Komponenta elektrického pole kolmá na rovinu dopadu, označovaná jako rr_{\perp}, je vždy záporná při odrazu na rozhraní, kde index lomu dopadajícího prostředí je nižší než prostředí propustné. Tento záporný koeficient odrazu signalizuje, že tato složka elektrického pole při odrazu prodělává fázový posun o π\pi radiánů. Naopak komponenta elektrického pole rovnoběžná s rovinou dopadu, rr_{\parallel}, zůstává ve fázi s dopadajícím polem, pokud úhel dopadu θi\theta_i nepřesahuje tzv. polarizační úhel θp\theta_p. Při překročení tohoto úhlu, tedy θi>θp\theta_i > \theta_p, a pokud má dopadající médium vyšší index lomu než médium propustné, tato rovnoběžná složka podléhá rovněž fázovému posunu o π\pi.

V případě vnitřního odrazu, kdy ni>ntn_i > n_t, a pro úhly dopadu menší než kritický úhel θi<θc\theta_i < \theta_c, zůstává koeficient odrazu normální složky pole kladný, což znamená, že normální složka elektrického pole neprochází fázovou změnou. Rovnoběžná složka zůstává ve fázi s dopadajícím polem, dokud je úhel dopadu menší nebo roven polarizačnímu úhlu θp\theta_p'. Při překročení tohoto úhlu dochází opět k fázovému posunu o π\pi.

Při dosažení nebo překročení kritického úhlu θiθc\theta_i \geq \theta_c, nastává úplný vnitřní odraz, kdy oba koeficienty odrazu – pro normální i rovnoběžnou polarizaci – nabývají hodnoty jedna. Světlo je tak zcela odraženo zpět do hustšího média a žádná jeho část neproniká do druhého média. Závislost intenzit dopadajícího, odraženého a přeneseného světla je definována odrazivostí (reflectance) a propustností (transmittance), které se vzájemně doplňují v rámci zákona zachování energie, tedy R+T=1R + T = 1.

Pro praktický výpočet koeficientů odrazu a přenosu se využívají Fresnelovy rovnice. Pro s-polarizované (kolmé) světlo jsou koeficienty definovány vztahem:

rs=nicosθintcosθtnicosθi+ntcosθt,ts=2nicosθinicosθi+ntcosθtr_s = \frac{n_i \cos \theta_i - n_t \cos \theta_t}{n_i \cos \theta_i + n_t \cos \theta_t}, \quad t_s = \frac{2 n_i \cos \theta_i}{n_i \cos \theta_i + n_t \cos \theta_t}

a pro p-polarizované (rovnoběžné) světlo:

rp=ntcosθinicosθtntcosθi+nicosθt,tp=2nicosθintcosθi+nicosθt.r_p = \frac{n_t \cos \theta_i - n_i \cos \theta_t}{n_t \cos \theta_i + n_i \cos \theta_t}, \quad t_p = \frac{2 n_i \cos \theta_i}{n_t \cos \theta_i + n_i \cos \theta_t}.

Polarizační úhel Brewsterův θB\theta_B je zvláštní úhel dopadu, při kterém koeficient odrazu p-polarizovaného světla dosahuje nuly, což znamená, že odražené světlo je kompletně s-polarizované. Tento úhel lze vyjádřit vztahem:

tan(θB)=ntni,θB=arctan(ntni).\tan(\theta_B) = \frac{n_t}{n_i}, \quad \theta_B = \arctan\left(\frac{n_t}{n_i}\right).

Při průchodu optickými komponentami, například skleněnými deskami či čočkami, dochází k fázové transformaci světelné vlny v závislosti na geometrii a indexu lomu daného prvku. Přenosová funkce t(x,y)t(x, y) popisuje změnu vlnové funkce, kdy poměr výstupní a vstupní vlnové funkce určuje, jak komponenta ovlivní amplitudu a fázi procházející vlny.

Pro rovinnou skleněnou desku o tloušťce dd a indexu lomu nn je přenosová funkce planární vlny na kolmý dopad:

t(x,y)=ejk0nd,t(x,y) = e^{ -j k_0 n d},

kde k0k_0 je vlnové číslo ve vakuu. Tento vztah ukazuje, že deska způsobuje fázový posun úměrný tloušťce a indexu lomu. Při šikmém dopadu je tento posun modifikován kosinem úhlu dopadu.

V případě desky s proměnnou tloušťkou d(x,y)d(x,y), případně s proměnným indexem lomu n(x,y)n(x,y), je fázový posun lokálně modifikován, což je důležité zejména při práci s gradientními čočkami nebo jinými optickými prvky, které mají prostorově závislé optické vlastnosti.

U tenkých čoček, jejichž tloušťka v ose je mnohem menší než průměr a jedna z ploch je konvexní, lze tloušťku vyjádřit pomocí geometrii plochy, což umožňuje přesně vypočítat fázový posun a odvodit ohniskovou vzdálenost čočky podle vztahu:

f=Rn1,f = \frac{R}{n - 1},

kde RR je poloměr zakřivení konvexní plochy a nn index lomu čočky. Přenosová funkce tenké čočky tedy obsahuje kvadratický fázový člen, který představuje charakteristickou modulaci vlny, jež za čočkou vzniká.

Je nezbytné si uvědomit, že změny fáze vyvolané optickými rozhraními a komponentami mají zásadní význam nejen pro odraz a průchod světla, ale i pro vytváření interferenčních a difrakčních jevů. Fázové posuny určují vlastnosti polarizace, intenzitu a rozložení světla za optickými prvky, což je klíčové pro návrh a analýzu optických systémů včetně čoček, filtrů, polarizátorů a dalších zařízení. Dále je důležité vnímat, že skutečné materiály a rozhraní často vykazují absorpční a disperzní charakteristiky, které mohou ovlivnit jak amplitudu, tak fázi vlny, a tím pádem celkovou efektivitu a vlastnosti optického systému.

Kolik řízených módů může vést symetrický planární vlnovod a co to znamená?

Symetrický planární vlnovod je struktura, ve které jádro s vyšším indexem lomu n1n_1 leží mezi dvěma stejnými obaly s nižším indexem n2n_2. Díky této symetrii se pole řízených módů rozkládá souměrně okolo osy jádra. V takovém systému lze řešit Helmholtzovu rovnici pro elektrickou složku pole Ex(y)E_x(y) oddělením proměnných, což vede k diskrétnímu souboru módů – to znamená, že pouze určitý počet řešení odpovídá řízeným módům, zatímco ostatní představují tzv. radiační módy, které se ve vlnovodu nešíří.

Řízené módy v symetrickém vlnovodu se dělí na sudé a liché podle rozložení pole v jádře. Sudé módy mají pole popsané kosinovou funkcí a jsou souměrné vůči ose, zatímco liché módy jsou popsány funkcí sinus a vykazují antisymetrii. Hraniční podmínky pro kontinuitu derivace pole na rozhraní mezi jádrem a obalem vedou na dvě charakteristické rovnice:

tan(κd2)=ακ(pro sudeˊ moˊdy)\tan\left(\frac{\kappa d}{2}\right) = \frac{\alpha}{\kappa} \quad \text{(pro sudé módy)}
tan(κd2)=κα(pro licheˊ moˊdy)\tan\left(\frac{\kappa d}{2}\right) = -\frac{\kappa}{\alpha} \quad \text{(pro liché módy)}

Zde κ\kappa je příčná vlnová složka v jádře a α\alpha je útlumová konstanta v obalu. Obě veličiny závisí na efektivním indexu lomu neffn_{\text{eff}} a vlnové délce.

Počet možných módů závisí na tloušťce jádra dd, rozdílu indexů n1n2n_1 - n_2 a vlnové délce λ\lambda. Tento vztah se jednodušeji vyjadřuje pomocí tzv. normalizované frekvence VV:

V=2πdλn12n22V = \frac{2\pi d}{\lambda} \sqrt{n_1^2 - n_2^2}

Hodnota VV rozhoduje, kolik módů vlnovod podporuje – pokud V<πV < \pi, vede pouze jeden mód (tzv. jednovidový vlnovod). S rostoucím VV narůstá i počet podporovaných módů. Například při d=2 μmd = 2 \ \mu m, n1=1.5n_1 = 1.5, n2=1.45n_2 = 1.45 a λ=1550 nm\lambda = 1550 \ nm, vlnovod vede pouze jeden sudý mód. Při zvětšení jádra na d=10 μmd = 10 \ \mu m mohou být vedeny tři sudé a dva liché módy.

Tento diskrétní charakter módů je důsledkem podmínky příčné rezonance, která vyplývá z nutnosti, aby fáze příčného pole odpovídala stojaté vlně – podobně jako v rezonátoru. Každý mód má specifické rozložení elektrického pole v jádře i obalech, a tedy také jiný efektivní index lomu neffn_{\text{eff}}, který se vždy nachází mezi n1n_1 a n2n_2.

S rostoucím pořadím módu se pole postupně méně koncentruje v jádře a více zasahuje do obalových vrstev. Tato vlastnost je kvantifikována tzv. normalizovaným indexem vedení bb:

b=neff2n22n12n22b = \frac{n_{\text{eff}}^2 - n_2^2}{n_1^2 - n_2^2}

Hodnota bb se pohybuje od 0 (velmi slabé vedení, mód těsně pod hranicí vedení) po 1 (silně vedený mód).

Z praktického hlediska má význam také numerická apertura vlnovodu:

NA = \sqrt{n_1^2 - n_2^2} \

Jak vzniká zisk a útlum optického signálu v polovodiči?

V polovodičových materiálech dochází ke komplexnímu procesu interakce mezi světelným zářením a elektronovými stavy. Základními mechanismy této interakce jsou absorpce, stimulovaná emise a spontánní emise. Každý z těchto jevů ovlivňuje výslednou intenzitu optického svazku procházejícího polovodičovým prostředím, a tím i funkčnost optoelektronických zařízení, jako jsou lasery a optické zesilovače.

Při absorpci fotonů elektrony z valenčního pásu přecházejí do vodivostního pásu, pokud energie fotonů překračuje hodnotu šířky zakázaného pásu. Tento proces snižuje intenzitu optického svazku. Naopak stimulovaná emise nastává tehdy, když foton indukuje návrat elektronu z vodivostního pásu zpět do valenčního pásu, čímž vzniká další foton stejné energie, fáze a směru. Tento jev je klíčem ke vzniku zesílení světla.

Průchod světelného svazku skrze polovodič lze kvantitativně analyzovat zavedením parametrů jako je míra absorpce, míra stimulované emise a intenzita záření podél směru šíření. Pokud označíme vstupní intenzitu svazku jako Iν(0)I_\nu(0) a intenzitu ve vzdálenosti zz jako Iν(z)I_\nu(z), pak lze změnu intenzity v infinitesimálním prvku dzdz materiálu vyjádřit diferenciální rovnicí:

dIνdz=γ(ν)Iν,\frac{dI_\nu}{dz} = \gamma(\nu) I_\nu,

kde γ(ν)\gamma(\nu) je koeficient zisku (gain coefficient), který rozhoduje o tom, zda bude světlo zesíleno nebo zeslabeno. Tento koeficient závisí na spektrální hustotě optických stavů, materiálových konstantách, energii fotonu hνh\nu a tzv. Fermiho inverzním faktoru fg(ν)=fe(ν)fa(ν)f_g(\nu) = f_e(\nu) - f_a(\nu), kde fef_e a faf_a jsou pravděpodobnosti obsazení energetických stavů v jednotlivých pásmech.

Pozitivní hodnota γ(ν)\gamma(\nu) (tedy fg(ν)>0f_g(\nu) > 0) znamená, že materiál funguje jako zesilující prostředí – tzv. gain medium. Naopak záporná hodnota představuje útlum, což odpovídá absorpčnímu chování. Pro zesílení musí být splněna podmínka kvazirovnováhy, tedy rozdíl chemických potenciálů (Fermiho hladin) mezi vodivostním a valenčním pásmem musí být větší než energetický rozdíl mezi fotonem a zakázaným pásem:

Eg<hν<(EfcEfv).E_g < h\nu < (E_{fc} - E_{fv}).

Tento interval určuje šířku pásma zesílení. Pro materiály jako GaAs s energetickou šířkou zakázaného pásu 1,42 eV a rozdílem Fermiho hladin 0,2 eV činí šířka zesilovacího pásma přibližně 50 THz.

Koeficient zisku lze přepsat do formy:

γ(ν)=K(hνEg)1/2(hν)2fg(ν),\gamma(\nu) = K \cdot \frac{(h\nu - E_g)^{1/2}}{(h\nu)^2} \cdot f_g(\nu),

kde KK je materiálově závislá konstanta určovaná mimo jiné efektivní hmotností nosičů a dobou života excitovaného stavu τr\tau_r. Tento výraz ukazuje, že zesílení je závislé nejen na vlastnostech samotného polovodiče, ale i na teplotě, neboť ta ovlivňuje rozložení Fermiho funkcí.

V případě absolutní nuly (0 K), kdy v rovnovážném stavu je valenční pás plně obsazen a vodivostní pás prázdný, je inverzní faktor záporný a výsledný koeficient zisku má rovněž zápornou hodnotu. To odpovídá čisté absorpci. Výraz pro absorpční koeficient pak získává tvar:

α(ν)=K(hνEg)1/2(hν)2,\alpha(\nu) = K \cdot \frac{(h\nu - E_g)^{1/2}}{(h\nu)^2},

kde negativní hodnota Fermiho inverzního faktoru byla již zahrnuta. Tento vztah definuje, jak silně daný materiál absorbuje světlo různé frekvence, přičemž absorpce prudce stoupá těsně nad hranicí zakázaného pásu.

Při průchodu světla polovodičovým materiálem se tedy intenzita optického svazku mění exponenciálně v závislosti na součiniteli zisku:

Iν(z)=Iν(0)eγ(ν)z,I_\nu(z) = I_\nu(0) \cdot e^{\gamma(\nu)z},

přičemž délka interakce zz a hodnota γ(ν)\gamma(\nu) určují míru zesílení nebo útlumu. Výstupní intenzita Iν(L)I_\nu(L) po průchodu polovodičem délky LL tak může být výrazně vyšší nebo nižší než vstupní, v závislosti na materiálových a spektrálních podmínkách.

Je důležité si uvě