Физический институт имени РАН
Отделение физических наук РАН
Российский фонд фундаментальных исследований
Журнал «Квантовая электроника»
IV Симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур
Программа и тезисы докладов Москва–Звенигород 27–29 ноября 2013
Москва 2013
2
О симпозиуме.
IV Симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур является научным форумом, в котором участвуют все ведущие научные учреждения, работающие по современным направлениям фундаментальных исследований в области когерентного оптического излучения полупроводниковых соединений и структур. К рассматриваемым на Симпозиуме разделам относятся: полупроводниковые лазеры на гетероструктурах, исследование мощного когерентного излучения инжекционных лазеров, полупроводниковые лазеры с оптической и электронной накачкой, униполярные полупроводниковые лазеры, перспективные направления создания оптических когерентных источников, физика разрушения и деградации излучательных полупроводниковых структур и т. п. I Симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур состоялся в Звенигороде в 2007 году. На нем было принято решение проводить Симпозиум регулярно раз в два года. II и III Симпозиумы были проведены в Москве и Звенигороде в ноябре 2009 г. и 2011г. Участие ученых Москвы, а также иногородних участников из Владивостока, Нижнего Новгорода, Самары, Санкт-Петербурга и др. в работе Симпозиума позволяет представить результаты на широкое научное обсуждение и поставить новые научные цели в области изучения фундаментальных основ когерентного оптического излучения полупроводниковых структур.
Место проведения
IV Симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур будет проведен в ФИАНе, Москва 27 ноября и на базе Пансионата РАН «Звенигородский» Московской области с 27 по 29 ноября 2013 года.
Организаторы симпозиума
• Физический институт имени РАН
• Отделение физических наук РАН
• Российский фонд фундаментальных исследований
• Журнал «Квантовая электроника»
3
Состав организационного комитета.
Председатель оргкомитета — академик (ФИАН) Заместители председателя — (ОФН РАН)
— (ФИАН, НИЯУ МИФИ)
Ответственный секретарь — (ФИАН)
Члены оргкомитета — (ФИАН)
— (НИЯУ МИФИ)
— (СФ ФИАН)
— (ИПФ РАН)
— (ДО РАН)
— (МГУ)
— (НИЯУ МИФИ)
— (НПО «Инжект», Саратов)
— (ФИАН, НИЯУ МИФИ)
— (Журнал «Квантовая Электроника»)
— (ФИАН)
— (ФТИ РАН)
— (ИФМ РАН)
Члены локального оргкомитета
— (ФИАН)
— (ФИАН)
— (ФИАН)
— (НИЯУ МИФИ)
— (НИЯУ МИФИ, ЦЕНИ РАН)
— (НИЯУ МИФИ)
— (ФИАН)
IV Симпозиум по когерентному оптическому излучению
полупроводниковых соединений и структур
Москва-Звенигород, 27-29 ноября 2013г.
ПРОГРАММА
27 ноября
09. 00 – 10.00 | Регистрация участников, Конференц - зал Главного корпуса Физического институт имени РАН, Москва, Ленинский пр.53 |
10.00 – 10.20 | Открытие Симпозиума. |
Семинар 1 Председатель: | Конференц-зал Главного корпуса ФИАН. |
10.20 – 10.50 | (ИОФАН) Современные углеродные материалы для оптики и лазерной техники |
10.50 – 11.15 | Микаелян Геворк Татевосович, , , (ОАО «НПП «Инжект») Эффективное охлаждение мощных лазерных линеек и решеток на фазовых переходах первого рода
|
11.15 – 11.40 | , , , , , , (ФИАН). Излучательные параметры и тепловой режим мощных лазерных диодов спектральных диапазонов 808 нм, 980 нм и 1060 нм. |
11.40-- 12.00 | Перерыв |
12.00 – 12.30 | (ИЛФ СО РАН, Новосибирск) О работах Института лазерной физики СО РАН |
12.30 – 13.00 | (ИПФ РАН, Нижний Новгород) Особенности лазерной генерации поляритонных мод в ловушках для бозе-конденсации диполярных экситонов. |
13.00 – 14.00 Семинар 2 Председатель: | Стендовые доклады Балюстрада Главного корпуса ФИАН |
14.00 – 15.00 | Обед |
15.00 | Отъезд участников Симпозиума в пансионат РАН «Звенигородский» от ФИАН, Ленинский, пр.53. |
17.00-19.00 | Регистрация участников Симпозиума и поселение в пансионате РАН «Звенигородский» |
19.00-20.00 | Ужин |
20.00-22.00 Круглый стол. Председатель: | Программа ОФН РАН. «Фундаментальные аспекты физики и технологии полупроводниковых лазеров как основных элементов фотоники и квантовой электроники». Итоги 2013 г. , , |
| ||
9.00 – 10.00 | Завтрак |
|
Семинар 3 Председатель: | Лекционная аудитория Пансионата РАН «Звенигородский» |
|
09.30 – 09.55 | (ФТИ им. РАН) Новое в мощных импульсных полупроводниковых лазерах на основе асимметричных гетероструктур. |
|
09.55 – 10.20 | , , М.А. Ладугин, , ( «Полюс» им. ») Мощные лазерные излучатели на основе Al-содержащих и Al-free гетероструктур: выбор оптимальной системы материалов |
|
10.20 – 10.45 | (ФИАН) Полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком: основные характеристики и пути развития |
|
10.45 – 11.10 | , И. С. Тарасов, Л. В. Асрян (ФТИ им. РАН, Virginia Polytechnic Institute and State University, USA) Усовершенствованная модель расчета характеристик полупроводникового лазера с квантовыми ямами |
|
11.10 – 11.25 | Перерыв |
|
Семинар 4 Председатель: | Лекционная аудитория Пансионата РАН «Звенигородский» |
|
11.25 – 11.50 | , , (ФТИ им. РАН) Суперлинейная электролюминесценция в гетероструктурах на основе GaSb с высокими потенциальными барьерами |
|
11.50 – 12.15 | ., Д. В. Нечаев, А. А. Торопов, Т. В. Шубина, Е. А. Шевченко, А. А. Ситникова, Я. В. Кузнецова, М. А. Яговкина, Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, Г. П. Яблонский, П. С. Копьев, С. В. Иванов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, ИФ НАН Беларуси) Полупроводниковые лазеры глубокого ультрафиолетового диапазона (260-300 нм) на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaN |
|
12.15 – 12.40 | , , В. И. Козловский, , Ю. В. Коростелин, , О. Г. Охотников, Ю. П. Подмарьков, Ю. М. Попов, , М. П. Фролов (ФИАН, ORC, Tampere University of Technology, Finland) Cr+2:CdSe лазер (0.85 Вт, 2.6 мкм) с накачкой лазерными диодами |
|
12.40 – 13.05 | , , (ФИАН, МФТИ) Лазеры Fe2+:ZnS и Fe2+:ZnSe c энергией в импульсе 1.7-2.1 Дж на длине волны 4 мкм
|
|
13.05 – 13.30 | , , А. М. Майорова, С. А. Самагин( Самарский филиал ФИАН) Формирование оптических ловушек для манипуляции микроскопическими объектами с помощью перестраиваемого жидкокристаллического фокусатора |
|
13.30 – 14.00 | Обед |
|
14. 00 – 19.00 | Экскурсия
|
|
20.00 -- 23.00 | Конференционный ужин
| |
29 ноября | ||
9.00-10.00 | Завтрак |
|
Семинар 5 Председатель:
|
| |
10.00 – 10.25 | (ИФМ РАН, Нижний Новгород) Стимулированное излучение ТГц диапазона на внутрицентровых переходах доноров в кремнии: состояние дел и перспективы. |
|
| ||
10.25 – 10.50 | , , (ФИАН) Узкополосная генерация терагерцового излучения в резонансно-туннельных гетероструктурах |
|
10.50 -- 11.15 | , , (ФИАН) Уширение и расщепление спектров излучения квантового каскадного лазера на основе GaInAs/AlInAs в квантующем магнитном поле |
|
11.15 - 11.40 | Чешев Евгений Анатольевич, , , (ФИАН, МГУ) Особенности синхронизации поперечных мод при продольной диодной накачке в лазерах на Nd-активированных кристаллах, керамике и стеклах |
|
11.40 – 12.00 | Перерыв |
|
Семинар 6 Председатель:
|
| |
12.00-12.20 | , К. С. Григорьев, И. А. Пережогин (МГУ) Сингулярности поляризации в нелинейной оптике |
|
12.20-12.40 | , , -Бирюков, , (МГУ, РКЦ Сколково, ИФ НАНУ Украина) Нелинейно-оптическая микроспектроскопия когерентного рассеяния света с использованием импульсов с управляемой фазой |
12.40-13.00 | , ,(ФИАН, МФТИ ) Эффекты формы в спектрах поглощения и рассеяния света гибридными металлоорганическими наноструктурами |
13.00-13.20 | , , (ИАПУ ДВО РАН) Экситонные состояния оптических электронов диэлектрических наночастиц |
13.20 – 13.40 | , , (ФИАН, НИЯУ МИФИ) Лазерная фрагментация наночастиц |
13.40 – 14.00 | Закрытие симпозиума. Принятие решения.
|
14.00 – 15.00 | Обед |
16.00 | Отъезд участников из пансионата «Звенигородский» в Москву |
|
27 ноября 13-00 – 14-00 |
Cписок стендовых докладов
|
, , (МГУ, НИЦ «Курчатовский институт»,РКЦ Сколково) Волоконно-оптические интерфейсы для комбинационно-селективной визуализации биологических тканей | |
, В. В. Безотосный, М. В. Горбунков, А. Л. Коромыслов, П. В. Кострюков, Ю. М. Попов, В. Г. Тункин, Е. А. Чешев Двухволновый Nd:YLF - лазер с продольной диодной накачкой и акустооптической модуляцией добротности | |
, , (ФИАН, НИУ «Высшая школа экономики») Модульный центр обработки данных
| |
, , , , (ФТИ им. РАН) Разработка мощных полупроводниковых лазеров для прямого применения в обработке материалов | |
, , А, (НИЯУ МИФИ) Конвертеры излучения синих светодиодов на основе квантовых точек CdSe/ZnS внедренных в матрицу полиметилметакрилата | |
Золотарев Василий Владимирович, , , З. Н. Соколова, И. С. Тарасов (ФТИ им. РАН) Мощные полупроводниковые лазеры с поверхностным брэгговским зеркалом | |
, , И. С Тарасов (ФТИ им. РАН) Полностью оптическое управление модовыми структурами различной добротности в полупроводниковых инжекционных лазерах | |
, , (ФТИ им. РАН) Оптические характеристики инжекционных полупроводниковых лазеров InGaAs/GaAs c волноводом на одиночной квантовой яме | |
, , (ИАПУ ДВО РАН, ДФУ) Гигантская электрическая поляризуемость наночастиц Fe3O4 в полях низкоинтенсивного лазерного излучения. | |
,, , (ИОФАН) Особенности лазерно-стимулированного окисления ультра-нанокристаллических алмазных пленок | |
, , (ФИАН, НИЯУ МИФИ) Динамика схлопывания пор при лазерном отжиге металлических покрытий | |
(НИЯУ МИФИ, ИОФАН) Возбуждение ап-конверсной люминесценции в наноструктурах, содержащих ионы лантаноидов
| |
, , (НИЯУ МИФИ) Исследование излучательных характеристик лазерной плазмы и плазмы сильноточного вакуумного разряда
|
