ulos, häiritsemättä merkittävästi kaasu-olosuhteita. Tämä mahdollistaa fotonikaasun säteilyspektrin mittaamisen ja analysoimisen.

Säteilyspektri, joka määritellään funktiona aallonpituudesta, esittää energian jakautumista tietyllä aallonpituusvälillä. Tässä yhteydessä säteilyfunktion S(λ)S(\lambda) avulla voidaan mitata säteilyn energiamäärä aallonpituuden λ\lambda ja λ+dλ\lambda + d\lambda välillä. Kokeellisesti on havaittu, että fotonikaasun energia EE on verrannollinen tilavuuden VV ja lämpötilan T4T^4 tuloon, ja että säteilyhuipun aallonpituuden λm\lambda_m ja lämpötilan TT tulo on vakio.

Fotonin ominaisuudet voidaan kuvata sekä hiukkasena että aaltoliikkeenä. Fotonin energia on E=pcE = pc, missä pp on sen liike-energia ja cc on valon nopeus. Fotonin aallonpituus λ\lambda ja taajuus vv ovat kytkeytyneet kaavalla λ=2π/k\lambda = 2\pi/k, jossa kk on aallonpituuden käänteisluku. Näitä määrityksiä voidaan käyttää fotonin käyttäytymisen tarkempaan analysointiin. Fotonikaasun energian ja spektrin laskeminen perustuu edellä mainittuihin perusperiaatteisiin.

Fotonikaasun tilan määrittäminen edellyttää myös statististen mekaniikan peruskaavojen soveltamista. Energian laskemiseen käytetään kaavaa:

E=rnrerE = \sum_r n_r e_r

missä nrn_r on tilan rr keskimääräinen fotonien määrä ja ere_r on tilan energia. Fotonien määrä ei ole vakio, sillä fotonit syntyvät ja imeytyvät jatkuvasti kaasuympäristössä. Fotonit ovat bosoneja, joten niille ei ole rajoitusta tietyn energian omaavien fotonien määrälle. Tästä syystä voidaan käyttää integraaleja summien sijasta, ja energiatason tiheysfunktioiden avulla määritellään fotonikaasun energiatiheys.

Energian laskemiseksi käytetty integraali voidaan esittää seuraavasti:

E=0(8πVc3h3E3(exp(EkBT)1)1)dEE = \int_0^\infty \left( \frac{8\pi V}{c^3 h^3} E^3 \left( \exp\left( \frac{E}{k_B T} \right) - 1 \right)^{ -1} \right) dE

Tässä VV on tilavuus, cc on valon nopeus, hh on Planckin vakio, kBk_B on Boltzmannin vakio ja TT on lämpötila. Tämä kaava liittyy säteilyn energiatiheyteen ja se voidaan laskea eksakteilla arvoilla. Lämpötilan ja energian välinen riippuvuus saadaan selville, ja säteilyspektrin laskemiseksi on mahdollista käyttää aallonpituuden ja energian välistä kytköstä, joka on E=hcλE = \frac{hc}{\lambda}, missä λ\lambda on aallonpituus ja hh on Planckin vakio.

Spektrin laskeminen aallonpituuden λ\lambda funktiona voidaan esittää seuraavalla kaavalla:

S(λ)dλ=8πVhcλ5(exp(hcλkBT)1)1dλS(\lambda) d\lambda = \frac{8\pi V hc}{\lambda^5} \left( \exp\left( \frac{hc}{\lambda k_B T} \right) - 1 \right)^{ -1} d\lambda

Tässä S(λ)S(\lambda) on säteilyspektri ja se kuvaa energian jakautumista aallonpituuden λ\lambda suhteen. Tämän avulla voidaan analysoida fotonikaasun säteilyä eri lämpötiloissa, ja se antaa täydellisen yhteensopivuuden kokeellisten havaintojen kanssa.

Käytännössä voidaan todeta, että säteilypektri muuttuu voimakkaasti lämpötilan muuttuessa. Korkeammilla lämpötiloilla säteily on enemmän lämpimän valon kaltaista, ja matalammilla lämpötiloilla se muistuttaa enemmän infrapunasäteilyä. Tämä riippuvuus voidaan kuvata lämpötilan ja aallonpituuden välisenä yhteytenä, joka on ilmennyt Planckin lauseessa: λmT=vakio\lambda_m T = \text{vakio}, missä λm\lambda_m on säteilyhuipun aallonpituus ja TT lämpötila. Tämä riippuvuus on olennainen osa mustan kappaleen säteilyn analyysia, ja se oli ensimmäinen askel kohti kvanttimekaniikan syntyä.

Fotonikaasun vapaan energian laskemiseksi voidaan käyttää kaavaa, joka on muotoiltu seuraavasti:

F=0(8πkBTVh3c3E2ln[1exp(EkBT)])dEF = \int_0^\infty \left( \frac{8\pi k_B T V}{h^3 c^3} E^2 \ln \left[ 1 - \exp \left( -\frac{E}{k_B T} \right) \right] \right) dE

Tämä kaava mahdollistaa vapaan energian laskemisen fotonikaasun olosuhteissa ja se liittyy tiukasti tilan tiheysfunktioon ja säteilyenergian jakaumaan. Vapaan energian laskemisella on merkittäviä vaikutuksia termodynamiikassa ja se antaa tärkeitä tietoja fotonikaasun käyttäytymisestä eri lämpötiloissa.

Lopuksi on tärkeää huomata, että kaikki edellä mainitut tulokset saatiin alun perin Planckin työstämänä vuonna 1909, ja ne muodostivat perustan myöhemmälle kvanttimekaniikan kehitykselle.

Miten Debye-malli liittyy äänennopeuteen ja atomivärähtelyihin kiinteissä aineissa?

Debye-mallissa lämpötilan vaikutusta aineen ominaisuuksiin tarkastellaan erityisesti äänennopeuden ja atomivärähtelyjen kautta. Tärkeä suure, jota käytetään lämpökapasiteetin arvioimisessa, on Debye-lämpötila (TD), joka on yhteydessä keskimääräiseen äänennopeuteen v. Debye-lämpötilan ja äänennopeuden välinen yhteys saadaan seuraavalla kaavalla:

TD=v(hkB)(3N4πV)1/3TD = v \left( \frac{h}{k_B} \right) \left( \frac{3N}{4\pi V} \right)^{1/3}

Tässä h on Planckin vakio, kB on Boltzmannin vakio, N on aineen atomeiden määrä ja V on tilavuus. Tämä kaava yhdistää aineen mikroskooppiset ominaisuudet (kuten äänennopeuden ja atomin värähtelyn) makroskooppisiin ilmiöihin, kuten lämpökapasiteettiin. Kaikki tämä perustuukin Debyen mallin oletuksiin, jotka ovat likimääräisiä, mutta antavat silti hyviä tuloksia monille materiaaleille.

Debye-mallin avulla voidaan arvioida myös aineen lämpökapasiteetti ja muut termodynaamiset suureet matalilla lämpötiloilla, ja tämä saadaan ratkaisemalla aineen atomien värähtelyt. Tämä prosessi alkaa yhtälöstä, joka kuvaa atomien liikettä lineaarisessa atomiketjussa:

md2undt2=B(unun1)+B(un+1un)m \frac{d^2 u_n}{dt^2} = -B(u_n - u_{n-1}) + B(u_{n+1} - u_n)

Tässä mm on atomimassa, BB on jousivakio, ja unu_n on atomin siirtymä tietyn ajanhetken tt kohdalla. Ratkaisevaksi yhtälöksi saadaan, että atomin liike voidaan esittää trigonometrisena funktionsa muodossa un=Dsin(ωtkna)u_n = D \sin(\omega t - k n a). Tästä päästään edelleen tarkempaan analyysiin, joka selittää, kuinka äänennopeus vaikuttaa aineen värähtelytilaan ja siten myös sen lämpökapasiteettiin.

Kun lämpötilaa lasketaan, Debye-malli antaa tarkempia arvioita aineen lämpökapasiteetille ja muille ominaisuuksille. Erityisesti, kun lämpötila on alle Debye-lämpötilan, aineen lämpökapasiteetti käyttäytyy tietyllä tavalla, ja tämä käytös on esitetty matemaattisesti:

CV=9NkB(TTD)30TD/Tx3ex1dxC_V = 9N k_B \left( \frac{T}{T_D} \right)^3 \int_0^{T_D/T} \frac{x^3}{e^x - 1} \, dx

Tämä integrointimenetelmä vie meidät yhä tarkempaan ymmärrykseen siitä, kuinka lämpötila vaikuttaa aineen mikroskooppisiin värähtelytiloihin ja kuinka nämä tilat puolestaan vaikuttavat makroskooppisiin lämpöilmiöihin.

Lämpökapasiteetin laskemisen ja muiden fysikaalisten suureiden määrittämisen lisäksi on tärkeää ymmärtää, että Debye-mallin avulla voidaan arvioida myös aineen atomivärähtelyjen vaikutuksia äänennopeuteen ja muihin dynamisiin ominaisuuksiin. On huomioitavaa, että Debye-malli on likimääräinen, eikä se ota huomioon kaikkia kvanttimekaniikan yksityiskohtia. Esimerkiksi tietyt aineet saattavat poiketa huomattavasti ideaalitapauksista, joissa Debye-mallin laskelmat eivät enää ole tarkkoja.

Erityisesti mallit, jotka ottavat huomioon kvanttimekaaniset efektit, kuten fononit (lämpöaaltotilat kiinteissä aineissa), voivat tarjota syvempää ymmärrystä atomien liikkeen vaikutuksista aineen lämpöilmiöihin. Fononien käsittely on olennainen osa kiinteän aineen tilan fysikaalista kuvausta, sillä ne selittävät aineen ominaisuuksia, kuten lämpölaajenemista ja lämpöjohtavuutta, erityisesti matalissa lämpötiloissa.

Näin ollen vaikka Debye-malli onkin tehokas työkalu monen materiaalin lämpötilariippuvuuden ennustamisessa, on silti tärkeää tarkastella myös fononien roolia ja kvanttimekaniikan vaikutuksia, jotka voivat muuttaa tai täydentää Debye-mallin antamia ennusteita. Lämpötilan ollessa hyvin matala, fononit ovat erityisen tärkeitä aineen lämpökapasiteetin ja muiden fysikaalisten ominaisuuksien tarkempien määrittämisten kannalta.

Miten laskemme elektronien määrän ja spesifisen lämmön puolijohteissa ja metalleissa?

Elektronien määrä järjestelmässä voidaan määrittää käyttämällä Fermi-Diracin jakautumista, joka perustuu energia-tilojen täyttöön tietyllä lämpötilalla. Yksi tärkeimmistä funktioista, joita käytämme tällaisessa laskelmassa, on elektronien tiheysfunktio, joka antaa meille elektronien määrän tietyllä energiatasolla. Jos tarkastellaan yksinkertaista tilannetta, jossa tunnetaan systeemin elektronien energiat, voidaan laskea niiden spesifinen lämpökapasiteetti ja muut termodynaamiset suureet.

Yksi tällainen laskenta on saatu kaavasta:

N=0n(E)dEN = \int_0^\infty n(E) \, dE

Missä n(E)n(E) on elektronien tiheysfunktio, joka antaa elektronien määrän tietyllä energiatasolla. Tätä kaavaa voidaan käyttää arvioimaan elektronien määrää Fermi-tasolla (E=μ0E = \mu_0):

n(μ0)=(8πVh3)(2m)3/2μ01/2n(\mu_0) = \left(\frac{8\pi V}{h^3}\right) \cdot \left(2m\right)^{3/2} \cdot \mu_0^{1/2}

Tämä lauseke vie meidät vaiheeseen, jossa elektronien tiheys Fermi-tasolla saadaan helposti määritettyä. Tämän arvon avulla voimme myöhemmin laskea sähköisten ominaisuuksien, kuten spesifisen lämmön (CVC_V), kaavan:

CV=π23n(μ0)kB2TC_V = \frac{\pi^2}{3} n(\mu_0) k_B^2 T

Yllä olevassa kaavassa n(μ0)n(\mu_0) tarkoittaa elektronien tiheyttä Fermi-tasolla ja kBk_B on Boltzmannin vakio. Tämän kaavan kiinnostavin puoli on se, että sen avulla voidaan suoraan mitata elektronien määrä Fermi-tasolla, mikä antaa tärkeän tiedon materiaalin sähköisistä ominaisuuksista.

Metallien elektronien käyttäytyminen eroaa kuitenkin puolijohteiden ja eristimien käyttäytymisestä. Metallien elektroneilla on pääsy johtavuuskaistalle, jossa ne voivat liikkua vapaasti ja osallistua sähkövirran kuljettamiseen. Tässä tilanteessa kaavat, joita olemme käsitelleet aiemmin, pätevät suoraan, mutta pieniä eroja on. Esimerkiksi metallin johtavuuskaistalla olevien elektronien energia ei ole absoluuttinen nollapiste, vaan se on suhteessa kaistan pohjan energiaan (ECE_C).

Puolijohteissa tilanne on hieman monimutkaisempi. Puolijohteet ovat itse asiassa eristeitä, joissa elektronit ovat aluksi kiinnittyneet atomeihin ja eivät kykene liikkumaan vapaasti, mutta lämpötilan nostaessa materiaalia, elektronit voivat irrota atomeistaan ja siirtyä johtavuuskaistalle. Tässä tilanteessa Fermi-taso (μ\mu) on yleensä pienempi kuin johtavuuskaistan pohja (ECE_C), joten puolijohteiden elektronit eivät noudata Fermi-Diracin jakaumaa, vaan Maxwell–Boltzmannin jakaumaa. Tämä tarkoittaa, että puolijohteiden käyttäytyminen lämpötilan funktiona on erilainen verrattuna metalleihin.

Kun puolijohde kuumennetaan, elektronit siirtyvät alemmilta energiatasoilta johtavuuskaistalle, ja tämän prosessin kulkua voidaan mallintaa käyttäen parabolista approksimaatiota. Tällöin voidaan käyttää seuraavaa lauseketta:

gc(E)=DC(EEC)1/2g_c(E) = D_C(E - E_C)^{1/2}

Tässä DCD_C on kerroin, joka riippuu materiaalin ominaisuuksista, ja ECE_C on johtavuuskaistan pohjan energia. Lämpötilan noustessa puolijohteessa tapahtuva elektronin vapautuminen vaikuttaa merkittävästi sen sähkönjohtavuuteen.

Erityisesti puolijohteiden konduktiivisuus on tiukasti lämpötilasta riippuvaista. Tämä ei ole tilanne metalleissa, joissa elektronien määrä on lähes vakio riippumatta lämpötilasta. Vaikka metallien sähkönjohtavuus ei muutu suoraan elektronien määrän mukaan, sen kyky johtaa sähköä vaikuttaa osittain elektronien liikkuvuuteen ja siihen, kuinka helposti ne voivat liikkua sähkömagneettisten kenttien vaikutuksesta.

Puolijohteiden tutkimuksessa tämä lämpötilan ja Fermi-tason sijainnin vaikutus on keskeinen, ja se vaatii syvällisempää ymmärrystä elektronien käyttäytymisestä erilaisissa energiatiloissa.

Lopuksi on tärkeää huomioida, että vaikka edellä käsitellyt mallit ja kaavat tarjoavat hyvän kuvan elektronien määrästä ja niiden roolista materiaalin sähkönjohtavuudessa, todelliset materiaalit voivat poiketa teoriasta johtuen epäpuhtauksista, rakennevirheistä ja muista mikroskooppisista tekijöistä. Siksi teoreettisten laskelmien tukena on aina tärkeää tehdä kokeellisia mittauksia ja vertailla niitä saadun teoreettisen ennusteen kanssa.

Miten tilastollinen mekaniikka määrittelee systeemin energian ja entropian?

Energian ja entropian välillä vallitsee tärkeä yhteys, joka on keskeinen osa tilastollista mekaniikkaa. Kun tarkastellaan systeemin energiatasoja ja niiden todennäköisyyksiä, voimme muodostaa jakautumisfunktion, joka antaa kuvan systeemin makroskooppisista ominaisuuksista, kuten lämpötilasta ja entropiasta. Tämä yhteys kuvataan jakautumisfunktion kautta, jossa otetaan huomioon mikrotilat ja niiden energiatasot.

Mikäli systeemillä on energia EsE_s, ja tiedämme tämän energian mikrotasojen määrän, g(Es)g(E_s), niin voimme kirjoittaa jakautumisfunktion seuraavasti:

Z=Esg(Es)exp(βEs)Z = \sum_{E_s} g(E_s) \exp(-\beta E_s)

Tässä ZZ on jakautumisfunktio, joka ottaa huomioon kaikki mahdolliset energiatasot, ja β=1kBT\beta = \frac{1}{k_B T} on lämpötilan käänteinen suhde. Tämä kaava kertoo meille, kuinka todennäköisesti systeemi on tietyssä energiassa ja miten systeemin käyttäytyminen muuttuu lämpötilan funktiona. Erityisesti, kaavassa huomioimme energiatasojen EsE_s ja niiden degeneroituneiden tilojen määrän g(Es)g(E_s), joka voi olla suurempi kuin yksi, jos useilla mikrotavoilla on sama energia.

Kun tarkastellaan keskimääräistä energiaa, voidaan käyttää seuraavaa kaavaa:

E=spsEsE = \sum_s p_s E_s

missä psp_s on todennäköisyys sille, että systeemi on mikrotilassa ss, ja EsE_s on tämän mikrotilan energia. Toinen tapa esittää tämä on:

E=sEsexp(βEs)sexp(βEs)E = \frac{\sum_s E_s \exp(-\beta E_s)}{\sum_s \exp(-\beta E_s)}

Tämä antaa keskimääräisen energian systeemissä, kun otetaan huomioon kaikkien mahdollisten mikrotasojen energia ja niiden painotetut todennäköisyydet. Tässä yhteydessä voidaan huomioida, että jakautumisfunktion logaritmiin liittyvät johdannaiset voivat antaa meille systeemin energian:

E=lnZβE = -\frac{\partial \ln Z}{\partial \beta}

Tämä kaava kertoo meille, kuinka energia muuttuu lämpötilan funktiona, ja se on keskeinen osa tilastollisen mekaniikan analyysiä.

Entropia SS puolestaan on tärkeä termodynaaminen suure, joka liittyy systeemin epäjärjestykseen. Entropian määrittämiseksi voidaan käyttää seuraavaa yhteyttä:

S=ET+kBlnZS = \frac{E}{T} + k_B \ln Z

Tämä kaava yhdistää systeemin energian ja jakautumisfunktion logaritmin entropiaan. Se antaa käsityksen siitä, kuinka lämpötilan ja energian muutokset vaikuttavat systeemin epäjärjestykseen.

Lämpötilan ja energian välinen yhteys on myös tärkeä, sillä se määrittää systeemin vapausasteet ja sen mahdollisen entropian käyttäytymisen lämpötilan funktiona. Koko prosessi voidaan ymmärtää tilastollisen mekaniikan kautta, joka tuo esiin systeemin mikroskooppiset tilat ja niiden todennäköisyydet.

Kun käsittelemme systeemin vapaata energiaa FF, se voidaan esittää seuraavasti:

F=kBTlnZF = -k_B T \ln Z

Tämä kaava yhdistää vapauden, entropian ja energian termodynaamisen potentiaalin muodossa. Vapaa energia FF on erityisen tärkeä, koska se kertoo meille, kuinka paljon energiaa on käytettävissä systeemin suorittamaan työhön.

Lopuksi, entropia voidaan kirjoittaa myös seuraavasti, kun otetaan huomioon kaikki mikrotilat:

S=kBspslnpsS = -k_B \sum_s p_s \ln p_s

Tämä on tilastollisen mekaniikan peruskaava entropian laskemiseksi, ja se tuo esiin, kuinka epäjärjestys kasvaa, kun systeemin mikrotasojen määrä kasvaa ja niiden todennäköisyydet jakautuvat epätasaisesti. Tämä kaava on yhteydessä Boltzmannin entropian kaavaan S=kBlnΩS = k_B \ln \Omega, joka liittyy systeemin mikrotasojen määrään.

Kun tarkastelemme systeemin tilaa ja sen mikroskooppisia piirteitä, on tärkeää ymmärtää, että kaikki systeemin osat ovat keskenään vuorovaikutuksessa ja ne voivat vaikuttaa toisiinsa. Erityisesti, kun käsitellään monen hiukkasen järjestelmiä, kuten ideaalikaasuja, on huomattava, että tilastollinen mekaniikka tekee mahdolliseksi tarkastella systeemin kollektiivista käyttäytymistä ilman, että täytyy suoraan seurata yksittäisten hiukkasten liikkeitä. Tämä lähestymistapa antaa meille mahdollisuuden laskea systeemin makroskooppiset ominaisuudet, kuten lämpötila ja paine, yksinkertaisemmin ja tarkemmin.