Физический институт имени РАН

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

Отделение физических наук РАН

Российский фонд фундаментальных исследований

Журнал «Квантовая электроника»

V Международный симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур

Программа и тезисы докладов Москва–Звенигород 23–26 ноября 2015 Москва 2015

О симпозиуме.

V Международный симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур является научным форумом, в котором участвуют все ведущие научные учреждения, работающие по современным направлениям фундаментальных исследований в области когерентного оптического излучения полупроводниковых соединений и структур. К рассматриваемым на Симпозиуме разделам относятся: полупроводниковые лазеры на гетероструктурах, исследование мощного когерентного излучения инжекционных лазеров, полупроводниковые лазеры с оптической и электронной накачкой, униполярные полупроводниковые лазеры, перспективные направления создания оптических когерентных источников, физика разрушения и деградации излучательных полупроводниковых структур и т. п. I Симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур состоялся в Звенигороде в 2007 году. На нем было принято решение проводить Симпозиум регулярно раз в два года. II и III Симпозиумы были проведены в Москве и Звенигороде в ноябре 2009 г., 2011г. и 2013г. Участие ученых Москвы, а также иногородних участников из Владивостока, Нижнего Новгорода, Самары, Санкт-Петербурга и др. в работе Симпозиума позволяет представить результаты на широкое научное обсуждение и поставить новые научные цели в области изучения фундаментальных основ когерентного оптиче­ского излучения полупроводниковых структур.

Место проведения

V Международный симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых со­единений и структур будет проведен в НИЯУ МИФИ, Москва 23 ноября, в ФИАНе, Москва 24 ноября и на базе Пансионата РАН «Звенигородский» Московской области с 24 по 26 ноября 2013 года.

Организаторы симпозиума

•  Физический институт имени РАН

•  Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

•  Отделение физических наук РАН

•  Российский фонд фундаментальных исследований

•  Журнал «Квантовая электроника»

3

Состав организационного комитета.

Председатель оргкомитета — академик (ФИАН)

Зам. председателя — (ФИАН, НИЯУ МИФИ)

Ответственный секретарь — (ФИАН)

Члены оргкомитета — (ФИАН)

— (НИЯУ МИФИ)

—  (СФ ФИАН)

—  (ИПФ РАН)

— (ДО РАН)

—  (МГУ)

—  (НИЯУ МИФИ)

—  (НПО «Инжект», Саратов)

—  (ФИАН, НИЯУ МИФИ)

—  (Журнал «Квантовая Электроника»)

—  (ФИАН)

— (ФТИ РАН)

— (ИФМ РАН)

Члены локального оргкомитета

—  (ФИАН)

—  (ФИАН)

—  (ФИАН)

—  (НИЯУ МИФИ)

—  (НИЯУ МИФИ, ЦЕНИ РАН)

—  (НИЯУ МИФИ)

V Международный симпозиум по когерентному оптическому излучению

полупроводниковых соединений и структур

Москва-Звенигород, 23-26 ноября 2015г.

ПРОГРАММА

23 ноября

9.00-12.00

Регистрация участников, Конференц - зал Главного корпуса Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ»

Москва, Каширское, ш.31

12.00-14.00

Экскурсия участников в лаборатории МИФИ

14.00-15.00

Обед

15.00-16.00

Рабочее совещание по вопросам международного сотрудничества в области полупроводниковой квантовой электроники

Аудитория Г 322

24 ноября

09. 00 – 10.00

Регистрация участников, Конференц - зал Главного корпуса Физического институт имени РАН,

Москва, Ленинский пр.53

10.00 – 10.20

Открытие Симпозиума.

Семинар 1

Председатель:

Колонный-зал Главного корпуса ФИАН.

10.20 – 11.00

, , , (ИФ им. Степанова НАНБ, Беларусь)

Внутрирезонаторное нелинейно-оптическое преобразование излучения диодно-накачиваемых лазеров

11.00-11.30

(Университет Шеффилда, Великобритания)

Лазеры на основе InAsP квантовых точек.

11.30-- 12.00

Перерыв

12.00 – 12.30

(ИПФ РАН, Нижний Новгород)

Динамический спектр сверхизлучающих лазеров и эмпирические моды с переменной пространственно-временной структурой

12.30-13.00

(ИПМ РАН, НИЯУ МИФИ)

Математическое моделирование в проблемных лазерных технологиях

13.00 – 15.00

Семинар 2

Председатель:

Стендовые доклады

Балюстрада Главного корпуса ФИАН

14.00 – 15.00

Обед

15.00

Отъезд участников Симпозиума в пансионат РАН «Звенигородский» от ФИАН, Ленинский, пр.53.

17.00-19.00

Регистрация участников Симпозиума и поселение в пансионате РАН «Звенигородский»

19.00-20.00

Ужин

20.00-22.00

Круглый стол.

Председатель:

Программа ОФН РАН:"Фундаментальные основы и экспериментальная реализация перспективных полупроводниковых лазеров в интересах промышленности и технологий" Итоги 2014-2015 г. г.

, ,

25 ноября

9.00 – 9.30

Завтрак

Семинар 3

Председатель:

Лекционная аудитория Пансионата РАН «Звенигородский»

09.30 – 09.55

, , , Xin Rong, Guang Chen, Bo Shen and Xinqiang Wang (ФИАН, НИЯУ МИФИ, Москва; ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, С. –Петербург; School of Physics, Peking University, Beijing, China)

Источник среднего УФ диапазона с накачкой электронным пучком на основе многослойной гетероструктуры с квантовыми ямами AIGaN

09.55 – 10.20

. , А. Ю. Андреев, Т. А. Багаев, А. И. Данилов, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. В. Лобенцов, А. А. Падалица, , С. М. Сапожников, В. А. Симаков (АО «НИИ «Полюс» им. , Москва)

Линейки и решетки лазерных диодов для накачки твердотельных лазеров.

10.20 – 10.45

, ,

А. В Григорьев, ,(ИФ НАН Беларусь)

Лазерные диодные линейки и матрицы в системах продольной и поперечной накачки твердотельных лазеров

10.45 – 11.10

, , ., , , , (ФИАН, НИЯУ МИФИ, Москва).

Лазерные диоды на длине волны980нм с непрерывной мощностью 15 Вт на теплоотводящих элементах типа F-маунт

11.10 – 11.25

Перерыв

Семинар 4

Председатель:

Лекционная аудитория Пансионата РАН «Звенигородский»

11.25 – 11.50

, , A. Н.Именков, ,

(ФТИ РАН, С.-Петербург)

Синхронизация мод в WGM - лазере со связанными дисковыми резонаторами

11.50 – 12.15

, , (ФТИ им. РАН, С.-Петербург; Virginia Polytechnic Institute and State University, USA)

Скорости захвата электронов в квантовые ямы разной глубины в полупроводниковых лазерах

12.15 – 12.40

, , ;. А, ,. А; , , (ИФМ РАН, Н. Новгород,

«Сигм-Плюс» Москва, ФГУП «Салют», Н. Новгород)

"Новые подходы к созданию ТГц гетеролазеров на сверхрешетках со слабыми барьерами и дисковыми резонаторами с вертикальным излучением"

 

12.40 – 13.05

, С. Медведев,( ЗАО"Нолатех", Москва)

Перестраиваемые одночастотные полупроводниковые лазеры

 

13.05 – 13.30

., . ,

(ИПФ РАН, Н. Новгород)

Использование двумерной распределенной обратной связи для генерации пространственно-когерентного излучения в полупроводниковых
лазерах

 

13.30 – 14.00

Обед

 

14. 00 – 19.00

Экскурсия

 

20.00 -- 23.00

Конференционный ужин

26 ноября

9.00-9.30.00

Завтрак

 

Семинар 5

Председатель:

 

9.30-9.55

., , -В., (ИФМ РАН, Н. Новгород; ФТИ им. , С.-Петербург; Институт оптических сенсорных систем DLR, Берлин, Германия)

Лазеры ТГц диапазона частот на донорах в кремнии

 

 

9.55 -10.20

, , 1, , (АО «НИИ «Полюс»,ФИАН, Москва)

Квантовый каскадный лазер спектрального диапазона 8-12 мкм,

полученный методом МОС-гидридной эпитаксии

 

10.20-10.45

, , (ФИАН, НИЯУМИФИ, МФТИ, Москва)

Лазеры Fe2+:ZnS, Fe2+:ZnSe и Сr2+:CdSe среднего ИК диапазона: новые результаты.

 

10.45-11.10

, ,,, ,

(ФИАН, НИЯУ «МИФИ», ,МГУ, Москва ; ИФНАНБ, Беларусь)

Порог генерации и синхронизация поперечных мод Рамановской компоненты излучения Nd:YVO4 лазера c пассивным Cr4+:YAG затвором и продольной диодной накачкой

 

11.10 – 11.30

Перерыв

Семинар 6

Председатель:

11.30-11.55

, , , (СФ ФИАН, Самара)

Формирование двухлепестковых световых полей с вращением интенсивности

11.55-12.20

, (ИАПУ ДВО НЦ РАН, Владивосток)

Фотоиндуцированная низкопороговая оптическая нелинейность диэлектрических наносистем

12.20-12.45

, , , (МГУ, Москва)

Формирование предельно коротких лазерных импульсов в среднем инфракрасном диапазоне в кристалле арсенида галлия.

12.45-13.10

, , , . (ФИРЭ им. РАН, Фрязино)

Оптические свойства легированных прозрачных керамик Y2O3 и Y3Al5O12

13.10 – 13.35

, , , В (РОНЦ РАМН, ГНЦ ЛМ, ФИАН, НИЯУ «МИФИ», Москва)

Радиопротекторный эффект светокислородной терапии при лучевых поражениях кожи в онкологической клинике

13.35 - 13.50

Закрытие Симпозиума. Принятие решения.

14.00 - 15.00

Обед

16.00

Отъезд участников из пансионата «Звенигородский» в Москву

24 ноября

13-00 – 15-00

Cписок стендовых докладов

, , (ФИАН, НИЯУ МИФИ, Москва)

Изменение пористости при лазерном отжиге поверхности металлов.

., ,, , (СФ ФИАН, СГУ, Самара)

Влияние аберраций на формирование световых полей с вращением интенсивности

, , (ФИАН, НИУ «Высшая школа экономики»,ИМПБ РАН, Москва)

Применение лазерных технологий для передачи больших объемов научных данных

Юнусова Наида Рабадановна(НИЯУ МИФИ, Москва)

Получение тонких пленок методом электронно-лучевой эпитаксии

, В(ФИАН, Москва)

Временная самокомпрессия при взаимодействии сходящихся пучков чирпированного излучения с тонким образцом кварца

Золотарев Василий Владимирович, ,, , И. С. Тарасов (ФТИ им. РАН, С.-Петербург)

Интегрированное поверхностное распределенное брэгговское зеркало высокого порядка дифракции для полупроводниковых лазеров

, , (ИФ им. Степанова НАНБ, Беларусь)

ВКР-преобразование излучения АИГ:Nd лазера с диодной накачкой в желто-оранжевую область спектра

, В,

(АГУ, Гимназии №1 и №3,Астрахань),

Зависимость коэффициента полезного действия маломощных полупроводниковых лазеров от потребляемой мощности

, Алыкова, А. Ф.,

(НИЯУ МИФИ, АГУ, Москва, Астрахань)

Экспериментальное изучение работы полупроводниковых
излучателей в режиме светодиода и лазера

Амиржанова Айдана Жигеровна, (АГУ, Астрахань)

Экспериментальное изучение воздействия полупроводниковых излучателей на элементы агрофитоценоза методом ИК-спектроскопии

, , П (ФИАН, НИЯУ МИФИ, Москва)

Теоретическое моделирование лазерной электризации и фрагментации металлических наночастиц в воде.