V posledních letech se kvantové technologie staly jedním z nejvíce diskutovaných témat v oblasti vědy a výzkumu. Specifické materiály, které se využívají v kvantových zařízeních, mohou významně ovlivnit vývoj a výkonnost těchto technologií. Mezi těmito materiály mají významnou roli vzácné zeminy a jejich ionty, jež jsou součástí krystalů a dalších pevných látek. V tomto kontextu se vzácné zeminy, jako je skandium, ytrium a lanthanoidy, používají především jako dopanty v hostitelských krystalech, čímž zásadně mění optické a kvantové vlastnosti těchto materiálů.

Tyto materiály v sobě kombinují několik unikátních vlastností. Vzácné zeminy mají částečně zaplněné 4f elektronové obaly, které jsou na rozdíl od jiných iontů chráněny zevními 5s a 5p elektrony. Tento ochranný efekt je klíčový, protože zajišťuje, že elektrony ve 4f obalu jsou slabě ovlivněny okolním krystalovým prostředím, což vede k ostřejším optickým přechodům a vyšší kvantové účinnosti. Tento jev se stává obzvláště důležitým při nízkých teplotách, kdy jsou optické přechody, na něž jsou ionty vzácných zemin citlivé, charakterizovány vysokou koherencí a dlouhou optickou životností.

V oblasti kvantových pamětí, jež jsou základem pro budoucí kvantové výpočty a komunikace, se dnes stále častěji uplatňují právě krystaly vzácných zemin. Tyto materiály umožňují efektivní uchování kvantových bitů (qubitů) na jednotlivých fotonech, což je úkol, který je v současnosti mimo dosah jiných pevných materiálů, například kvantových teček v polovodičích nebo diamantových defektů. Využití samotných iontů, jako jsou cerium, erbium, neodym a praseodym, pro optické účely také ukazuje na výjimečné možnosti těchto látek při zpracování kvantových informací.

Jednou z největších výzev v této oblasti je izolace jednotlivých iontů. V některých experimentech, například u iontů ceria nebo erbia, byly tyto ionty úspěšně izolovány a použity k detekci na základě citlivých přechodů mezi elektronovými hladinami. Nicméně kvantové systémy založené na vzácných zemích vykazují slabou oscilační sílu, což znamená, že potřebují výrazné zlepšení, aby byly jejich emisní vlastnosti přístupné pro kvantové aplikace. V současnosti je jednou z nejefektivnějších metod pro zlepšení těchto vlastností úprava fotonové hustoty stavů pomocí nanofotonických struktur, které zahrnují například optické vlnovody nebo fotonové krystaly. Takové struktury zajišťují silnější interakci mezi optickým polem a dopanty, čímž se zvyšuje účinnost přenosu kvantové informace.

S přechodem na nižší dimenze, jako jsou nanokrystaly nebo ultratenké membrány, se stávají vzácné zeminy klíčovým materiálem pro výrobu kvantových optických zařízení. Nanokrystaly, které lze snadno syntetizovat, se díky své malé velikosti a dlouhé koherenci stávají vysoce atraktivními pro kvantové aplikace, včetně kvantových komunikací a senzoriky. Tyto materiály, které lze pěstovat za použití komerčně dostupných surovin, představují velký potenciál pro budoucí miniaturizaci kvantových zařízení a jejich integraci na čipech.

Velkým pokrokem v této oblasti je také vývoj tenkých membrán, které mohou být použity jako základ pro výrobu různých optických a kvantových zařízení. Tyto tenké vrstvy, často na bázi yttrium-aluminum garnetu (YAG), umožňují výrobu vysoce kvalitních kvantových pamětí a dalších zařízení s vysokým výkonem a stabilitou. V kombinaci s pokročilými technikami, jako je molekulární beam epitaxe, mohou tyto materiály dosahovat skvélé struktury a umožnit vytváření integrovaných kvantových systémů.

Při použití vzácných zemin jako dopantů v pevných látkách je důležité zohlednit i jejich optické vlastnosti. Ionty vzácných zemin jsou známé svými ostrými emisními čarami ve viditelném a blízkém infračerveném spektru, což je činí ideálními pro kvantovou spektroskopii a detekci. Tyto optické vlastnosti jsou podmíněny relativně slabou interakcí mezi 4f elektrony a okolní strukturou, což zaručuje stabilitu emisí, která je nezbytná pro kvantové paměti a další aplikace.

Endtext

Jak ovlivňují topologické defekty elektronické vlastnosti uhlíkových nanotrubic?

V zakřivených koncových částech uhlíkových nanotrubic hraje zásadní roli topologie vazebné sítě uhlíkových atomů. Tyto struktury nejsou pouze geometrickým zakončením trubic, ale zásadně určují elektronové stavy blízké Fermiho hladině. Právě zde se objevují tzv. rezonanční stavy, které mají hluboký dopad na chování celé nanotrubice – od zesílení emisního proudu při poli až po zvýšenou reaktivitu zakončení trubice při oxidačních procesech.

Zejména efektivní emise elektronů z koncového uzávěru nanotub má významné aplikace v oblasti hrotových skenovacích mikroskopů nebo jako základní prvek elektronových zdrojů. Dynamika atomů na špičce nanotrubic – ať už samostatně, nebo ve spolupráci s kovovými katalyzátory – pravděpodobně určuje samotný růstový mechanismus těchto struktur. Symetrie a topologické uspořádání nanotrubice lze zpětně analyzovat pomocí skenovací tunelové spektroskopie.

Propojení nanotrubic různých chirálních vlastností lze dosáhnout začleněním defektů tvořených páry pěti- a sedmičlenných kruhů (tzv. 5/7 defekty) do šestiúhelníkové mříže. Tyto defekty nejen vysvětlují pozorované změny v průměru a směru trubic, ale také slouží jako klíčové prvky pro tvorbu intramolekulárních nanokřižovatek. V experimentech byly zaznamenány jak zúžení trubic, tak jejich zakřivení až o třicet stupňů, přičemž důkazem této geometrie jsou obrazy z transmisní elektronové mikroskopie.

Strukturní defekty typu 5/7 hrají zásadní roli v návrhu nanostrukturních elektronických zařízení. Spojením polovodičové nanotrubice s kovovou pomocí této vady lze vytvořit základní architekturu nanodiod. I když přítomnost defektu způsobí jen mírnou změnu helicity a šířky nanotrubice, dochází k významné změně elektronových vlastností, které se projevují jako ostré píky v hustotě elektronových stavů v blízkosti Fermiho hladiny.

Umístění defektu vůči ose trubice výrazně ovlivňuje výslednou strukturu. Pokud jsou defekty zarovnány s osou, dochází jen k nepatrné změně průměru bez vlivu na chirálnost – vzniká tak spojení dvou achirálních segmentů. Pokud jsou defekty kolmé na osu, dochází ke změně chirality na obou stranách vady, přičemž vzniklé struktury jsou navzájem zrcadlově převrácené. V jiných orientacích defektu se mění jak průměr, tak chirálnost – umožňující přechody mezi chirálními a achirálními strukturami.

Měření vazebných délek v místech defektů potvrzuje drobné, ale systematické odchylky od běžné hexagonální struktury. Rozdíly v energiích na atom a změny v lokální geometrii byly kvantifikovány a potvrzují, že rozmístění a orientace defektů zásadně ovlivňují celkovou stabilitu a elektronové chování nanotrubic.

Zásadní změny struktur mohou být způsobeny také ozářením uhlíkových nanotrubic. Při dostatečně vysoké energii (např. nad 120 keV u sp²-vázaného uhlíku) dochází k tzv. knock-on efektu – vyražení atomů z mřížky. V důsledku toho vznikají lokální defekty, krčky nebo dokonce přerušení nanotrubice. Za silného toku záření může dojít k rychlému a nerovnoměrnému odstraňování atomů, přičemž v experimentálních podmínkách bylo zaznamenáno, že z původního průměru 1,4 nm může být nanotrubice zúžena až na rekordních 0,4 nm během 30 minut.

Pod kontrolovaným ozářením se z povrchu nanotub odebírají atomy pomaleji, přičemž vznikající volné vazby a vakance mohou splynout do větších děr a způsobit hlubší energetickou nestabilitu systému. Výsledkem je přestavba původní nanotrubice na extrémně defektní monovrstvu.

Pro čtenáře je klíčové si uvědomit, že tyto defekty – ať už vzniklé během růstu nebo jako důsledek vnějšího působení – nejsou pouhými poruchami. Jsou funkčními prvky, které určují možnosti a limity nanotrubic v oblasti nanoelektroniky, optoelektroniky a kvantových zařízení. Schopnost přesně navrhovat, vytvářet a kontrolovat defekty na atomární úrovni je klíčovým předpokladem pro inženýrství materiálů s předem definovanými vlastnostmi.

Jak technologie SPR senzoru s optickými vlákny a kovovými vrstvami mohou zlepšit citlivost detekce mikrobů a chemických látek

V oblasti vývoje senzorů pro detekci biologických a chemických látek se technologie SPR (Surface Plasmon Resonance) etablovala jako jeden z nejdůležitějších nástrojů. Tento jev, který spočívá v excitaci elektronů kovového povrchu světelnými vlnami, je základem pro konstrukci senzorů, které mohou měřit změny v optických vlastnostech povrchu při interakci s analytem. Pokroky v této oblasti jsou stále rychlé, a to i díky implementaci nových materiálů a konstrukcí, které umožňují dosáhnout vyšší citlivosti, hloubky pronikání signálu a přesnosti měření.

Jedním z významných přístupů je použití tenkých vrstev kovových materiálů v kombinaci s dielektrickými vrstvami. Takto navržené senzory jsou schopné detekovat nejen mikroskopické částice, ale i větší struktury, jako jsou mikroby, což je významný krok v oblasti biosenzoriky. Například v roce 2021 Shrivastav a jeho kolegové vyvinuli technologii NGWSPR (Nearly Guided Wave Surface Plasmon Resonance), která zahrnuje vrstvy SF11 skla, stříbra (38 nm) a zlata (30 nm) pro monitorování bakterií Escherichia coli. Tato konfigurace umožnila zvýšit hloubku pronikání povrchového plasmonu (SPR) a tím i citlivost detekce.

Při navrhování takovýchto senzorů je kladeno důraz na optimalizaci všech parametrů, včetně tloušťky jednotlivých vrstev, geometrií a volby materiálů. Důležitým faktorem je také geometrie optických vláken, která, stejně jako optický prizm, může ovlivnit úhly, pod kterými dochází k total internal reflection (TIR) a následné excitaci evanescentních polí na rozhraní kovové vrstvy. U fiber optic-based SPR senzorů je výhodou přenositelnost, flexibilita a schopnost pracovat na dálku, což není vždy možné u tradičních senzorů založených na prismech.

Optická vlákna se zpravidla používají ve spojení s kovovými vrstvami, jako je stříbro nebo zlato, které jsou pokryty dielektrickými vrstvami. Tato struktura vyžaduje, aby bylo optické vlákno vybaveno kovovou vrstvou, která stimuluje vznik povrchového plasmonu při kontaktu s evanescentními vlnami. Výběr správného materiálu pro kovovou vrstvu a dielektrické vrstvy má zásadní vliv na výkon senzoru. Například Akhilesh K.M. navrhl senzor s ITO-Ag filmem na jádře optického vlákna, kde pomocí metodiky Transfer Matrix Method (TMM) dosáhl vynikajícího figury merit (FOM), což vedlo k výraznému zlepšení přesnosti detekce a citlivosti při měření indexu lomu.

Tato konstrukce zajišťuje nejen vysokou citlivost na elektromagnetické rušení, ale také kompatibilitu s optickými vlákny, což umožňuje dálkový přenos signálu a využití senzoru v mobilních a přenosných zařízeních. V kombinaci s nízkou výrobní cenou a stabilitou senzoru se jedná o technologii s širokým potenciálem aplikace v různých průmyslových odvětvích, od biomedicíny po chemickou detekci.

V současnosti se také vyvíjejí nové senzory s optickými vlákny pokrytými oxidy kovů, jako je TiO2, které nejen chrání kovovou vrstvu před oxidací, ale také zvyšují citlivost a stabilitu měření. Takové senzory se využívají například pro detekci alkoholu. Geometrie těchto vláken je často zjednodušena, což vede k mobilním a snadno přenosným senzorům, které mohou být nasazeny v různých prostředích, od laboratorních podmínek po terénní testování.

Důležitým aspektem při vývoji těchto senzorů je optimalizace geometrie optického vlákna, konkrétně proces zúžení vlákna, který zajišťuje lepší kontakt s analytem a zvyšuje jeho citlivost. Tloušťka vrstvy TiO2, která je typicky velmi tenká (pouze 5 nm), zajišťuje optimální ochranu kovových vrstev a současně zvyšuje jejich schopnost interagovat s molekulami analytu. Takovéto senzory mají velký potenciál v oblasti environmentálních studií, monitorování zdravotních parametrů nebo detekce chemických látek v průmyslovém prostředí.

Citlivost těchto senzorů závisí nejen na vlastnostech materiálů, ale i na preciznosti konstrukce, která umožňuje optimální přenos signálu mezi analytem a senzorovou vrstvou. V praxi to znamená, že čím tenčí kovové vrstvy a dielektrické vrstvy, tím přesnější a citlivější může být senzor. To ovšem znamená také nutnost pečlivé optimalizace tloušťky těchto vrstev, aby se dosáhlo ideální rovnováhy mezi citlivostí a stabilitou senzoru.

Endtext

Jak fungují kvantově-limitingové mikrovlnné zesilovače?

V oblasti kvantové optiky a kvantových technologií se stále častěji objevují zařízení, která pracují na samotné hranici kvantového omezení. Mezi taková zařízení patří kvantově-limitingové mikrovlnné zesilovače, které využívají pokročilých technologií, jako jsou Josephsonovy spojky, supervodivé materiály nebo dokonce diamantové systémy. Tyto zesilovače jsou navrženy tak, aby vykazovaly minimální šum a dosažitelnost kvantového limitu, což je klíčové pro aplikace, jako jsou kvantové počítače, kvantová komunikace nebo citlivé měření.

Jedním z přístupů k vývoji těchto zesilovačů je využití Josephsonových spojek, které jsou schopny realizovat tunelování Cooperových párů. V rámci tohoto procesu se elektrony spárované ve formě Cooperových párů pohybují mezi dvěma supervodivými materiály přes vrstvy, které umožňují kvantovou interferenci. Tento jev je základem pro vývoj kvantově-limitingových zesilovačů, které jsou schopny amplifikovat signály na úrovni kvantového šumu. Kanyolo et al. zkoumali vliv mikrovlnných frekvencí na jedno-dimenzionální Josephsonovy spojky a zjistili, že zařízení může dosahovat velmi vysoké citlivosti až 106 V/W, což je ideální pro aplikace v nízkoteplotních kvantových systémech.

Dalším významným přístupem je použití materiálů jako grafen, který v kombinaci s Josephsonovými spojkami poskytuje zesílení až 35,7 dB při šířce pásma 217 GHz. Tento typ zesilovače má širokou aplikační oblast, zejména v oblasti kvantové optiky, kde je potřeba zesílit signály při velmi nízkých šumech. Tato technologie také ukazuje, jak lze dosahovat velmi vysokého zesílení s relativně malými nároky na energetickou spotřebu.

Pro dosažení vyšší teplotní stability a zjednodušení systému se v poslední době začaly vyvíjet zesilovače, které nevyžadují ultra-nízké kryogenní teploty. Takový systém byl představen Shermanem et al. s použitím MASERu (Microwave Amplification by Stimulated Emission of Radiation) na bázi diamantu. Tento MASER dokázal dosáhnout zisku přes 20 dB při teplotách 30 K, což je mnohem vyšší než teploty potřebné pro supervodivé zesilovače. Tento přístup nabízí výhodu v tom, že nevyžaduje složité a energeticky náročné chladicí systémy, což znamená menší náklady a složitost pro aplikace na vyšších teplotách.

Další oblastí výzkumu je vývoj kvantově-limitingových zesilovačů na bázi opto-mechanických systémů. Tyto zesilovače kombinují mikrovlnné kavitační struktury s mechanickými rezonátory a nabízejí možnost dosažení kvantového limitu v oblasti šumu, aniž by došlo k narušení směrovosti signálu. Tato technologie ukazuje, jakým směrem se ubírá vývoj zesilovačů pro kvantové aplikace, které mají za cíl nejen zesílit signál, ale také minimalizovat vliv šumu na měření.

Důležitým trendem v poslední době je vývoj nesymetrických a fázově citlivých parametric amplifierů, které využívají nové metody, jako je vícestupňová interferometrie nebo silné magnetické pole pro dosažení neodbouratelného šumu při měření kvantových stavů. Výsledky těchto studií ukazují, že i bez použití silného magnetického pole lze dosáhnout vysoké účinnosti a kvantového limitu. To je důležitý krok k dalšímu zjednodušení konstrukce kvantově-limitingových zařízení.

V neposlední řadě se ukazuje, že technologie Josephsonových parametric zesilovačů, které operují na základě čtyřvlnného míchání, mohou výrazně zlepšit šířku pásma a operovat při frekvencích v GHz pásmu. To je ideální pro aplikace, kde je potřeba přesně měřit kvantové stavy a zároveň minimalizovat jakýkoli šum, který by mohl ovlivnit výsledky experimentů.

Pro efektivní a precizní měření kvantových stavů je nezbytné mít k dispozici zařízení, která nejen že poskytnou dostatečný zesílení signálu, ale zároveň budou schopna pracovat s velmi nízkými úrovněmi šumu. Technologie kvantově-limitingových zesilovačů, ať už na bázi Josephsonových spojek, grafenu nebo MASERů, jsou klíčovými stavebními kameny pro rozvoj kvantových technologií, které mohou v budoucnu změnit způsob, jakým provádíme měření a zpracování kvantových informací.

Jak mohou fotony ovlivnit kvantovou komunikaci: Technologie a aplikace v oblasti optických čipů

Kvantová komunikace je oblast, která dnes prochází rychlým rozvojem, přičemž klíčovým prvkem v tomto procesu jsou fotony, jejichž vlastnosti mohou být precizně kontrolovány a manipulovány pro různé účely. V rámci této technologie se fotony koncentrují na základě jejich polarizace, prostorových, časových, fázových a spektrálních vlastností. Pro ovlivnění těchto "stupňů volnosti" fotonů je potřeba řada základních komponent, jako jsou polarizační rozdělovače, modulátory intenzity, kroužkové rezonátory a směrové slučovače. Pomocí termo-optických efektů a Pockelsových elektro-optických efektů je možné realizovat fázové posuny, což je klíčové jak pro nízkorozměrové, tak i pro vysokorychlostní aplikace. Významným pokrokem v této oblasti je i vývoj optických čipů na bázi křemíku, které byly použity například pro kvantovou teleportaci.

V rámci detekce fotonů pro kvantovou komunikaci se často využívají homodynové detektory. Tyto detektory se ukázaly jako výhodné zejména proto, že jejich integrace s externími detektory způsobuje ztráty spojené s propojením, které nelze jednoduše eliminovat. Příkladem takového pokroku je fotodioda Ge na Si substrátu, která umožňuje detekci fotonů s efektivitou 5,27 % na vlnové délce 1310 nm při detekčním tempu 534 kHz při 80 K.

Dalším zásadním prvkem pro reálné aplikace je integrace kvantových fotonických čipů do modulů, které musí být dostatečně odolné pro použití v reálném světě. Procesy, jako je propojení optických vláken s čipy, vyžadují velkou odbornou způsobilost, protože zahrnují složité techniky integrace termálních, mechanických, optických a elektrických spojení mezi čipovými komponenty a komponentami mimo čip. Tato integrace čelí řadě výzev, například rozdílům v průměru optických režimů mezi vláknem a čipem, což vede k těžkostem v dosažení optimálního přenosu signálů.

Mezi materiály používané v kvantové komunikaci se dnes nejvíce zkoumá křemík, který vykazuje vynikající optické vlastnosti, vysokou hustotu integrace a snadnou přípravu potřebných struktur. Díky těmto vlastnostem se křemíkové komponenty dostávají do popředí v konstrukci kvantových zařízení, jako jsou modulátory a velkokapacitní kvantové fotonické obvody. Křemíkové kvantové obvody dnes představují klíčovou technologii, která umožňuje vývoj nových aplikací v oblasti kvantového počítačového zpracování, včetně kvantového klíčového rozdělení (QKD) a kvantové teleportace.

Jedním z největších pokroků v oblasti kvantového počítačového zpracování je tzv. kvantová rozdělení klíčů (QKD), které využívá kvantové stavy fotonů pro bezpečnou výměnu šifrovaných zpráv. Vyvinuté technologie umožnily dosažení rozsahů až 800 km s optickými vlákny, přičemž rychlost přenosu dat byla zvýšena až na 110 Mbit/s. Tato technologie má obrovský potenciál, přičemž evropské země, Čína a Japonsko neustále pracují na jejím dalším rozvoji.

Další významnou aplikací je kvantová teleportace, která umožňuje bezpečný přenos citlivých informací mezi dvěma místy bez rizika špehování. Takovéto možnosti umožňují připojit více zařízení a vytvořit síť, která má potenciál řešit problémy, které byly pro klasické počítače dosud neřešitelné.

Důležitým prvkem v oblasti kvantové komunikace jsou také kvantové generátory náhodných čísel (QRNG), které se využívají pro bezpečnou transmisí informací. Tato technologie je založena na kvazi-náhodných číslech, která jsou nepředvídatelná a snadno generovatelná, což představuje ideální základ pro šifrování dat. Pokroky ve zmenšování velikosti zařízení umožnily zvýšení bitové rychlosti až na GB/s.

V oblasti kvantové optiky a fotonických čipů je stále potřeba dalších pokroků v metodách integrace a detekce jednotlivých fotonů. Vzhledem k náročnosti těchto procesů, včetně chladicích technologií, jsou nutné velmi specifické odborné znalosti pro úspěšnou realizaci takovýchto zařízení. Různé materiály, jako je lithium-niobát, křemík a silika, se i nadále zkoumají pro využití v kvantové komunikaci. Důležité je pochopit, že tyto technologie umožní masivní škálování a zajištění bezpečnosti v mnoha kritických oblastech, včetně kybernetické bezpečnosti a pokročilých výpočetních systémů.

Endtext.