V oblasti materiálových věd a elektroniky se dvourozměrné (2D) materiály staly revoluční třídou látek, které slibují přetvářet technologickou krajinu. Tyto materiály, skládající se z jedné nebo několika vrstev atomů uspořádaných v plošném uspořádání, vzbudily značnou pozornost díky svým pozoruhodným elektronickým a optoelektronickým vlastnostem. Mezi pionýry této třídy materiálů stojí grafen, jenž je považován za etalon a archetyp 2D světa. Grafen, složený z jediné vrstvy atomů uhlíku uspořádaných v hexagonální mřížce, způsobil vědeckou revoluci po svém objevu v roce 2004. Jeho výjimečná elektrická vodivost, mechanická pevnost a termální vlastnosti mu rychle zajistily pověst „zázračného materiálu“. Nicméně, jak slibný grafen je, jeho absence inherentního pásma zakázané energie představuje značné výzvy pro určité aplikace, čímž omezuje jeho plný potenciál.
Grafen je bezesporu materiál s neuvěřitelnými vlastnostmi, jako je vynikající mobilita elektronů, tepelná vodivost a mechanická pevnost, které vedly k vývoji ultrarychlých tranzistorů, flexibilních elektronických zařízení a pokročilých kompozitních materiálů. Avšak absence pásma zakázané energie, což je základní charakteristika plynoucí z lineární disperze energie, činí grafen nevyhovujícím pro aplikace v tranzistorech, kde je potřeba řídit tok elektronů, což vede k výrazným únikům proudu a nízkým hodnotám ON/OFF poměru.
Široké pásmové 2D materiály: Nový horizont
V poslední době se intenzivnímu výzkumu věnují dvourozměrné polovodičové materiály s širokými pásmy zakázané energie. Tyto materiály mají bandgap, který se pohybuje od několika elektronvoltů až po ultrafialová pásma. K těmto materiálům patří například přechodové metalické dichalkogenidy (TMDC), hexagonální boronitrid (h-BN) a černý fosfor (BP). Tyto materiály vykazují širokou škálu elektronických vlastností, což umožňuje cílené řízení přenosu náboje a optických vlastností. Jejich atomárně precizní rozhraní, podobně jako u grafenu, činí tyto materiály atraktivními pro různá použití, zejména v oblasti elektronických a optoelektronických zařízení.
Široké pásmové 2D polovodičové materiály jsou charakterizovány svou podstatnou šířkou zakázaného pásma, obvykle přesahující 1 elektronvolt (eV), což je odlišuje od materiálů s úzkými pásmy, jako je grafen, který tuto vlastnost nemá. Pásmo zakázané energie, což je energetický rozsah, v němž elektrony nemohou existovat, hraje klíčovou roli při kontrole elektrických a optických vlastností polovodičů. Tyto materiály nabízí elegantní řešení omezení grafenu tím, že spojují výhody 2D materiálů, jako jsou atomárně tenké struktury a vysoká mobilita nosičů, s kontrolou elektronických vlastností, kterou pásma poskytují.
Aplikace širokopásmových 2D materiálů
Široké pásmové 2D materiály mají obrovský potenciál pro revoluci v několika technologických oblastech. Uplatnění najdou v oblasti vysokofrekvenční elektroniky, kde jejich inherentní pásmo zakázané energie usnadňuje návrh tranzistorů s vynikajícími hodnotami ON/OFF poměrů, což umožňuje rychlejší spínací časy. V optoelektronice tyto materiály vykazují výjimečnou fotoluminiscenci (PL) a interakce světla a hmoty, což je činí ideálními kandidáty pro světelné diody (LED), fotodetektory a lasery. Kromě toho jejich energetické pásmo umožňuje integraci do power elektroniky, což slibuje zvýšenou energetickou účinnost a sníženou spotřebu energie. Dále mají širokopásmové 2D materiály velký potenciál pro kvantové technologie, senzory a pokročilé materiály.
Význam širokopásmových 2D polovodičových materiálů
Pásmo zakázané energie u těchto materiálů je klíčové pro jejich výjimečné elektronické, fotonické a termální vlastnosti. Tento charakteristický rys umožňuje přesné řízení přenosu náboje, což vede k vývoji vysoce výkonných elektronických zařízení s vynikajícími ON/OFF poměry a sníženými úniky proudu. Dále široké pásmo zakázané energie usnadňuje efektivní emisi a absorpci světla, což činí tyto materiály ideálními pro optoelektronické aplikace, včetně LED, fotodetektorů a laserů.
Vlastnosti širokopásmových 2D polovodičových materiálů
Mezi širokopásmové 2D materiály patří například MoS2, který získal značnou pozornost díky svým výjimečným vlastnostem. Tento materiál se vyznačuje vysokou stabilitou a vysokou mobilitou elektronů a má dvě odlišné krystalové fáze: stabilní fázi 2H, která vykazuje chování n-typového polovodiče, a octahedrální fázi 1T, která vykazuje kovové vlastnosti. MoS2 má nacentrovanou strukturu a vykazuje přímé pásmo zakázané energie o hodnotě 1,8 eV v monovrstvové formě, zatímco v mnohovrstvovém MoS2 se hodnoty pásma zakázané energie zvyšují na 1,2 eV. Ramanova spektra MoS2 ukazují vibrace jak v rovině, tak mimo ni, přičemž pozorujeme specifické posuny v číslech vlnových délek, když se mění počet vrstev. Tyto vlastnosti, včetně fascinujících vibračních charakteristik, zdůrazňují význam MoS2 v různých aplikacích a výzkumných úsilích.
Optoelektronické aplikace 2D polovodičových materiálů se stávají klíčovými kameny inovací ve vědě o materiálech, otevírají neuvěřitelné možnosti a přibližují teoretické sliby praktickým realitám.
Jaké jsou klíčové vlastnosti 2D polovodičových materiálů a jejich aplikace v moderní elektronice?
V současnosti jsou dvoudimenzionální polovodičové materiály (2D-SCMs) předmětem intenzivního výzkumu, zejména pro jejich výjimečné elektrické, tepelně-fyzikální a mechanické vlastnosti. Mezi těmito materiály jsou zvláště pozoruhodné přechodné kovové disulfidy (TMDs), které vykazují chování odlišné od klasického grafenu, což otevřelo nové možnosti pro aplikace v elektronických a optoelektronických zařízeních.
Jedním z klíčových aspektů, které činí 2D-SCMs tak zajímavé pro použití v tranzistorech (FET), je jejich schopnost vykazovat vysokou pohyblivost nosičů náboje. Experimentální a teoretické studie ukázaly, že tato pohyblivost se zvyšuje s tloušťkou materiálu, což naznačuje, že 2D-SCMs mohou být použity nejen v tradičních tranzistorech, ale také ve flexibilních verzích, které jsou nezbytné pro nošení elektroniky a flexibilní displeje. Flexibilita těchto materiálů je podpořena jejich schopností odolávat mechanickému namáhání, což je činí ideálními pro aplikace v oblastech, kde jsou elektronické komponenty vystaveny deformacím.
Dalším fascinujícím aspektem je tepelná vodivost 2D-SCMs. Zatímco grafen vykazuje velmi vysokou tepelnou vodivost, TMD materiály mají jinou mřížkovou strukturu, což ovlivňuje jejich schopnost přenášet teplo. Většina TMD materiálů vykazuje nízkou tepelnou vodivost, což je činí užitečnými pro aplikace, kde je žádoucí omezit přenos tepla. Například u materiálů jako MoS2 byla tepelná vodivost zjištěna jako nižší než u grafenu, což je důležité pro použití v termoakustických nebo termoelektrických zařízeních. Zajímavé je, že tato vodivost se změnou počtu vrstev materiálu pouze slabě závisí, což naznačuje, že změny ve struktuře materiálu mohou mít značný vliv na jeho termální vlastnosti.
V rámci studia těchto materiálů byly také zjištěny rozdíly v orientačních vlastnostech tepelného transportu mezi různými materiály. Například černý fosfor, který má strukturu podobnou včelí plástvi, vykazuje orientačně závislé vlastnosti tepelného transportu, zatímco modrý fosfor je na orientaci nezávislý díky své cikcakové struktuře. Tyto rozdíly jsou klíčové pro navrhování materiálů s optimalizovanými termálními vlastnostmi pro specifické aplikace.
V oblasti mechanických vlastností se 2D-SCMs jeví jako velmi zajímavé pro flexibilní elektroniku a energetické aplikace. Například materiály jako MXeny vykazují změny ve svých elektrických a mechanických vlastnostech v závislosti na povrchových úpravách. U MXenů, jako je Sc2C, lze pozorovat přechod z kovového stavu na polovodičový, pokud jsou podrobeny modifikacím, například přidáním fluorových nebo kyslíkových atomů. To ukazuje na možnosti přizpůsobit mechanické vlastnosti těchto materiálů pro specifické potřeby flexibilních a nositelných zařízení.
Stejně jako u jiných 2D materiálů se i mechanické vlastnosti TMDs, jako je MoS2, liší podle počtu vrstev. U monovrstvých materiálů byly hodnoty Youngova modulu nižší než u grafenu, což ukazuje na potenciál pro použití těchto materiálů v aplikacích, kde je požadována nižší tvrdost nebo pružnost, například v ohebných elektronických zařízeních. Studie pomocí atomární silové mikroskopie (AFM) ukázaly, že bilayerové vzorky MoS2 vykazují větší pevnost než monovrstvy, což podtrhuje důležitost struktury a počtu vrstev pro mechanickou stabilitu materiálů.
Významným aspektem pro vývoj technologií, které využívají 2D-SCMs, je jejich tepelná stabilita. Předběžné studie ukázaly, že některé z těchto materiálů, jako je N-graphdiyne, vykazují výjimečnou tepelnou stabilitu až do teploty 2000 K, což z nich činí slibné kandidáty pro vysokoteplotní aplikace. Tento materiál se ukázal být relativně nezávislý na teplotních změnách, což je důležité pro zařízení, kde stabilita při vysokých teplotách hraje klíčovou roli, například v energetických systémech nebo v mikročipech vystavených vysokým provozním teplotám.
Pro efektivní využití 2D-SCMs v reálných aplikacích je nezbytné plně pochopit, jak různé struktury, vrstvení a povrchové modifikace ovlivňují jejich elektrické, mechanické a tepelné vlastnosti. Pokročilé teoretické i experimentální studie pokračují v odhalování jemností těchto materiálů, které umožní jejich široké využití v oblasti elektroniky, optiky a energetických technologií.
Vývoj a aplikace 2D polovodičových materiálů pro solární články a elektrochemické zařízení
Pokrok v oblasti 2D polovodičových materiálů poskytuje nové možnosti pro vytváření vysoce výkonných energetických zařízení, jako jsou solární články a elektrochemické úložné systémy. Tyto materiály, charakteristické svou jedinečnou strukturou na nanometrové úrovni, vykazují výrazně lepší stabilitu a účinnost ve srovnání s tradičními 3D materiály, což je činí vhodnými pro náročné aplikace v oblasti solární energetiky a energetických úložišť.
Výzkumy ukazují, že kombinace 2D a 3D materiálů může vést k dalšímu zlepšení výkonu solárních článků. Příkladem je studium, v němž byl dosažen výkon účinnosti konverze energie (PCE) 18,9 % s otevřeným napětím obvodu (OCV) 1,06 V a hustotou zkratu 23,8 mA cm−2 při faktoru vyplnění 0,75. V následném výzkumu se PCE zlepšil na 21,6 %, přičemž OCV vzrostl na 1,10 V a faktor vyplnění dosáhl hodnoty 0,81. Tento pokrok v oblasti stability a účinnosti naznačuje, že materiály založené na 2D struktuře mají potenciál k dosažení vysoce výkonných zařízení pro solární články, které budou mít delší životnost a lepší energetickou účinnost než ty dosud používané.
Další výzkum, který byl proveden výzkumníky Jangem a kol., zahrnoval návrh polymerního solárního článku využívajícího 2D/3D halidové přechodové články metodou růstu na pevných fázích. Tato metoda, při které se 2D materiál aplikuje na 3D základnu, umožňuje lepší kontrolu nad tloušťkou vrstvy a její stabilitou. V tomto případě byly 2D materiály navrstveny na 3D film, čímž byla zajištěna přímá kontaktní plocha mezi oběma vrstvami. Použití tepla a tlaku v kolmé rovině k povrchu vedlo k přeměně 3D filmu na novou 2D vrstvu, což přispělo k zlepšení celkové stability a výkonu zařízení.
Další významný pokrok byl zaznamenán při vývoji 2D/3D halidového přechodového materiálu, kdy solární článek dosáhl PCE 24,59 % při OCV 1,185 V. Tento článek si zachoval 94% účinnost po 1056 hodinách testování při vysoké vlhkosti (85 % relativní vlhkost při 85 °C) a až 98% účinnost po 1620 hodinách pod plným slunečním osvětlením. Tento výsledek ukazuje, že 2D/3D přechodové materiály mají potenciál poskytnout vysoce efektivní solární články s dlouhou životností, což je klíčové pro jejich komerční nasazení.
V oblasti elektrochemických úložišť energie, jako jsou superkondenzátory a baterie, představují 2D materiály inovativní možnost pro zlepšení výkonu těchto zařízení. Díky svým specifickým vlastnostem, jako je vysoká vodivost a stabilita, mohou 2D materiály přispět k efektivnějšímu ukládání a uvolňování energie. Významnou výhodou je i jejich flexibilita, což otevírá cestu pro jejich použití v nositelných elektronických zařízeních a dalších aplikacích, kde jsou požadavky na tenkost a flexibilitu kritické.
Pro rozvoj těchto technologií je nezbytné nejen pokračovat v výzkumu nových materiálů, ale i optimalizovat výrobní procesy a metody charakterizace těchto materiálů. Například techniky jako je sol-gel, exfoliace, CVD (chemické napařování z plynné fáze) a další metody syntézy umožňují výrobu 2D polovodičových materiálů v požadovaných kvalitách pro konkrétní aplikace. Vzhledem k rychlému vývoji těchto technologií lze očekávat, že v příštích letech dojde k dalším významným inovacím, které otevřou nové možnosti pro široké nasazení těchto materiálů.
2D materiály tedy představují neomezené možnosti pro vývoj pokročilých energetických zařízení a jejich aplikace v různých oblastech. Výzkum v této oblasti je stále v počátečních fázích, a proto je kladeno důraz na inovativní přístupy k vývoji nových materiálů a konstrukcí, které by mohly přinést revoluci v oblasti solární energetiky a elektrochemických zařízení. S každým novým výzkumem se otevírají možnosti pro širší komerční využití těchto materiálů, což může mít zásadní vliv na energetickou efektivitu a udržitelnost v budoucnosti.
Jak efektivně ovládat navigaci a přiblížení obrazu v Adobe Photoshopu?
Jakým způsobem jsou japonské obchody a zaměstnání propojené s každodenní kulturou a tradicemi?
Jakým způsobem první vědci formovali naše chápání světa?
Jak používat dialogy, upozornění a notifikace v Android aplikacích

Deutsch
Francais
Nederlands
Svenska
Norsk
Dansk
Suomi
Espanol
Italiano
Portugues
Magyar
Polski
Cestina
Русский