Kvantová mechanika, jak ji dnes známe, je výsledkem několika klíčových myšlenek a teorií, z nichž jedna z nejdůležitějších je Schrödingerova rovnice. Tento matematický nástroj nejen že popisuje chování částic na mikroskopické úrovni, ale také ukazuje, jak se mohou částice projevovat jako vlny, což byl revoluční objev ve vědě. Tento text se zaměřuje na vývoj Schrödingerovy rovnice a její aplikaci na chování částic.

Základní vztahy, které vedou k odvození Schrödingerovy rovnice, vycházejí z klasické mechaniky. Celková energie částice v klasickém pojetí je součtem kinetické a potenciální energie. Tato energie může být vyjádřena vzorcem:

E=p22m+V(x,t)E = \frac{p^2}{2m} + V(x,t)

kde pp je hybnost částice, mm její hmotnost a V(x,t)V(x,t) potenciální energie. Pokud je potenciál konstantní, síla působící na částici je nulová, což znamená, že hybnost částice zůstává konstantní. Tento vztah ukazuje, jak se klasické zákony mechaniky vztahují k chování částice, která je pod vlivem určitého potenciálu.

Schrödinger se však rozhodl jít dál a aplikovat tyto zákony na kvantovou mechaniku. V kvantové mechanice se částice neprojevují pouze jako pevně definované objekty, ale mají i vlnové vlastnosti. Pro tento účel zavádí vlnovou funkci Ψ(x,t)\Psi(x,t), která popisuje stav kvantové částice. Vlnová funkce je komplexní funkce, která obsahuje pravděpodobnostní informace o tom, kde a jak se částice může nacházet v daném okamžiku.

Schrödinger formuloval princip superpozice, který říká, že součet dvou různých řešení vlnové rovnice je také platným řešením. Tato myšlenka, která pochází z klasické vlnové teorie, byla zásadní pro kvantovou mechaniku. Pokud jsou Ψ1(x,t)\Psi_1(x,t) a Ψ2(x,t)\Psi_2(x,t) dvě různá řešení, pak kombinace těchto řešení ve formě:

Ψ(x,t)=aΨ1(x,t)+bΨ2(x,t)\Psi(x,t) = a\Psi_1(x,t) + b\Psi_2(x,t)

je také řešením rovnice. Tento princip platí nejen pro jednoduché vlny, ale pro jakýkoliv kvantový systém.

Zajímavé je, jak Schrödinger začlenil vlnovou funkci do kvantové mechaniky. Pokud je potenciál v systému konstantní, vlnová funkce se chová sinusoidálně s konstantní frekvencí a vlnovou délkou. Tento přístup byl klíčovým krokem k vytvoření dynamického popisu částic na kvantové úrovni.

Rovnice, kterou Schrödinger odvodil, zahrnovala kinetickou energii v podobě druhé derivace vlnové funkce podle prostorové souřadnice a potenciální energii v závislosti na poloze. Základní časově závislá Schrödingerova rovnice vypadá následovně:

iΨ(x,t)t=H^Ψ(x,t)i\hbar \frac{\partial \Psi(x,t)}{\partial t} = \hat{H} \Psi(x,t)

kde H^\hat{H} je Hamiltonián operátor, který zahrnuje jak kinetickou, tak potenciální energii systému. Tento operátor umožňuje, aby časová evoluce kvantového systému byla vyjádřena jako změna vlnové funkce v čase. V tomto kontextu je důležitý fakt, že Hamiltonián je generátorem časového vývoje systému – což znamená, že pomocí něho můžeme zjistit, jak se vlnová funkce vyvíjí v čase.

Při řešení Schrödingerovy rovnice se obvykle hledá konkrétní vlnová funkce pro daný systém, která splňuje určité podmínky. V případě, že potenciální energie není závislá na čase ani na prostoru, výsledné řešení vlnové funkce připomíná řešení Helmholtzovy rovnice, jak je ukázáno v předchozích kapitolách. Zajímavé je, že kvantová mechanika ve své podstatě nepopisuje trajektorii částice, ale pravděpodobnostní rozdělení její pozice a energie.

Další zásadní aspekt kvantové mechaniky je, že hodnota čtverce absolutní hodnoty vlnové funkce Ψ(x,t)2|\Psi(x,t)|^2 představuje pravděpodobnostní hustotu, což znamená, že je to pravděpodobnost, že částice bude nalezena v určitém místě v daném čase. Tento probabilistický přístup se liší od klasické mechaniky, která předpokládá přesnou trajektorii pohybu částice. Schrödingerova rovnice tedy nejen že popisuje, jak se vlnová funkce vyvíjí, ale také poskytuje hluboký pohled na kvantový svět, ve kterém jsou všechny události a procesy spojeny s pravděpodobností, nikoliv determinismem.

Je důležité pochopit, že kvantová mechanika nezaměňuje částice za čisté vlny, ale ukazuje, jak mají částice, při pozorování jejich chování na mikroskopické úrovni, vlnové vlastnosti. Tento přístup radikálně změnil náš pohled na svět na subatomární úrovni a poskytl nám nové nástroje k pochopení procesů, které jsou ve světě klasické fyziky nepředstavitelné.

Jak funguje pn-prechod a jeho dynamika pod napětím?

V tomto popisu se zaměříme na chování pn-prechodu, zejména na vliv vnitřního elektrického pole, difuzního a driftového proudu a jejich vzájemné interakce při různých napěťových stavech. Tento princip je základem pro pochopení fungování polovodičových diod, které jsou klíčové pro širokou škálu aplikací v elektronice a optoelektronice.

Ve stavu rovnováhy, když není aplikováno žádné vnější napětí ani fotoexcitace, existuje v každé oblasti pn-prechodu rovnováha mezi počty nositelů náboje (elektronů a děr). Tato rovnováha je popsána rovnicí pn=ni2p_n = n_i^2, kde nin_i je vnitřní koncentrace nositelů náboje. V tomto stavu je šířka vyprázdněné oblasti, označovaná jako W0W_0, určena rovnováhou mezi difuzním a driftovým proudem.

Difuzní proud IdiffI_{\text{diff}} vzniká v důsledku rozdílu koncentrace nositelů náboje mezi p- a n-oblastí, což vede k pohybu nositelů do oblastí s nižší koncentrací. Na druhé straně driftový proud IdriftI_{\text{drift}} vzniká působením vnitřního elektrického pole, které vzniká akumulací iontů na hranici přechodu. Toto elektrické pole způsobuje pohyb nositelů zpět do původní oblasti, což je v kontrastu s difuzí. Rovnováha mezi těmito dvěma proudy znamená, že v průběhu času se dosáhne stabilního stavu, kde platí Idiff=IdriftI_{\text{diff}} = I_{\text{drift}}, což znamená, že pohyb nositelů je vyvážen.

Vnitřní elektrické pole E(x)E(x) je důsledkem vyprázdněné oblasti, kde jsou kladné ionty na p-straně a záporné ionty na n-straně. Toto pole je orientováno od n-strany k p-straně, což způsobuje, že díry se vracejí zpět do p-oblasti a elektrony zpět do n-oblasti. Intenzita tohoto pole roste s pohybem nositelů, dokud se nevyrovná tok elektronů a děr, což vede k stabilnímu stavu.

Dalším důležitým aspektem je vnitřní potenciál V(x)V(x), který souvisí s elektrickým polem vztahem E=dVdxE = -\frac{dV}{dx}. Tento potenciál je integrován v oblasti vyprázdnění, přičemž maximální hodnota potenciálu V0V_0 je dosažena na hranici vyprázdněné oblasti na n-straně. Šířka vyprázdněné oblasti, W0W_0, je určena rovnováhou mezi koncentracemi akceptorových atomů NaN_a na p-straně a donorových atomů NdN_d na n-straně.

Pokud je přechod biasován, tj. je na něj aplikováno vnější napětí, mění se dynamika přechodu. V případě přímého biasování, kdy je kladná elektroda připojena k p-straně a záporná k n-straně, dochází ke zúžení vyprázdněné oblasti a snížení potenciálové bariéry V0V_0. Tento efekt usnadňuje pohyb nositelů přes přechod, což vede k rekombinaci elektron-díra a následnému vyzařování fotonů, což je základní princip pro fungování polovodičových světelných zdrojů.

Zajímavé je, že tok nositelů při přímém biasování je výsledkem jak difuze, tak driftu. Elektrony, které jsou v p-regionu injikovány, se šíří k pozitivnímu terminálu, kde se rekombinují s dírami. Tento proces je klíčový pro generování světla v polovodičových diodách. Důležité je také uvědomit si, že proces rekombinace může být buď radiativní (vyzařování fotonů) nebo neregulární, což závisí na materiálu a konstrukci diody.

Pokud je pn-přechod zapojen do zpětného biasu, dojde ke zvýšení šířky vyprázdněné oblasti, protože většina nositelů náboje je odtažena od přechodu. To zvyšuje odpor zařízení a také jeho kapacitanci. Zpětný proud je v tomto režimu velmi malý, protože elektrony se v n-regionu nemohou pohybovat k pozitivnímu terminálu v důsledku nedostatku dodávky elektronů na n-straně. Zpětný bias tedy zintenzivňuje elektrické pole v přechodu, což může mít významný vliv na vlastnosti diody, jako je kapacita nebo reakce na změny v napětí.

Důležité je, že přechod pn-diod je vždy vysoce závislý na koncentraci dopantů a teplotě, což ovlivňuje šířku vyprázdněné oblasti, vnitřní elektrické pole a potenciál. Kromě toho je také zásadní pochopení toho, jak různé napěťové stavy (přímý a zpětný bias) ovlivňují tok nositelů a rekombinaci, což je klíčové pro návrh a optimalizaci polovodičových zařízení pro konkrétní aplikace.